德州儀器SN74LS08N邏輯門芯片中文資料


德州儀器SN74LS08N邏輯門芯片中文資料
一、型號(hào)與類型
德州儀器(Texas Instruments,簡(jiǎn)稱TI)生產(chǎn)的SN74LS08N是一款經(jīng)典的邏輯門芯片,屬于74LS系列。該芯片具體型號(hào)為SN74LS08N,其中“SN”代表產(chǎn)品系列,“74”是TTL(晶體管-晶體管邏輯)系列的標(biāo)準(zhǔn)前綴,“LS”表示低功耗肖特基TTL技術(shù),而“08”則指示了芯片的具體功能——四路2輸入與門(Quad 2-Input AND Gate)。N后綴通常表示該芯片符合特定的封裝或溫度等級(jí)要求,但在此上下文中可能僅作為型號(hào)的一部分,不直接關(guān)聯(lián)到特定的封裝或溫度等級(jí)。
廠商名稱:TI德州儀器
元件分類:邏輯門
中文描述: 與門,74LS08,2輸入,8 mA,4.75 V至5.25 V,DIP-14
英文描述: Quad 2i/p AND gate,SN74LS08N DIP14
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SN74LS08N概述
SN74LS08N是一個(gè)四重2輸入正-AND門,采用LS技術(shù)和四個(gè)獨(dú)立的2輸入AND門。SN7408的特點(diǎn)是目錄操作。
TTL輸入和輸出
應(yīng)用
工業(yè)、通信與網(wǎng)絡(luò)
SN74LS08N中文參數(shù)
制造商: | Texas Instruments | 最小工作溫度: | 0 C |
產(chǎn)品種類: | 邏輯門 | 最大工作溫度: | + 70 C |
產(chǎn)品: | Single-Function Gate | 安裝風(fēng)格: | Through Hole |
邏輯功能: | AND | 封裝 / 箱體: | PDIP-14 |
邏輯系列: | LS | 商標(biāo): | Texas Instruments |
柵極數(shù)量: | 4 Gate | 功能: | Quad 2-Input. |
輸入線路數(shù)量: | 8 Input | 輸入類型: | TTL |
輸出線路數(shù)量: | 4 Output | 邏輯類型: | 2-Input AND |
高電平輸出電流: | - 400 uA | 位數(shù): | 4 bit |
低電平輸出電流: | 8 mA | 工作電源電流: | 21 uA |
傳播延遲時(shí)間: | 10 ns | 工作電源電壓: | 5 V |
電源電壓-最大: | 5.25 V | 工作溫度范圍: | 0 C to + 70 C |
電源電壓-最小: | 4.75 V | 輸出類型: | TTL |
SN74LS08N引腳圖
二、工作原理
SN74LS08N芯片內(nèi)部集成了四個(gè)獨(dú)立的2輸入與門電路。每個(gè)與門電路由兩個(gè)輸入端(A和B)和一個(gè)輸出端(Y)組成。與門的基本工作原理是:只有當(dāng)所有輸入端均為高電平時(shí),輸出端才會(huì)輸出高電平;如果任何一個(gè)輸入端為低電平,則輸出端輸出低電平。這種邏輯功能使得與門在數(shù)字電路設(shè)計(jì)中扮演著至關(guān)重要的角色,特別是在需要多個(gè)條件同時(shí)滿足才能執(zhí)行特定操作的場(chǎng)景中。
在SN74LS08N芯片中,每個(gè)與門電路由NPN型晶體管和其他元件組成。當(dāng)輸入A和B均為高電平時(shí),晶體管被激活,允許電流通過(guò),從而在輸出端Y產(chǎn)生高電平信號(hào)。反之,如果A或B中任何一個(gè)為低電平,晶體管將截止,阻止電流通過(guò),輸出端Y則保持低電平。這種基于晶體管開關(guān)特性的邏輯實(shí)現(xiàn)方式,使得SN74LS08N具有高速、低功耗和高噪聲免疫性的優(yōu)點(diǎn)。
三、特點(diǎn)
低功耗:采用LS技術(shù),相比其他TTL系列芯片,SN74LS08N在保持高性能的同時(shí),降低了功耗。
高噪聲免疫性:由于采用了特殊的電路設(shè)計(jì)和制造工藝,該芯片對(duì)外部噪聲具有較強(qiáng)的抵抗能力,提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
高速邏輯操作:芯片內(nèi)部的與門電路由肖特基晶體管設(shè)計(jì),減少了開關(guān)延遲,使得芯片能夠執(zhí)行高速邏輯運(yùn)算。
寬工作溫度范圍:SN74LS08N能在0°C至+70°C的溫度范圍內(nèi)正常工作,滿足大多數(shù)工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用的需求。
易于集成:該芯片采用標(biāo)準(zhǔn)的DIP-14封裝,便于與其他元件集成在PCB板上,降低了設(shè)計(jì)和制造的復(fù)雜度。
四、應(yīng)用
SN74LS08N邏輯門芯片在數(shù)字電路設(shè)計(jì)中有著廣泛的應(yīng)用。以下是一些典型的應(yīng)用場(chǎng)景:
計(jì)算機(jī)內(nèi)存讀寫控制電路:在計(jì)算機(jī)的內(nèi)存讀寫操作中,需要多個(gè)條件同時(shí)滿足才能執(zhí)行讀寫指令。SN74LS08N作為與門芯片,可以很好地滿足這一需求。
地址驅(qū)動(dòng)器電路:在數(shù)字系統(tǒng)中,地址信號(hào)需要通過(guò)驅(qū)動(dòng)器電路進(jìn)行放大和分配。SN74LS08N可以作為地址驅(qū)動(dòng)器電路的一部分,對(duì)地址信號(hào)進(jìn)行邏輯處理。
測(cè)量?jī)x器:在測(cè)量?jī)x器中,經(jīng)常需要處理各種邏輯信號(hào)。SN74LS08N作為通用的邏輯門芯片,可以方便地集成到測(cè)量?jī)x器中,實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的邏輯控制功能。
數(shù)字電子產(chǎn)品:包括各種數(shù)字電路板、控制器、傳感器等,都需要使用到邏輯門芯片。SN74LS08N憑借其高性能和低功耗的特點(diǎn),成為這些電子產(chǎn)品中不可或缺的一部分。
服務(wù)器和ALU(算術(shù)邏輯單元):在服務(wù)器和ALU中,需要處理大量的數(shù)據(jù)和指令。SN74LS08N作為與門芯片,可以在這些系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用,提高系統(tǒng)的整體性能和穩(wěn)定性。
五、參數(shù)
以下是SN74LS08N邏輯門芯片的主要參數(shù):
制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:邏輯門
邏輯功能:AND(與門)
邏輯系列:LS
柵極數(shù)量:4個(gè)(每個(gè)與門包含兩個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端)
輸入線路數(shù)量:8個(gè)(每個(gè)與門兩個(gè)輸入,共四個(gè)與門)
輸出線路數(shù)量:4個(gè)(每個(gè)與門一個(gè)輸出,共四個(gè)與門)
高電平輸出電流:-400μA(注意這里的負(fù)號(hào)表示在輸出高電平時(shí),芯片從外部吸收電流)
低電平輸出電流:8mA(在輸出低電平時(shí),芯片向外部提供電流)
傳播延遲時(shí)間:10ns(典型值,實(shí)際值可能因工藝和溫度等因素有所變化)
電源電壓:4.75V至5.25V(標(biāo)準(zhǔn)TTL電源電壓范圍)
功耗(典型值):在電源電壓為5V,所有輸入為高電平時(shí),總功耗約為40mW(具體值可能因封裝和測(cè)試條件而異)
靜態(tài)功耗(典型值):在沒(méi)有任何輸入信號(hào)變化的情況下,芯片消耗的電流非常小,通常在幾微安到幾十微安之間,這有助于延長(zhǎng)電池壽命或在低功耗應(yīng)用中減少熱量產(chǎn)生。
輸入電壓閾值:對(duì)于TTL邏輯,通常認(rèn)為高電平輸入應(yīng)大于2.0V(Vcc的約40%),而低電平輸入應(yīng)小于0.8V(Vcc的約16%)。SN74LS08N遵循這一標(biāo)準(zhǔn),但具體閾值可能略有不同,請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)中的詳細(xì)規(guī)格。
輸出電壓范圍:在輸出高電平時(shí),輸出電壓應(yīng)接近電源電壓Vcc(但通常略低一些,如4.8V至5.0V,具體取決于負(fù)載和電源電壓);在輸出低電平時(shí),輸出電壓應(yīng)盡可能低,通常小于0.4V(但也可能受到電源電壓和負(fù)載的影響)。
噪聲容限:SN74LS08N具有一定的噪聲容限,這意味著它可以在輸入信號(hào)受到一定程度噪聲干擾的情況下正確工作。噪聲容限的大小取決于具體的設(shè)計(jì)和制造工藝,但一般來(lái)說(shuō),TTL電路的噪聲容限相對(duì)較好。
封裝類型:常見(jiàn)的封裝類型是DIP-14(雙列直插式封裝),這是一種標(biāo)準(zhǔn)的TTL芯片封裝,便于焊接到印刷電路板(PCB)上。此外,還可能提供其他封裝選項(xiàng),如SOP(小外形封裝)等,具體取決于制造商和市場(chǎng)需求。
工作溫度范圍:如前所述,SN74LS08N的工作溫度范圍通常為0°C至+70°C。然而,有些版本的芯片可能具有更寬的工作溫度范圍,如擴(kuò)展工業(yè)級(jí)溫度范圍(-40°C至+85°C),以滿足更苛刻的環(huán)境條件。
存儲(chǔ)溫度范圍:通常比工作溫度范圍更寬,以允許芯片在運(yùn)輸和存儲(chǔ)過(guò)程中承受極端溫度條件。
電磁兼容性(EMC)和靜電放電(ESD)保護(hù):現(xiàn)代TTL芯片通常包含內(nèi)置的EMC和ESD保護(hù)措施,以防止外部電磁干擾和靜電放電對(duì)芯片造成損害。然而,具體的保護(hù)水平取決于制造商的設(shè)計(jì)和制造工藝。
六、注意事項(xiàng)
電源電壓:確保電源電壓在規(guī)定的范圍內(nèi),過(guò)高或過(guò)低的電壓都可能損壞芯片。
輸入信號(hào):避免在輸入端施加超出規(guī)定范圍的電壓,以防止損壞芯片。同時(shí),注意輸入信號(hào)的上升和下降時(shí)間應(yīng)符合數(shù)據(jù)手冊(cè)中的要求。
負(fù)載條件:在設(shè)計(jì)電路時(shí),要考慮輸出端的負(fù)載條件。過(guò)大的負(fù)載電流可能導(dǎo)致輸出電壓下降或芯片過(guò)熱。
散熱:在高負(fù)載或高溫環(huán)境下,可能需要采取額外的散熱措施以確保芯片正常工作。
電磁兼容性:在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí),要考慮電磁兼容性問(wèn)題,以避免外部電磁干擾對(duì)芯片性能的影響。
綜上所述,SN74LS08N是一款功能強(qiáng)大、性能穩(wěn)定的TTL邏輯門芯片,廣泛應(yīng)用于各種數(shù)字電路設(shè)計(jì)中。通過(guò)了解其工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用和參數(shù)等信息,可以更好地利用這款芯片來(lái)設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)各種復(fù)雜的數(shù)字系統(tǒng)。
責(zé)任編輯:David
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