在電力電子行業(yè)的發(fā)展過程中，半導(dǎo)體技術(shù)起到了決定性作用。其中，功率半導(dǎo)體器件一直被認(rèn)為是電力電子設(shè)備的關(guān)鍵組成部分。隨著電力電子技術(shù)在工業(yè)、醫(yī)療、交通、消費(fèi)等行業(yè)的廣泛應(yīng)用，功率半導(dǎo)體器件直接影響著這些電力電子設(shè)備的成本和效率。自從二十世紀(jì)五十年代真空管被固態(tài)器件代替以來，以硅(Si)材料為主的功率半導(dǎo)體器件就一直扮演著重要的角色。功率雙極性晶體管及晶閘管的問世，大大減小的電力電子設(shè)備的體積重量，同時(shí)提高了變換效率。為了滿足更高工作頻率及更高功率等級的要求，IR(International Rectifier)公司研發(fā)出首款功率MOSFET，接下來的二十年，功率半導(dǎo)體器件進(jìn)入一個(gè)蓬勃發(fā)展的時(shí)期，很多新型的功率器件，比如IGBT、GTO、IPM相繼問世，并且在相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)得到越來越廣泛的應(yīng)用。功率硅器件的應(yīng)用已經(jīng)相當(dāng)成熟，但隨著日益增長的行業(yè)需求，硅器件由于其本身物理特性的限制，已經(jīng)開始不適用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應(yīng)用場合。