以往，雙極性器件在需要高精度的應(yīng)用領(lǐng)域一直處于工程師的“首選”項(xiàng)。這些器件可實(shí)現(xiàn)低于 1uV/oC 的失調(diào)漂移，而 CMOS 的輸入級(jí)則提供高達(dá) 5uV/oC 的失調(diào)漂移。 在 CMOS 輸入運(yùn)算放大器中實(shí)現(xiàn)極低失調(diào)的挑戰(zhàn)在于閥值電壓之間的差異（輸入差分對(duì)）以及柵-源電壓與閥值電壓之間的差異 (VGS-VTH)。與雙極性器件不同，無(wú)論在弱反相情況下還是在強(qiáng)反相情況下，失調(diào)和失調(diào)漂移在 CMOS 器件中都沒有關(guān)聯(lián)性。