GaN晶體材料
GaN晶體材料
相關(guān)文章 : 1篇
瀏覽 : 7次
本發(fā)明公開了一種在HVPE中高速率穩(wěn)定生長(zhǎng)GaN晶體材料的方法:將從盛放液態(tài)Ga的Ga舟通入的HCl氣體,在通過(guò)本發(fā)明改善的HCl氣體流通途徑時(shí),與金屬Ga充分混合而反應(yīng)生成GaCl氣體,從液態(tài)Ga的上部液面逸出后,導(dǎo)入生長(zhǎng)區(qū)與NH
推薦產(chǎn)品
列表欄目