這種存儲(chǔ)器的主要優(yōu)點(diǎn)是：①存儲(chǔ)單元陣列和主要外圍邏輯電路制作在同一個(gè)硅芯片上，輸出和輸入電平可以做到同片外的電路兼容和匹配。這可使計(jì)算機(jī)的運(yùn)算和控制與存儲(chǔ)兩大部分之間的接口大為簡化；②數(shù)據(jù)的存入和讀取速度比磁性存儲(chǔ)器約快三個(gè)數(shù)量級(jí),可大大提高計(jì)算機(jī)運(yùn)算速度;③利用大容量半導(dǎo)體存儲(chǔ)器使存儲(chǔ)體的體積和成本大大縮小和下降。因此，在計(jì)算機(jī)高速存儲(chǔ)方面，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已全部替代了過去的磁性存儲(chǔ)器。用作大規(guī)模集成電路的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,是1970年前后開始生產(chǎn)的1千位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。隨著工藝技術(shù)的改進(jìn)，到1984年這類產(chǎn)品已達(dá)到每片1兆位的存儲(chǔ)容量。