本實(shí)用新型公開了一種碳化硅功率晶體管,目的在于,能夠降低器件開態(tài)電阻,提升功率特性,具有實(shí)用性強(qiáng)優(yōu)點(diǎn),結(jié)構(gòu)所采用的技術(shù)方案為:包括自下而上依次設(shè)置的第二P型歐姆接觸電極,P型SiC襯底,N型SiC緩沖層,N型SiC漂移層和N型SiC電流增強(qiáng)層,N型SiC電流增強(qiáng)層上刻蝕形成有若干個臺階,相鄰臺階之間設(shè)有溝槽,臺階的頂端設(shè)置有N型SiC歐姆接觸層,N型SiC歐姆接觸層的上部設(shè)置有N型歐姆接觸電極,溝槽內(nèi)設(shè)置有P型SiC歐姆接觸區(qū),P型SiC歐姆接觸區(qū)與臺階側(cè)面和溝槽的底部接觸,位于溝槽底部的P型SiC歐姆接觸區(qū)的上部設(shè)置有第一P型歐姆接觸電極.