本實用新型涉及一種IPD無反射低通濾波器,包括金屬導(dǎo)體層,設(shè)在所述金屬導(dǎo)體層上方的第一硅介質(zhì)層,設(shè)在所述第一硅介質(zhì)層上方的第二硅介質(zhì)層,設(shè)在所述第二硅介質(zhì)層上方的電路結(jié)構(gòu)層,設(shè)在所述電路結(jié)構(gòu)層上方的硅氧化層及與電路結(jié)構(gòu)層連通的電阻,其中所述電路結(jié)構(gòu)層包括彼此互相導(dǎo)通的輸入端,輸出端,第一接地端,第二接地端及第三接地端,所述電路結(jié)構(gòu)層上連接有第一電感,第二電感及第三電感,所述硅氧化層包括第一電容,第二電容及第三電容,所述電阻包括第一電阻,第二電阻,第三電阻及第四電阻,本實用新型的IPD無反射低通濾波器具有高性價比,小尺寸,溫度穩(wěn)定性好帶外無反射,性能高,適合批量生產(chǎn).