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量子探測點
量子探測點
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量子點結構的生長技術是QDIP研究的基礎。低維半導體結構的發(fā)展很大程度上依賴于材料先進生長技術(分子束外延技術、金屬有機化合物化學氣相沉積技術等)和精細加工工藝(聚焦電子、離子束和X射線光刻技術等)的進步。上個世紀90年代,人們開發(fā)了無損傷的低維半導體材料的制備方法,就是利用不同材料的晶格失配而產生的應力,通過Stranski-Krastanow(S-K)生長模式來獲得無缺陷、無位錯和尺寸均勻的量子點,即所謂的自組織生長量子點的方法。