SiC MOSFET的實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)控電路測(cè)量方案引言碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫和低損耗等特性，正在逐步替代傳統(tǒng)的硅基材料，特別是在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用。SiC MOSFET作為SiC功率器件的一種，具有高頻率、高效率、高耐壓和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。然......