高串?dāng)?shù)模擬前端
高串?dāng)?shù)模擬前端
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針對(duì)具有1 nF傳感電容和5μA平均幅度的隨機(jī)電流脈沖的核探測(cè)器,設(shè)計(jì)了一種基于跨阻放大器(TIA)的模擬前端.核心放大器采用單端折疊共源共柵結(jié)構(gòu)提高帶寬和速度,采用增益增強(qiáng)(gain-boosted)技術(shù)以滿足高增益的要求.模擬前端基于SMIC 40 nm CMOS工藝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn),仿真結(jié)果表明,核心放大器在電源電壓1.1 V下,增益帶寬積為2.2 GHz,增益為72.3 dB,模擬前端在閉環(huán)增益為500Ω和1 nF傳感電容時(shí),可以實(shí)現(xiàn)22 MHz的閉環(huán)帶寬,模擬前端的總功耗為3.2 mW.
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