原標題：臺積電陳平：超微縮和3D集成共同推動工藝前進

臺積電陳平確實提出了超微縮和3D集成共同推動工藝前進的觀點。以下是對其觀點的詳細闡述：

一、超微縮技術(shù)

超微縮技術(shù)，即傳統(tǒng)工藝制程的微縮，是半導(dǎo)體工藝發(fā)展的重要方向之一。陳平指出，通過不斷地工藝微縮，可以不斷改進芯片的PPA（性能、功耗和面積）。在摩爾定律的推動下，晶體管尺寸不斷縮小，從而提高了芯片的集成度和性能。

然而，工藝微縮也面臨著諸多挑戰(zhàn)。其中，光刻技術(shù)是限制工藝微縮的關(guān)鍵因素之一。不過，隨著EUV（極紫外光刻）技術(shù)的突破，工藝微縮得以繼續(xù)向前延伸。臺積電從7nm技術(shù)節(jié)點開始引入EUV技術(shù)，并在5nm、4nm等節(jié)點上積累了豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗和記錄。未來，隨著NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光刻）技術(shù)的導(dǎo)入，2nm及以下圖形的定義問題也將得到解決。

除了光刻技術(shù)外，器件結(jié)構(gòu)和材料特性也是工藝微縮的另外兩大挑戰(zhàn)。隨著器件的微小化，晶體管器件結(jié)構(gòu)和材料特性都需要有革命性的改變。例如，器件結(jié)構(gòu)將從FinFET轉(zhuǎn)向Nanosheet或GAA結(jié)構(gòu)，而器件材料方面則出現(xiàn)了諸多創(chuàng)新和突破。

二、3D集成技術(shù)

隨著數(shù)字化時代數(shù)據(jù)量的快速增加，SoC（系統(tǒng)級芯片）上的微縮已不足以滿足系統(tǒng)發(fā)展的需要。因此，3D系統(tǒng)的引入成為了一種重要的解決方案。3D集成技術(shù)可以在SoC工藝基礎(chǔ)上大幅擴展集成度，實現(xiàn)所謂的Chiplet（小芯片）。同時，2.5D和3D工藝還可以幫助實現(xiàn)異構(gòu)集成，讓邏輯芯片和存儲芯片得以方便地集成在一起。

臺積電在3D集成技術(shù)方面取得了顯著的成果。其推出了3D平臺，涵蓋了前段3D和先進封裝兩大類工藝。其中，前段3D對工藝的要求最高，而先進封裝方式則包括CoWos技術(shù)和info技術(shù)等。這些技術(shù)使得臺積電能夠為客戶提供更高效、更靈活的芯片解決方案。

三、超微縮與3D集成的共同推動

陳平認為，超微縮和3D集成是共同推動工藝前進的兩大元素。超微縮技術(shù)提供了最有效的算力密度和能效比的提升，而3D集成技術(shù)則大幅擴展了集成度，實現(xiàn)了異構(gòu)集成。這兩者的結(jié)合，使得臺積電能夠在保持工藝領(lǐng)先的同時，不斷滿足市場對高性能、低功耗和高集成度芯片的需求。

綜上所述，臺積電陳平提出的超微縮和3D集成共同推動工藝前進的觀點，不僅符合半導(dǎo)體工藝發(fā)展的趨勢，也為臺積電在未來的市場競爭中提供了有力的支持。