原標(biāo)題：臺積電2nm工藝重大突破！2023年投入試產(chǎn)

臺積電在2nm工藝上確實取得了重大突破，并且計劃在2023年投入試產(chǎn)。以下是對臺積電2nm工藝及其相關(guān)信息的詳細(xì)歸納：

一、研發(fā)進展

• 突破性進展：臺積電在2nm工藝研發(fā)上取得了顯著進展，這得益于其采用的創(chuàng)新性多橋通道場效晶體管（MBCFET）架構(gòu)。該架構(gòu)與3nm和5nm所采用的鰭式場效晶體管（FinFET）截然不同，解決了FinFET在制程微縮過程中遇到的電流控制漏電的物理極限問題。

• 研發(fā)時間線：臺積電早在2019年的年報中就首次披露了2nm工藝的研發(fā)計劃。經(jīng)過不斷努力，預(yù)計在2023年下半年，該公司的風(fēng)險試產(chǎn)良率將達(dá)到驚人的90%。這一進度領(lǐng)先于業(yè)界其他競爭對手。

二、技術(shù)特點

• MBCFET架構(gòu)：臺積電選擇了環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)來研發(fā)2nm工藝。這一架構(gòu)的創(chuàng)新設(shè)計，成功解決了FinFET在制程微縮過程中的物理極限問題，并實現(xiàn)了性能的提升和功耗的降低。

• 極紫外光（EUV）微顯影技術(shù)：隨著極紫外光（EUV）微顯影技術(shù)的不斷進步，臺積電多年來研發(fā)的納米片（Nano Sheet）堆疊關(guān)鍵技術(shù)也日趨成熟，為2nm工藝的實現(xiàn)提供了有力支持。

三、生產(chǎn)計劃

• 試產(chǎn)計劃：臺積電計劃在2023年下半年對2nm工藝進行風(fēng)險試產(chǎn)，并有望在2024年實現(xiàn)大規(guī)模投產(chǎn)。這一計劃體現(xiàn)了臺積電在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位和強大的研發(fā)實力。

• 產(chǎn)能規(guī)劃：為了支持2nm工藝的研發(fā)與生產(chǎn)，臺積電已規(guī)劃在新竹寶山建設(shè)P1至P4四個超大型晶圓廠，占地總面積超過90公頃。這將為2nm工藝的量產(chǎn)提供充足的產(chǎn)能保障。

四、市場展望

• 技術(shù)領(lǐng)先：臺積電在2nm工藝上的重大突破不僅彰顯了其在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。隨著2nm工藝的逐步量產(chǎn)，臺積電有望進一步鞏固其在高端芯片市場的領(lǐng)先地位。

• 市場需求：隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等技術(shù)的不斷發(fā)展，對高性能芯片的需求日益增加。臺積電2nm工藝的量產(chǎn)將滿足市場對高性能、低功耗芯片的需求，推動相關(guān)產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。

綜上所述，臺積電在2nm工藝上取得了重大突破，并計劃在2023年投入試產(chǎn)。這一進展不僅體現(xiàn)了臺積電在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和強大研發(fā)實力，也為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來了新的機遇和挑戰(zhàn)。