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全環(huán)繞柵極晶體管
全環(huán)繞柵極晶體管
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本揭示案描述了形成環(huán)繞柵極場效應晶體管的方法,用于形成半導體結構的技術,此半導體結構具有被配置為通道部分的多個半導體條.在半導體結構中,擴散中斷結構在柵極結構形成之后形成,使得鄰近擴散中斷結構的半導體條的結構完整性不會被隨后的柵極形成制程損害.擴散中斷從上表面向下延伸,直到相鄰通道部分的所有半導體條被擴散中斷截斷

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2021-10-09
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