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WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH中文資料

來源:
2024-06-06
類別:基礎(chǔ)知識
eye 7
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH是一種常見的閃存存儲設(shè)備,具有廣泛的應(yīng)用。本文將對該型號的類型、工作原理、特點、應(yīng)用以及參數(shù)進行詳細(xì)介紹,以幫助讀者更好地了解這一設(shè)備。

W25N01GVZEIG圖片

中文描述: NAND閃存1G-bit Serial NAND flash,3V

英文描述: 1Gb Serial NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size and set Buffer Read Mode as default

W25N01GVZEIG中文參數(shù)

制造商:Winbond電源電壓-最小:2.7 V
產(chǎn)品種類:NAND閃存電源電壓-最大:3.6 V
安裝風(fēng)格:SMD/SMT電源電流—最大值:35 mA
封裝 / 箱體:WSON-8最小工作溫度:- 40 ℃
系列:W25N01GV最大工作溫度:+ 85 ℃
存儲容量:1 Gbit有源讀取電流(最大值):35 mA
接口類型:SPI商標(biāo):Winbond
組織:128 M x 8最大時鐘頻率:104 MHz
定時類型:Asynchronous濕度敏感性:Yes
數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit產(chǎn)品類型:NAND Flash

W25N01GVZEIG概述

W25N01GV(1G位)串行SLC NAND閃存為空間、引腳和功耗有限的系統(tǒng)提供了存儲解決方案。W25N SpiFlash系列采用流行的SPI接口和傳統(tǒng)的大容量NAND非易失性存儲器空間。它們非常適合將代碼影射到RAM,直接從雙/四SPI(XIP)執(zhí)行代碼,以及存儲語音、文本和數(shù)據(jù)。該器件采用2.7V至3.6V單電源供電,工作電流低至25mA,待機電流為10μA。

W25N SpiFlash系列的所有器件都采用節(jié)省空間的封裝,這在過去是典型的NAND閃存無法做到的。W25N01GV 1G位存儲器陣列分為65,536個可編程頁面,每個頁面2,048字節(jié)??梢允褂?,048字節(jié)內(nèi)部緩沖器中的數(shù)據(jù)一次性對整個頁面進行編程。頁面可以64個為一組進行擦除(128KB塊擦除)。W25N01GV有1,024個可擦除塊。

W25N01GV支持標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口(SPI)、雙/四輸入/輸出SPI:串行時鐘、芯片選擇、串行數(shù)據(jù)I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2(/WP)和I/O3(/HOLD)。W25N01GV支持高達104MHz的SPI時鐘頻率,使用快速讀取雙通道/四通道I/O指令時,雙通道I/O的等效時鐘頻率為208MHz(104MHz x 2),四通道I/O的等效時鐘頻率為416MHz(104MHz x 4)。

W25N01GV提供全新的連續(xù)讀取模式,只需一條讀取指令即可高效訪問整個存儲器陣列。保持引腳、寫保護引腳和可編程寫保護提供了進一步的控制靈活性。此外,該器件還支持JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的制造商和器件ID、一個2048字節(jié)的唯一ID頁、一個2048字節(jié)的參數(shù)頁和十個2048字節(jié)的OTP頁。為了提供更好的NAND閃存可管理性,W25N01GV還提供了用戶可配置的內(nèi)部ECC和壞塊管理功能。

W25N01GVZEIG TR規(guī)格參數(shù)

參數(shù)名稱屬性值
廠商名稱Winbond(華邦電子)
產(chǎn)品種類NAND閃存
安裝風(fēng)格SMD/SMT
封裝 / 箱體WSON-8
系列W25N01GV
存儲容量1 Gbit
接口類型SPI
組織128 M x 8
數(shù)據(jù)總線寬度8 bit
電源電壓-最小2.7 V
電源電壓-最大3.6 V
電源電流—最大值35 mA
最小工作溫度- 40 C
最大工作溫度+ 85 C
封裝Cut Tape
封裝Reel
最大時鐘頻率104 MHz
工廠包裝數(shù)量4000

1. 型號類型

WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH是一種NAND閃存型號,具體型號標(biāo)識為W25N01GVZEIG。它是一種非易失性存儲器,可用于存儲數(shù)據(jù)和程序代碼。

2. 工作原理

NAND閃存通過存儲電荷在浮動?xùn)胖衼泶鎯?shù)據(jù)。其工作原理基于在晶體管浮動?xùn)胖g的電子堆積。當(dāng)電子被注入浮動?xùn)艜r,它們改變了柵與源/漏之間的閾值電壓,從而表示1或0的邏輯狀態(tài)。

寫入數(shù)據(jù)時,通過在浮動?xùn)胖凶⑷腚娮踊蛘咔宄娮觼砀淖兇鎯卧臓顟B(tài)。讀取數(shù)據(jù)時,浮動?xùn)诺碾姾杀粰z測,以確定存儲單元的狀態(tài)。這種基于電荷積累的機制使得NAND閃存具有快速的寫入和擦除速度。

3. 特點

  • 高速寫入和擦除:NAND閃存具有快速的寫入和擦除速度,使其適用于需要頻繁數(shù)據(jù)更新的應(yīng)用。

  • 高密度存儲:NAND閃存可以實現(xiàn)高密度的存儲,使其在存儲容量要求較高的應(yīng)用中得到廣泛應(yīng)用。

  • 低功耗:相比于傳統(tǒng)的機械硬盤,NAND閃存具有較低的功耗,有助于延長電池壽命。

  • 良好的耐久性:NAND閃存具有較長的使用壽命和良好的耐久性,可滿足長期數(shù)據(jù)存儲的需求。

4. 應(yīng)用

WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH在各種領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用,包括但不限于:

  • 嵌入式系統(tǒng):用于存儲固件、操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序代碼。

  • 移動設(shè)備:用于存儲手機、平板電腦和便攜式音頻/視頻設(shè)備的數(shù)據(jù)。

  • 汽車電子:用于存儲汽車信息娛樂系統(tǒng)、導(dǎo)航系統(tǒng)和車輛控制單元的數(shù)據(jù)。

  • 工業(yè)控制:用于存儲傳感器數(shù)據(jù)、控制參數(shù)和日志記錄。

5. 參數(shù)

  • 存儲容量:1Gb(Gigabit)

  • 工作電壓:2.7V至3.6V

  • 工作溫度范圍:-40°C至85°C

  • 封裝類型:8引腳SON(Small Outline No lead)

  • 接口類型:SPI(Serial Peripheral Interface)

以上是WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH的一些基本參數(shù),這些參數(shù)可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求進行調(diào)整和配置。

通過本文的介紹,讀者可以更深入地了解WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH的型號類型、工作原理、特點、應(yīng)用和參數(shù),從而更好地應(yīng)用于實際項目中。


責(zé)任編輯:David

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標(biāo)簽: WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH

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