原標(biāo)題：臺(tái)積電 1nm 以下制程取得重大突破，已發(fā)表于 Nature

臺(tái)積電在1nm以下制程方面確實(shí)取得了重大突破，并且這一研究成果已經(jīng)在國(guó)際權(quán)威期刊《自然》（Nature）上發(fā)表。以下是對(duì)該事件的詳細(xì)分析：

一、突破內(nèi)容

臺(tái)積電聯(lián)合臺(tái)灣大學(xué)（臺(tái)大）和美國(guó)麻省理工學(xué)院（MIT）共同研發(fā)出半導(dǎo)體新材料鉍（Bi），這種材料可以作為二維材料的接觸電極。研究發(fā)現(xiàn)，使用半金屬鉍作為二維材料的接觸電極，可以大大降低電阻，增加電流，實(shí)現(xiàn)接近量子極限的能效。這一發(fā)現(xiàn)有助于挑戰(zhàn)1nm以下制程的芯片制造難題。

二、研究團(tuán)隊(duì)與貢獻(xiàn)

1. 麻省理工學(xué)院（MIT）團(tuán)隊(duì)：首先發(fā)現(xiàn)了在二維材料上搭配半金屬鉍的電極能大幅降低電阻并提高傳輸電流。

2. 臺(tái)積電技術(shù)研究部門：將鉍沉積制程進(jìn)行優(yōu)化，使得鉍能夠更有效地應(yīng)用于芯片制造中。

3. 臺(tái)灣大學(xué)（臺(tái)大）團(tuán)隊(duì)：運(yùn)用氦離子束微影系統(tǒng)（Helium-ion beam lithography）將元件通道成功縮小到納米尺寸，共同獲得突破性的研究成果。

三、研究成果的意義

1. 挑戰(zhàn)物理極限：隨著晶圓單位面積能容納的晶體管數(shù)目已逼近主流材料硅的物理極限，晶體管效能也無法再逐年顯著提升。此次研究有望突破這一極限，為未來的芯片制造提供新的可能。

2. 推動(dòng)行業(yè)發(fā)展：該研究成果不僅有助于臺(tái)積電在芯片制造領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位，還將推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的進(jìn)步和發(fā)展。

3. 應(yīng)用前景廣闊：雖然目前還處于研究階段，但此成果能替下世代芯片提供省電、高速等絕佳條件，有望投入人工智能、電動(dòng)車、疾病預(yù)測(cè)等新興科技的應(yīng)用中。

四、對(duì)其他芯片制造商的影響

1. IBM：此前，IBM已經(jīng)推出了2nm工藝芯片，但與臺(tái)積電在1nm以下制程的突破相比，IBM的2nm工藝芯片在性能和能耗方面可能面臨更大的挑戰(zhàn)。此外，由于IBM沒有先進(jìn)的邏輯制程芯片晶圓廠，其2nm工藝不能迅速落地，彎道超車更加困難。

2. 三星：三星在3nm工藝制造方面取得了進(jìn)展，但與臺(tái)積電在1nm以下制程的突破相比，三星可能需要在技術(shù)研發(fā)和制程優(yōu)化方面投入更多的資源。

綜上所述，臺(tái)積電在1nm以下制程方面取得的重大突破不僅有助于自身在芯片制造領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位，還將推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的進(jìn)步和發(fā)展。這一研究成果的應(yīng)用前景廣闊，有望為未來的科技應(yīng)用提供更加強(qiáng)大的支持。