在選擇IGBT（絕緣柵極型功率管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）時，需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景、性能要求以及成本考慮來做出決策。以下是對兩者在多個方面的詳細(xì)比較，以幫助您做出更合適的選擇：一、結(jié)構(gòu)和工作原理IGBT：是一種復(fù)合型半導(dǎo)體器件，結(jié)合了雙極型晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）的優(yōu)點。其結(jié)構(gòu)包括PNP型雙極晶體管......