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硅穿孔
硅穿孔
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硅穿孔(英語(yǔ):Through Silicon Via, 常簡(jiǎn)寫(xiě)為T(mén)SV,也稱(chēng)做硅通孔)是一種穿透硅晶圓或芯片的垂直互連。 TSV 是一種讓3D IC封裝遵循摩爾定律(Moore's Law)的互連技術(shù),TSV可堆疊多片芯片,其設(shè)計(jì)概念來(lái)自于印刷電路板(PCB), 在芯片鉆出小洞(制程又可分為先鉆孔及后鉆孔兩種, Via First, Via Last),從底部填充入金屬, 硅晶圓上以蝕刻或激光方式鉆孔(via),再以導(dǎo)電材料如銅、多晶硅、鎢等物質(zhì)填滿。此一技術(shù)能夠以更低的成本有效提高系統(tǒng)的整合度與效能。