存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。 按照存儲(chǔ)單元的工作原理，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(英文：Static RAM，SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(英文Dynamic RAM，DRAM)。

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器組成

RAM電路由地址譯碼器、存儲(chǔ)矩陣和讀寫控制電路三部分組成。

圖1 存儲(chǔ)矩陣由觸發(fā)器排列而成，每個(gè)觸發(fā)器能存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)(0或1)。通常將每一組存儲(chǔ)單元編為一個(gè)地址，存放一個(gè)“字”;每個(gè)字的位數(shù)等于這一組單元的數(shù)目。存儲(chǔ)器的容量以“字?jǐn)?shù)×位數(shù)”表示。地址譯碼器將每個(gè)輸入的地址代碼譯成高(或低)電平信號(hào)，從存儲(chǔ)矩陣中選中一組單元，使之與讀寫控制電路接通。在讀寫控制信號(hào)的配合下，將數(shù)據(jù)讀出或?qū)懭搿?/span>

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器特點(diǎn)

隨機(jī)存取

所謂“隨機(jī)存取”，指的是當(dāng)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r(shí)，所需要的時(shí)間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無(wú)關(guān)。相對(duì)的，讀取或?qū)懭腠樞蛟L問(wèn)(Sequential Access)存儲(chǔ)設(shè)備中的信息時(shí)，其所需要的時(shí)間與位置就會(huì)有關(guān)系。它主要用來(lái)存放操作系統(tǒng)、各種應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)等。

易失性

當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 一個(gè)長(zhǎng)期的存儲(chǔ)設(shè)備中(例如硬盤)。RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消失，而ROM不會(huì)自動(dòng)消失，可以長(zhǎng)時(shí)間斷電保存。

對(duì)靜電敏感

正如其他精細(xì)的集成電路，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器對(duì)環(huán)境的靜電荷非常敏感。靜電會(huì)干擾存儲(chǔ)器內(nèi)電容器的電荷，引致數(shù)據(jù)流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機(jī)存取存儲(chǔ)器前，應(yīng)先用手觸摸金屬接地。

訪問(wèn)速度

現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器幾乎是所有訪問(wèn)設(shè)備中寫入和讀取速度最快的，存取延遲

筆記本電腦內(nèi)存

筆記本電腦內(nèi)存 和其他涉及機(jī)械運(yùn)作的存儲(chǔ)設(shè)備相比，也顯得微不足道。

需要刷新(再生)

現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器依賴電容器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1(二進(jìn)制)，未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數(shù)據(jù)會(huì)漸漸隨時(shí)間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來(lái)的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補(bǔ)流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的易失性。

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元

靜態(tài)存儲(chǔ)單元(SRAM)

存儲(chǔ)原理：由觸發(fā)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)

單元結(jié)構(gòu)：六管NMOS或OS構(gòu)成

優(yōu)點(diǎn)：速度快、使用簡(jiǎn)單、不需刷新、靜態(tài)功耗極低;常用作Cache

缺點(diǎn)：元件數(shù)多、集成度低、運(yùn)行功耗大

常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)

動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元(DRAM)

存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲(chǔ)電荷的原理，需刷新(早期：三管基本單元;之后：?jiǎn)喂芑締卧?/span>)

刷新(再生)：為及時(shí)補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲(chǔ)的信息丟失，必須定時(shí)給柵極電容補(bǔ)充電荷的操作

刷新時(shí)間：定期進(jìn)行刷新操作的時(shí)間。該時(shí)間必須小于柵極電容自然保持信息的時(shí)間(小于2ms)。

優(yōu)點(diǎn)： 集成度遠(yuǎn)高于SRAM、功耗低，價(jià)格也低

缺點(diǎn)：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜;刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計(jì)算機(jī)中，DRAM常用于作主存儲(chǔ)器。

盡管如此，由于DRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器類別

根據(jù)存儲(chǔ)單元的工作原理不同， RAM分為靜態(tài)RAM和動(dòng)態(tài)RAM。

靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)

靜態(tài)存儲(chǔ)單元是在靜態(tài)觸發(fā)器的基礎(chǔ)上附加門控管而構(gòu)成的。因此，它是靠觸發(fā)器的自保功能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)

動(dòng)態(tài)RAM的存儲(chǔ)矩陣由動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元組成。動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元利用MOS管的柵極電容來(lái)存儲(chǔ)信息，但由于柵極電容的容量很小，而漏電流又不可能絕對(duì)等于0，所以電荷保存的時(shí)間有限。為了避免存儲(chǔ)信息的丟失，必須定時(shí)地給電容補(bǔ)充漏掉的電荷。通常把這種操作稱為“刷新”或“再生”，因此DRAM內(nèi)部要有刷新控制電路，其操作也比靜態(tài)RAM復(fù)雜。盡管如此，由于DRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)能做得非常簡(jiǎn)單，所用元件少，功耗低，已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器區(qū)別

只讀存儲(chǔ)器

ROM-read only memory只讀存儲(chǔ)器

①簡(jiǎn)單地說(shuō)，在計(jì)算機(jī)中，RAM 、ROM都是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。RAM 是隨機(jī)存取存

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 儲(chǔ)器，它的特點(diǎn)是易揮發(fā)性，即掉電失憶。ROM 通常指固化存儲(chǔ)器(一次寫入，反復(fù)讀取)，它的特點(diǎn)與RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和電擦除重寫三種類型。舉個(gè)例子來(lái)說(shuō)也就是，如果突然停電或者沒(méi)有保存就關(guān)閉了文件，那么ROM可以隨機(jī)保存之前沒(méi)有儲(chǔ)存的文件但是RAM會(huì)使之前沒(méi)有保存的文件消失。

內(nèi)存

在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)很重要的部分，就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱內(nèi)存)，輔助存儲(chǔ)器又稱外存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱外存)。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤，像硬盤，軟盤，磁帶，CD等，能長(zhǎng)期保存信息，并且不依賴于電來(lái)保存信息，但是由機(jī)械部件帶動(dòng)，速度與CPU相比就顯得慢的多。內(nèi)存指的就是主板上的存儲(chǔ)部件，是CPU直接與之溝通，并用其存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的部件，存放當(dāng)前正在使用的(即執(zhí)行中)的數(shù)據(jù)和程序，它的物理實(shí)質(zhì)就是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能的集成電路，內(nèi)存只用于暫時(shí)存放程序和數(shù)據(jù)，一旦關(guān)閉電源或發(fā)生斷電，其中的程序和數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。

從一有計(jì)算機(jī)開始，就有內(nèi)存。內(nèi)存發(fā)展到今天也經(jīng)歷了很多次的技術(shù)改進(jìn)，從最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM等，內(nèi)存的速度一直在提高且容量也在不斷的增加。今天，服務(wù)器主要使用的是什么樣的內(nèi)存呢?IA架構(gòu)的服務(wù)器普遍使用的是REGISTERED

快速周期隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

快速周期隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 ECCSDRAM。

既然內(nèi)存是用來(lái)存放當(dāng)前正在使用的(即執(zhí)行中)的數(shù)據(jù)和程序，那么它是怎么工作的呢?我們平常所提到的計(jì)算機(jī)的內(nèi)存指的是動(dòng)態(tài)內(nèi)存(即DRAM)，動(dòng)態(tài)內(nèi)存中所謂的“動(dòng)態(tài)”，指的是當(dāng)我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間，數(shù)據(jù)會(huì)丟失，因此需要一個(gè)額外設(shè)電路進(jìn)行內(nèi)存刷新操作。具體的工作過(guò)程是這樣的：一個(gè)DRAM的存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無(wú)電荷代表0。但時(shí)間一長(zhǎng)，代表1的電容會(huì)放電，代表0的電容會(huì)吸收電荷，這就是數(shù)據(jù)丟失的原因。刷新操作定期對(duì)電容進(jìn)行檢查，若電量大于滿電量的1/2，則認(rèn)為其代表1，并把電容充滿電;若電量小于1/2，則認(rèn)為其代表0，并把電容放電，藉此來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。

其他

手機(jī)中我們經(jīng)?？吹?/span>RAM4G ram512M ,我們一定不要被它誤導(dǎo)，即使ROM再大，但是RAM小了的話，還是不能玩大型游戲。ROM是存儲(chǔ)東西時(shí)用到的存儲(chǔ)，RAM是運(yùn)行程序時(shí)用到的存儲(chǔ)。所以購(gòu)買手機(jī)的時(shí)候一定要注意這個(gè)信息。

RAM:一種音頻格式，可以用千千靜聽播放。RA、RAM和RM都是Real公司成熟的網(wǎng)絡(luò)音頻格式，采用了“音頻流”技術(shù)，所以非常適合網(wǎng)絡(luò)廣播。在制作時(shí)可以加入版權(quán)、演唱者、制作者、Mail和歌曲名稱等信息。

RA可以稱為互聯(lián)網(wǎng)上多媒體傳播的霸主，適合于網(wǎng)絡(luò)上進(jìn)行實(shí)時(shí)播放，是目前在線收聽網(wǎng)絡(luò)音樂(lè)最好的一種格式。

RAM：角色/職責(zé)分配矩陣，就是將WBS(工作分解結(jié)構(gòu))中的每一項(xiàng)工作指派到OBS(組織分解結(jié)構(gòu))中的執(zhí)行人員所形成的一個(gè)矩陣，是人力資源管理用詞。

RAM: Radar absorbing Material 雷達(dá)吸波材料，是指能夠通過(guò)自身的吸收作用減小目標(biāo)雷達(dá)散射截面(RCS)的材料。

RAM: Relative Atomic Mass相對(duì)原子質(zhì)量(原子量)