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單柵邏輯器件
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本發(fā)明提供了一種嵌入式閃存器件.柵疊件包括布置在浮柵上方的控制柵極.擦除柵極布置為與柵疊件的第一側(cè)相鄰.字線布置為與第一側(cè)相對的柵疊件的第二側(cè)相鄰.字線包括相較于字線的頂面顯示出降低的高度且位于字線中與柵疊件相對的一側(cè)上的字線橫檔.多晶硅邏輯柵極的頂面基本與字線橫檔齊平.ILD層布置在柵疊件,擦除柵極,多晶硅邏輯柵極和字線上方.接觸件延伸穿過ILD層.本發(fā)明還提供了用于制造嵌入式閃存器件的方法.

達爾科技74LVC1GxxQW5單門邏輯器件的介紹、特性、及應(yīng)用
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關(guān)于達爾科技（Diodes Incorporated）的74LVC1GxxQW5系列單門邏輯器件，尤其是以74LVC1G17QW5為代表，這里將詳細介紹其特點、特性及應(yīng)用。需要注意的是，由于“74LVC1GxxQW5”是一個泛指的命名方式，其中“xx”可能代表不同的邏輯功能（如與、或、非等），但以下信息將主要基于74LVC1G17QW5的......
74LV... 單柵邏輯... 達爾科技
2021-07-30
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