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安森美MC1413BDR2G達(dá)林頓管中文資料

來(lái)源:
2024-07-30
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
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文章創(chuàng)建人 拍明芯城

安森美MC1413BDR2G達(dá)林頓管中文資料

一、型號(hào)與類型

MC1413BDR2G是安森美(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款高電壓、大電流達(dá)林頓晶體管陣列。該型號(hào)屬于NPN型達(dá)林頓管,集成了七個(gè)NPN達(dá)林頓連接晶體管,采用SOIC-16封裝形式,表面貼裝,適合用于各種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)需求。

MC1413BDR2G圖片

  廠商名稱:ON安森美

  元件分類:達(dá)林頓管

  中文描述: 達(dá)林頓管,NPN,最大連續(xù)集電極電流500 mA,SOIC封裝,表面貼裝,16引腳,每片7芯片,Vce=50 V

  英文描述: Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SOIC T/R

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  MC1413BDR2G概述

  MC1413BDR2G是NPN大電流達(dá)林頓雙極晶體管陣列,適用于驅(qū)動(dòng)各種工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用中的燈,繼電器或打印機(jī)錘。它具有高擊穿電壓,內(nèi)部抑制二極管可確保避免與感性負(fù)載相關(guān)的問題。峰值浪涌電流達(dá)到500mA,可以驅(qū)動(dòng)白熾燈。帶有2.7kR串聯(lián)輸入電阻的器件非常適合使用5V TTL或CMOS邏輯的系統(tǒng)。

  高壓-40至85°C工作環(huán)境溫度范圍

  應(yīng)用

  照明,電源管理,消費(fèi)電子產(chǎn)品,工業(yè)

  MC1413BDR2G中文參數(shù)

晶體管類型

NPN

每片芯片元件數(shù)目

7

最大連續(xù)集電極電流

500 mA

最小直流電流增益

1000

最大集電極-發(fā)射極電壓

50 V

最大集電極-發(fā)射極飽和電壓

1.6 V

最大發(fā)射極-基極電壓

5 V

長(zhǎng)度

10mm

封裝類型

SOIC

最高工作溫度

+85 °C

安裝類型

表面貼裝

尺寸

10 x 4 x 1.5mm

引腳數(shù)目

16

寬度

4mm

晶體管配置

共發(fā)射極

高度

1.5mm



最低工作溫度

-40 °C

  MC1413BDR2G引腳圖

image.png

二、工作原理

達(dá)林頓管,又稱為復(fù)合管,是由兩個(gè)或多個(gè)雙極型晶體管(BJT)按照特定方式連接而成的電路結(jié)構(gòu)。在MC1413BDR2G中,它采用了七個(gè)NPN型達(dá)林頓連接晶體管。這種結(jié)構(gòu)通過將第一個(gè)晶體管的發(fā)射極連接到第二個(gè)晶體管的基極,實(shí)現(xiàn)了電流的逐級(jí)放大。具體來(lái)說,當(dāng)在第一個(gè)晶體管的基極施加一個(gè)小的基極電流時(shí),該晶體管導(dǎo)通,其集電極電流成為第二個(gè)晶體管的基極電流,進(jìn)而使第二個(gè)晶體管也導(dǎo)通。如此類推,最終輸出電流是多個(gè)晶體管電流放大倍數(shù)的乘積,實(shí)現(xiàn)了高倍數(shù)的電流放大。

達(dá)林頓管的工作原理基于雙極型晶體管的放大特性,其特點(diǎn)在于高電流增益和較大的飽和壓降。由于內(nèi)部集成了多個(gè)晶體管,MC1413BDR2G能夠在較小的基極電流驅(qū)動(dòng)下,輸出較大的集電極電流,非常適合用于驅(qū)動(dòng)高電流負(fù)載如燈、繼電器、打印機(jī)錘等。

三、特點(diǎn)

  1. 高電流增益:MC1413BDR2G具有極高的電流增益,最小值可達(dá)1000,這意味著在較小的基極電流驅(qū)動(dòng)下,能夠輸出較大的集電極電流。

  2. 大電流驅(qū)動(dòng)能力:最大連續(xù)集電極電流可達(dá)500mA,峰值浪涌電流也能達(dá)到這一水平,適合驅(qū)動(dòng)各種高電流負(fù)載。

  3. 高擊穿電壓:最大集電極-發(fā)射極電壓可達(dá)50V,保證了在高電壓環(huán)境下的穩(wěn)定工作。

  4. 內(nèi)部抑制二極管:集成了內(nèi)部抑制二極管,可以有效避免與感性負(fù)載(如繼電器、電機(jī)等)相關(guān)的反向電壓?jiǎn)栴},提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

  5. 寬工作溫度范圍:工作溫度范圍從-40°C到+85°C,適用于各種環(huán)境條件下的應(yīng)用。

  6. 表面貼裝封裝:采用SOIC-16封裝形式,便于自動(dòng)化生產(chǎn)和安裝,節(jié)省空間。

四、應(yīng)用

MC1413BDR2G因其高電流增益和大電流驅(qū)動(dòng)能力,廣泛應(yīng)用于各種需要驅(qū)動(dòng)高電流負(fù)載的場(chǎng)合,包括但不限于:

  1. 照明系統(tǒng):用于驅(qū)動(dòng)LED燈、白熾燈等照明設(shè)備,實(shí)現(xiàn)燈光控制。

  2. 電源管理系統(tǒng):在電源管理電路中,用于控制電源的開關(guān)和電流分配。

  3. 消費(fèi)電子產(chǎn)品:如打印機(jī)、復(fù)印機(jī)中的打印字錘驅(qū)動(dòng),以及各類家用電器中的電機(jī)控制等。

  4. 工業(yè)控制系統(tǒng):在工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中,用于驅(qū)動(dòng)繼電器、電機(jī)等執(zhí)行元件,實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的控制邏輯。

  5. 汽車電子:在汽車電子系統(tǒng)中,用于驅(qū)動(dòng)車燈、雨刷電機(jī)等部件。

五、參數(shù)

以下是MC1413BDR2G的主要參數(shù):

  • 晶體管類型:NPN

  • 每片芯片元件數(shù)目:7

  • 最大連續(xù)集電極電流(Ic):500mA

  • 最小直流電流增益(hFE):1000(@ 350mA, 2V)

  • 最大集電極-發(fā)射極電壓(Vce):50V

  • 最大集電極-發(fā)射極飽和電壓(Vcesat):1.6V(@ 500μA, 350mA)

  • 最大發(fā)射極-基極電壓(Veb):5V

  • 長(zhǎng)度:10mm

  • 封裝類型:SOIC-16

  • 最高工作溫度:+85°C

  • 最低工作溫度:-40°C

  • 安裝類型:表面貼裝

  • 尺寸:10 x 4 x 1.5mm

  • 引腳數(shù)目:16

  • 晶體管配置:共發(fā)射極

  • 輸入電阻:MC1413BDR2G帶有2.7kΩ的串聯(lián)輸入電阻,這一特性使得它非常適合與5V TTL或CMOS邏輯系統(tǒng)配合使用,無(wú)需額外的電平轉(zhuǎn)換電路。

  • 功耗:在實(shí)際應(yīng)用中,MC1413BDR2G的功耗取決于其工作時(shí)的集電極-發(fā)射極電壓(Vce)和集電極電流(Ic)。功耗(Pd)的計(jì)算公式為Pd = Vce × Ic。由于MC1413BDR2G的最大Vce為50V,最大Ic為500mA,因此其最大功耗理論值可達(dá)25W(但在實(shí)際應(yīng)用中通常不會(huì)達(dá)到此值)。設(shè)計(jì)時(shí)需根據(jù)具體負(fù)載和系統(tǒng)要求,合理控制Vce和Ic,以避免過熱損壞。

  • 開關(guān)速度:雖然達(dá)林頓管在電流放大方面表現(xiàn)出色,但其開關(guān)速度相對(duì)較慢。這是由于內(nèi)部多個(gè)晶體管的串聯(lián)連接導(dǎo)致的。因此,在需要快速開關(guān)的場(chǎng)合,可能需要考慮其他類型的開關(guān)元件。

六、應(yīng)用注意事項(xiàng)

  1. 負(fù)載匹配:在選擇使用MC1413BDR2G時(shí),需要確保負(fù)載的電氣特性(如電壓、電流、功率等)與器件的規(guī)格參數(shù)相匹配,以避免過載或損壞。

  2. 保護(hù)電路:雖然MC1413BDR2G內(nèi)部集成了抑制二極管,可以在一定程度上保護(hù)電路免受感性負(fù)載的反向電壓沖擊,但在某些復(fù)雜或高要求的應(yīng)用中,可能還需要額外添加保護(hù)電路(如續(xù)流二極管、RC濾波器等)以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

  3. 散熱設(shè)計(jì):在高電流或高功耗的應(yīng)用中,MC1413BDR2G可能會(huì)產(chǎn)生較多的熱量。因此,在設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮散熱問題,確保器件的工作溫度不超過其最大允許值??梢酝ㄟ^增加散熱片、優(yōu)化PCB布局或使用風(fēng)扇等方式來(lái)提高散熱效果。

  4. 防靜電措施:在處理和安裝MC1413BDR2G時(shí),需要采取防靜電措施,如佩戴防靜電手環(huán)、使用防靜電包裝等,以避免靜電對(duì)器件造成損害。

七、總結(jié)與展望

MC1413BDR2G作為一款高電壓、大電流達(dá)林頓晶體管陣列,憑借其出色的電流放大能力和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景,在電子行業(yè)中占據(jù)了重要地位。隨著科技的不斷進(jìn)步和應(yīng)用需求的不斷增加,MC1413BDR2G及其同類產(chǎn)品將繼續(xù)在照明、電源管理、消費(fèi)電子、工業(yè)控制及汽車電子等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。未來(lái),隨著新材料、新工藝和新技術(shù)的不斷涌現(xiàn),MC1413BDR2G的性能和可靠性將得到進(jìn)一步提升,為電子行業(yè)的發(fā)展注入新的活力。

需要注意的是,本文所提供的信息均基于當(dāng)前可獲得的資料和數(shù)據(jù),并可能隨著產(chǎn)品更新和技術(shù)進(jìn)步而發(fā)生變化。因此,在實(shí)際應(yīng)用中,建議查閱最新的產(chǎn)品手冊(cè)和數(shù)據(jù)表以獲取最準(zhǔn)確的信息。

責(zé)任編輯:David

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