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內(nèi)存DDR5
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DDR5 SDRAM的主要特性是芯片容量，而不僅僅是更高的性能和更低的功耗。DDR5預(yù)計將帶來4266至6400 MT / s的I / O速度，電源電壓降至1.1 V，允許的波動范圍為3%（即±0.033V）。每個模塊使用兩個獨立的32/40位通道（不使用/或使用ECC）。此外，DDR5將具有改進的命令總線效率（因為通道將具有其自己的7位地址（添加）/命令（Cmd）總線），更好的刷新方案以及增加的存儲體組以獲得額外的性能

新一代內(nèi)存DDR5帶來了哪些改變？
新一代內(nèi)存DDR5帶來了哪些改變？
新一代內(nèi)存DDR5相較于其前代DDR4，帶來了多方面的顯著改變。以下是DDR5內(nèi)存的主要變化：一、性能提升更高的數(shù)據(jù)速率：DDR5的數(shù)據(jù)速率達到了6.4Gbps，是DDR4（最高3.2Gbps）的兩倍。而且，根據(jù)規(guī)范，DDR5的速度上限未來可能推高到8Gbps以上。這使得DDR5在數(shù)據(jù)傳輸速度上有了質(zhì)的飛躍。更高的頻率：DDR5內(nèi)存的起始......
內(nèi)存DD... 內(nèi)插器 誤碼檢測...
2021-05-21
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