隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,磁場(chǎng)傳感器已經(jīng)成為當(dāng)今社會(huì)生活中非常重要的一部分。而在眾多磁場(chǎng)傳感器中,AMR效應(yīng)磁場(chǎng)傳感器由于具有靈敏度較高,制備工藝簡(jiǎn)單,便于集成化且成本較低等優(yōu)點(diǎn),成為目前磁場(chǎng)傳感器研究的熱門。本文研究了以AMR效應(yīng)為基礎(chǔ)的磁場(chǎng)傳感器。首先探究了具有AMR效應(yīng)的磁阻薄膜的制備工藝。本文選擇采用磁控濺射方法在表面有300nmSiO_2的硅基片上,以Ta/NiFe/Ta三層結(jié)構(gòu)制備磁阻薄膜,其中第一層Ta作為緩沖層,在硅基片上為NiFe薄膜的生長(zhǎng)提供良好的基底,第二層的NiFe薄膜為AMR效應(yīng)的核心功能薄膜,NiFe薄膜質(zhì)量的好壞直接影響整個(gè)磁阻薄膜的AMR性能,第三層Ta作為磁阻薄膜的保護(hù)層,保護(hù)磁阻薄膜不受外界氧化和破壞。