Onsmei MMBFJ177LT1G P溝道JFET中文資料

一、型號與類型

Onsmei MMBFJ177LT1G是一款由安森美半導體（ON Semiconductor）生產的P溝道場效應晶體管（JFET），屬于結型場效應晶體管（Junction Field Effect Transistor）類別。該器件采用SOT-23封裝形式，具有緊湊的3引腳設計，非常適合空間受限的應用場景。MMBFJ177LT1G以其高性能和低功耗特性，在模擬開關、斬波器等應用中表現(xiàn)出色。

　　廠商名稱：Onsmei

　　元件分類：JFET

　　中文描述： 晶體管,JFET,JFET,30 V,-20 mA,2.5 V,SOT-23,3引腳,150°C

　　英文描述： P-Channel JFET Transistor,SOT-23(TO-236)3 LEAD,3000-REEL

　　數(shù)據(jù)手冊：http://syqqgy.com/data/k02-24000389-MMBFJ177LT1G.html

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　　MMBFJ177LT1G概述

　　MMBFJ177LT1G是一款P溝道JFET,設計用于模擬開關和斬波器應。低RDS(ON),高效率,并延長電池壽命。該器件采用表面封裝,可節(jié)省電路板空間。

　　-25V漏極-柵極電壓

　　25V柵極-源極電壓

　　應用

　　工業(yè),電源管理

　　MMBFJ177LT1G中文參數(shù)

　　制造商:onsemi

　　產品種類:JFET

　　技術:Si

　　安裝風格:SMD/SMT

　　封裝/箱體:SOT-23-3

　　晶體管極性:P-Channel

　　配置:Single

　　Vgs-柵源極擊穿電壓:30 V

　　Vgs=0時的漏-源電流:1.5 mA to 20 mA

　　MMBFJ177LT1G引腳圖

二、工作原理

JFET（結型場效應晶體管）的工作原理基于PN結的反向偏置特性。對于P溝道JFET，其工作原理簡述如下：

1. PN結反偏：在JFET中，柵極（G）與溝道之間形成了一個PN結。當在柵極和源極之間施加一個負電壓（VGS < 0）時，該PN結處于反向偏置狀態(tài)，導致柵極電流（iG）幾乎為零（iG ≈ 0），同時柵極輸入電阻非常高（可達10^7Ω以上）。

2. 溝道控制：隨著VGS的負向增加，柵極下方的耗盡層變寬，導致溝道變窄，溝道電阻增大。這種變化直接影響漏極電流（iD）的大小。當VGS足夠負時，溝道被耗盡層完全夾斷，此時漏極電流幾乎為零（iD ≈ 0）。這個使溝道夾斷的柵源電壓稱為夾斷電壓（VP）。

3. 漏源電壓影響：在漏極和源極之間施加正電壓（VDS > 0）時，漏極電流iD的大小不僅取決于VGS，還受到VDS的影響。隨著VDS的增加，漏端耗盡層所受的反偏電壓（VGD = VGS - VDS）增大，導致漏端耗盡層比源端寬，溝道呈楔形分布。當VDS增加到使VGD = VP時，漏端耗盡層在漏極附近靠攏，形成預夾斷狀態(tài)。此后，即使VDS繼續(xù)增加，iD也基本保持不變，因為夾斷區(qū)的高電阻使得VDS主要降落在該區(qū)域。

三、特點

1. 低RDS(ON)：MMBFJ177LT1G具有較低的漏源導通電阻（RDS(ON)），這有助于減少功率損耗，提高電路效率。

2. 高效率：由于其低RDS(ON)和優(yōu)異的電氣特性，MMBFJ177LT1G在應用中能夠實現(xiàn)高效率的電流控制。

3. 長電池壽命：在電池供電的應用中，低RDS(ON)和高效率有助于延長電池的使用壽命。

4. 緊湊封裝：SOT-23封裝形式使得MMBFJ177LT1G占用的電路板空間非常小，適合空間受限的電子設備。

5. 高輸入電阻：由于柵極與溝道間的PN結反向偏置，MMBFJ177LT1G的柵極輸入電阻非常高，適合作為電壓控制器件。

6. RoHS和REACH合規(guī)：該器件不含鉛、無鹵素，符合RoHS和REACH標準，滿足環(huán)保要求。

四、應用

MMBFJ177LT1G因其優(yōu)異的性能特點，廣泛應用于以下領域：

1. 模擬開關：在需要高精度和低功耗的模擬開關電路中，MMBFJ177LT1G能夠提供穩(wěn)定的電流控制，確保信號的準確傳輸。

2. 斬波器：在電源管理系統(tǒng)中，斬波器用于將直流電轉換為交流電或調整電壓。MMBFJ177LT1G的高效率和低RDS(ON)使其成為斬波器電路中的理想選擇。

3. 電源管理：在電池供電的便攜式設備中，電源管理系統(tǒng)需要精確控制電流和電壓以延長電池壽命。MMBFJ177LT1G的低功耗和高效率特性使其成為電源管理電路的重要組成部分。

4. 工業(yè)自動化：在工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中，MMBFJ177LT1G可用于各種傳感器和執(zhí)行器的電流控制，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。

五、參數(shù)

以下是MMBFJ177LT1G的主要技術參數(shù)：

• 額定電壓(DC): -25.0 V

• 額定電流: -20.0 mA

• 額定功率: 225 mW

• 擊穿電壓: 30.0 V

• 漏源極電阻: 300 Ω

• 極性: P-Channel

• 耗散功率（Pd）: 225 mW

• 漏源擊穿電壓（V(BR)DSS）: -30 V

• 柵源擊穿電壓（V(BR)GSS）: ±20 V

• 夾斷電壓（VP）: 典型值約為-2 V至-4 V（具體值可能因批次和溫度而異）

• 零柵壓漏極電流（IDSS）: 典型值較低，具體數(shù)值需參考數(shù)據(jù)手冊

• 跨導（gm）: 反映柵源電壓變化對漏極電流控制能力的參數(shù)，具體數(shù)值隨VGS和VDS變化

• 輸入電容（Ciss）: 包括柵源電容和柵漏電容，影響高頻性能

• 反向傳輸電容（Crss）: 柵漏之間的電容，影響開關速度和穩(wěn)定性

• 輸出電容（Coss）: 漏源之間的電容，影響電路的頻率響應

• 工作溫度范圍: 通常為-55°C至+125°C，具體取決于封裝和應用環(huán)境

• 封裝類型: SOT-23，這是一種小型表面貼裝封裝，適合高密度集成

• 引腳配置: 通常為G（柵極）、S（源極）、D（漏極）

六、性能曲線與溫度特性

為了更全面地了解MMBFJ177LT1G的性能，通常會提供一系列的性能曲線，包括漏極電流（ID）與柵源電壓（VGS）的關系曲線、漏極電流與漏源電壓（VDS）的關系曲線、跨導（gm）隨VGS變化的曲線等。這些曲線有助于設計者根據(jù)具體的應用需求選擇合適的操作點。

此外，溫度對JFET的性能有顯著影響。隨著溫度的升高，漏極電流IDSS可能會增加，夾斷電壓VP可能會向更負的方向偏移。因此，在設計電路時，需要考慮溫度對MMBFJ177LT1G性能的影響，并采取相應的措施來保持電路的穩(wěn)定性和可靠性。

七、使用注意事項

1. 靜電防護：在處理和安裝MMBFJ177LT1G時，應采取適當?shù)撵o電防護措施，以避免靜電放電（ESD）損壞器件。

2. 熱管理：在功率消耗較大的應用中，應注意器件的散熱問題，避免過熱導致性能下降或損壞。

3. 驅動電路設計：根據(jù)MMBFJ177LT1G的輸入特性和應用需求，合理設計驅動電路，確保柵極電壓的穩(wěn)定性和可靠性。

4. 電壓和電流限制：在使用過程中，應確保不超過器件的額定電壓和電流限制，以防止器件損壞。

5. 環(huán)境適應性：考慮應用環(huán)境對器件的影響，如溫度、濕度、振動等，選擇適當?shù)姆庋b和安裝方式。

八、總結

Onsmei MMBFJ177LT1G作為一款高性能的P溝道JFET，以其低RDS(ON)、高效率、緊湊封裝和優(yōu)異的電氣特性，在模擬開關、斬波器、電源管理以及工業(yè)自動化等領域有著廣泛的應用前景。通過深入了解其工作原理、特點、應用、參數(shù)以及使用注意事項，設計者可以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢，設計出更加高效、可靠的電路系統(tǒng)。