Winbond W9825G6KH-6 DDR存儲器中文資料

一、概述

Winbond W9825G6KH-6是一款由華邦電子（Winbond）生產(chǎn)的高速同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM），專為高性能計算應(yīng)用設(shè)計。該存儲器以其高速度、大容量和低功耗特性，在消費(fèi)電子、工業(yè)控制、服務(wù)器及網(wǎng)絡(luò)通信等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將從型號類型、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用以及詳細(xì)參數(shù)等方面，對W9825G6KH-6進(jìn)行詳細(xì)介紹。

廠商名稱：Winbond

元件分類：DDR存儲器

中文描述： Winbond 256Mbit 166MHz SDRAM，32M x 8 bit，54引腳TSOP封裝

英文描述： DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

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W9825G6KH-6概述

W9825G6KH是256M SDRAM，速度為-5/-5I/-6/-6I/-6J/-6L/-6A/-6K/-75/75J/75L。

3.3V±0.3V電源，

最高200 MHz時鐘頻率

4，194，304字x 4組x 16位組織

自我刷新模式：標(biāo)準(zhǔn)和低功耗

CAS延遲：2和3

突發(fā)長度：1、2、4、8和整頁

突發(fā)

LDQM，UDQM

掉電模式

自動預(yù)充電和受控預(yù)充電控制的讀，單寫模式字節(jié)數(shù)據(jù)

8K刷新周期/64 mS， -40°C≦TA/TCASE≦85°C

8K刷新周期/16 mS， 85°C<TA/TCASE≦105°C

接口：LVTTL

不支持TA/TCASE>85°C的自刷新功能

W9825G6KH-6中文參數(shù)

二、型號與類型

型號：W9825G6KH-6

類型：DDR（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）中的SDRAM（同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）

W9825G6KH-6屬于Winbond的DDR SDRAM系列，是專為滿足高速數(shù)據(jù)處理需求而設(shè)計的。DDR SDRAM相比傳統(tǒng)的SDR（單倍數(shù)據(jù)速率）SDRAM，具有更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和更低的功耗，是現(xiàn)代計算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的重要組件。

三、工作原理

W9825G6KH-6的工作原理基于DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）的基本架構(gòu)，但采用了同步接口，即其數(shù)據(jù)傳輸速率與系統(tǒng)的時鐘頻率同步。這種同步設(shè)計使得數(shù)據(jù)可以在每個時鐘周期的上升沿或下降沿進(jìn)行傳輸，從而實(shí)現(xiàn)了雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）。

基本操作流程：

1. 行激活（Row Activation）：通過發(fā)送ACTIVE命令，選擇一個存儲體內(nèi)的特定行進(jìn)行激活。激活后，該行內(nèi)的數(shù)據(jù)被加載到行緩沖區(qū)中，準(zhǔn)備進(jìn)行讀寫操作。

2. 列訪問（Column Access）：在行激活后，通過發(fā)送READ或WRITE命令以及列地址，訪問該行內(nèi)的特定數(shù)據(jù)。對于DDR SDRAM，數(shù)據(jù)訪問是面向突發(fā)的，即可以連續(xù)讀取或?qū)懭攵鄠€數(shù)據(jù)字。

3. 預(yù)充電（Precharge）：在訪問完一個行后，需要發(fā)送PRECHARGE命令來關(guān)閉該行，以便其他行可以被激活。預(yù)充電操作是DRAM中必要的步驟，用于恢復(fù)存儲單元的狀態(tài)。

4. 刷新（Refresh）：由于DRAM的存儲單元是電容性的，其存儲的數(shù)據(jù)會隨時間逐漸消失。因此，需要定期進(jìn)行刷新操作，以補(bǔ)充電容中的電荷，保持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性。W9825G6KH-6支持標(biāo)準(zhǔn)和低功耗兩種自刷新模式。

四、特點(diǎn)

1. 高速性能：W9825G6KH-6提供高達(dá)200MHz的時鐘頻率，數(shù)據(jù)帶寬可達(dá)每秒200M字，能夠滿足高性能應(yīng)用的需求。

2. 大容量：存儲容量為256Mb（即32MB，16M x 16），適合需要大量數(shù)據(jù)緩存的應(yīng)用場景。

3. 低功耗：支持低功耗自刷新模式，有助于延長設(shè)備的電池壽命。

4. 靈活的突發(fā)訪問：支持多種突發(fā)長度（1、2、4、8和整頁），可以根據(jù)應(yīng)用需求進(jìn)行優(yōu)化，提高數(shù)據(jù)傳輸效率。

5. 先進(jìn)的封裝技術(shù)：采用TSOP II 54引腳封裝，尺寸小巧，便于在緊湊的電子設(shè)備中集成。同時，封裝材料符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，為環(huán)保貢獻(xiàn)一份力量。

6. 寬溫度范圍：支持在-40°C至+85°C的溫度范圍內(nèi)正常工作，滿足各種環(huán)境下的應(yīng)用需求。

五、應(yīng)用

W9825G6KH-6因其高性能、大容量和低功耗等特點(diǎn)，在多個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用：

1. 消費(fèi)電子：如智能手機(jī)、平板電腦、智能電視等，用于存儲和處理多媒體數(shù)據(jù)。

2. 工業(yè)控制：在工業(yè)自動化系統(tǒng)中，作為主存儲器或緩存，用于存儲和處理實(shí)時數(shù)據(jù)。

3. 服務(wù)器及網(wǎng)絡(luò)通信：在數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備中，用于提高數(shù)據(jù)處理速度和吞吐量。

4. 嵌入式系統(tǒng)：在車載電子、醫(yī)療設(shè)備、航空航天等嵌入式應(yīng)用中，作為關(guān)鍵的數(shù)據(jù)存儲和處理組件。

六、詳細(xì)參數(shù)

基本參數(shù)：

• 存儲容量：256Mb（32MB, 16M x 16）

• 接口類型：Parallel

• 工作電壓：3.3V ± 0.3V（最高可達(dá)3.6V）

• 封裝類型：TSOP II 54引腳

• 尺寸：22.35 x 10.29 x 1.05mm

• 引腳數(shù)目：54

• 溫度范圍：-40°C至+85°C（部分規(guī)格支持更高溫度）

性能參數(shù)：

• 時鐘頻率：支持高達(dá)200MHz的操作頻率，根據(jù)具體應(yīng)用和系統(tǒng)配置，實(shí)際頻率可能有所調(diào)整。

• 數(shù)據(jù)傳輸速率：在200MHz頻率下，數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)每秒400MT/s（每秒兆次傳輸），即每秒可傳輸400百萬次數(shù)據(jù)。由于DDR技術(shù)的特性，實(shí)際數(shù)據(jù)傳輸量是時鐘頻率的兩倍。

• 突發(fā)長度：支持可編程的突發(fā)長度，包括1、2、4、8和Full Page（全頁）突發(fā)模式。突發(fā)長度的選擇可以根據(jù)應(yīng)用需求進(jìn)行優(yōu)化，以提高數(shù)據(jù)傳輸效率。

• CAS延遲（CL）：CAS（Column Address Strobe，列地址選通）延遲是訪問DRAM中一列數(shù)據(jù)所需的時間。W9825G6KH-6的CAS延遲通常為幾個時鐘周期，具體值取決于系統(tǒng)設(shè)計和制造商的規(guī)格說明。

• RAS到CAS延遲（tRCD）：從行激活命令（RAS）到列訪問命令（CAS）之間的最小延遲時間。這個參數(shù)也影響了DRAM的訪問速度。

• RAS預(yù)充電時間（tRP）：從行激活到該行可以被預(yù)充電并重新激活所需的時間。較短的tRP有助于提高DRAM的帶寬和效率。

• 刷新周期：DRAM需要定期刷新以保持存儲的數(shù)據(jù)不丟失。W9825G6KH-6支持自動刷新功能，并規(guī)定了刷新周期的時間間隔，通常為幾百微秒到幾毫秒不等。

• 功耗：在正常工作模式下，W9825G6KH-6的功耗相對較低，并且支持低功耗自刷新模式，進(jìn)一步降低了功耗。具體功耗值取決于操作頻率、負(fù)載條件和環(huán)境溫度等因素。

兼容性：

• 兼容標(biāo)準(zhǔn)：W9825G6KH-6符合JEDEC（電子工程聯(lián)合委員會）制定的DDR SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，確保與大多數(shù)現(xiàn)代計算機(jī)系統(tǒng)和電子設(shè)備的兼容性。

• 軟件支持：由于其標(biāo)準(zhǔn)的DDR接口，W9825G6KH-6可以很容易地被現(xiàn)有的操作系統(tǒng)和驅(qū)動程序支持，無需特殊的硬件或軟件適配。

可靠性和耐用性：

• 數(shù)據(jù)保持時間：在斷電后，DRAM中的數(shù)據(jù)會迅速丟失，但W9825G6KH-6的電容設(shè)計保證了在正常工作條件下數(shù)據(jù)可以在一定時間內(nèi)保持穩(wěn)定。

• 耐久性：盡管DRAM的讀寫操作是無限次的（理論上），但頻繁的刷新和電路老化可能會對器件的壽命產(chǎn)生影響。因此，合理的系統(tǒng)設(shè)計和定期的維護(hù)對于確保DRAM的長期可靠性至關(guān)重要。

總結(jié)：

Winbond W9825G6KH-6 DDR存儲器以其高速性能、大容量、低功耗和廣泛的兼容性，在多個領(lǐng)域展現(xiàn)了強(qiáng)大的應(yīng)用潛力。從消費(fèi)電子到工業(yè)控制，從服務(wù)器到嵌入式系統(tǒng)，這款存儲器都是提升系統(tǒng)性能和數(shù)據(jù)處理能力的理想選擇。通過深入了解其工作原理、特點(diǎn)和詳細(xì)參數(shù)，我們可以更好地將其應(yīng)用于實(shí)際項目中，為各類電子設(shè)備帶來更加出色的性能和用戶體驗(yàn)。