半導(dǎo)體存儲(chǔ)器用途

主要用作高速緩沖存儲(chǔ)器、主存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器、堆棧存儲(chǔ)器等。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按功能分類(lèi)

按其功能可分為：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱(chēng)RAM)和只讀存儲(chǔ)器(只讀ROM)

RAM包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存(內(nèi)存的主體部分)，SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。

ROM 主要用于BIOS存儲(chǔ)器。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按其制造工藝

可分為：雙極晶體管存儲(chǔ)器和MOS晶體管存儲(chǔ)器。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按其存儲(chǔ)原理

可分為：靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩種。

其半導(dǎo)體存儲(chǔ)器優(yōu)點(diǎn)是：體積小、存儲(chǔ)速度快、存儲(chǔ)密度高、與邏輯電路接口容易。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)指標(biāo)

主要有：

1. 存儲(chǔ)容量：存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù)M×每單元位數(shù)N

2. 存取時(shí)間：從啟動(dòng)讀(寫(xiě))操作到操作完成的時(shí)間

3. 存取周期：兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)器操作所需間隔的最小時(shí)間

4. 平均故障間隔時(shí)間MTBF(可靠性)

5. 功耗：動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗