您現(xiàn)在的位置： 首頁 > 標簽 > 4096k非易失SRAM
4096k非易失SRAM
4096k非易失SRAM
相關(guān)文章 : 4篇 瀏覽 : 5次

DS1250Y 4096k非易失SRAM
DS1250Y 4096k非易失SRAM
　　產(chǎn)品概述　　DS1250Y 4096k 非易失 SRAM 是一款具有高性能與高可靠性的存儲器產(chǎn)品，它在傳統(tǒng)的靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）基礎(chǔ)上，融合了非易失性功能，使得系統(tǒng)在斷電情況下依然能夠保存關(guān)鍵信息。該器件利用先進工藝實現(xiàn)了數(shù)據(jù)的快速存取與穩(wěn)定保持，在保持高速讀寫能力的同時，還提供了長時間數(shù)據(jù)備份的能力。作為一款 4096......
DS12... 4096...
2025-04-14
1
DS1250AB 4096k非易失SRAM
DS1250AB 4096k非易失SRAM
　　DS1250AB 4096k非易失SRAM詳解　　本文將詳細介紹DS1250AB 4096k非易失SRAM的各項內(nèi)容，涵蓋產(chǎn)品概述、技術(shù)指標、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、接口特性、時序分析、電氣特性、非易失技術(shù)、應用場景、市場比較以及未來發(fā)展趨勢等多個方面?！　‘a(chǎn)品詳情　　DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜......
DS12... 4096...
2025-04-14
2
DS1350W 3.3V、4096K非易失SRAM，帶有電池監(jiān)測器
DS1350W 3.3V、4096K非易失SRAM，帶有電池監(jiān)測器
　　一、產(chǎn)品概述與背景　　DS1350W是一款采用3.3V工作電壓的非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM），其存儲容量高達4096K位。該芯片在設(shè)計時充分考慮了實際應用環(huán)境中的數(shù)據(jù)保持問題，集成了電池監(jiān)測器以保證在斷電情況下數(shù)據(jù)的長期保存和實時監(jiān)控電池狀態(tài)。隨著嵌入式系統(tǒng)、工業(yè)控制、汽車電子以及通信設(shè)備不斷向高穩(wěn)定性和長時效存儲方案需求演......
DS13... 4096... 電池監(jiān)測...
2025-04-11
1
DS1250W 3.3V、4096k非易失SRAM
DS1250W 3.3V、4096k非易失SRAM
　　一、產(chǎn)品概述　　DS1250W 3.3V、4096k非易失SRAM 是一種集高速存取、高可靠性以及非易失性特性于一體的存儲器件。隨著電子信息技術(shù)飛速發(fā)展和工業(yè)應用場景對數(shù)據(jù)可靠性的不斷提升，該產(chǎn)品正逐步在軍事、航天、汽車、工業(yè)自動化、通訊系統(tǒng)和消費電子等多個領(lǐng)域顯示出不可替代的重要作用。本文將對該存儲器件的基本原理、技術(shù)特點及相關(guān)應......
DS12... 4096...
2025-04-11
1