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高帶寬存儲器
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高帶寬存儲器（High Bandwidth Memory，HBM）是超微半導體和SK Hynix發(fā)起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合，像是圖形處理器、網(wǎng)絡交換及轉發(fā)設備（如路由器、交換器）等。首個使用HBM的設備是AMD Radeon Fury系列顯示核心。2013年10月HBM成為了JEDEC通過的工業(yè)標準，第二代HBM —— HBM2，也于2016年1月成為工業(yè)標準，NVIDIA在該年發(fā)表的新款旗艦型Tesla運算加速卡 —— Tesla P100、AMD的Radeon RX Vega系列、Intel的Knight Landing也采用了HBM2。

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