超級結(jié)MOS(Super Junction MOSFET)在微型儲能、家用電器、汽車電子和工業(yè)控制等應(yīng)用廣泛，但什么樣標準的超級結(jié)MOS能夠為應(yīng)用場景有效保駕護航，超級結(jié)MOS的選型要求及標準主要包括以下幾個方面：

電流和電壓額定值

電壓額定值(VDS)：

MOSFET的漏源電壓必須高于電路中的最大工作電壓。常見電壓等級如600V、650V、700V等應(yīng)根據(jù)具體應(yīng)用的工作電壓來選擇。例如，對于微型儲能、家用電器設(shè)備，650V的MOSFET通常是合適的選擇。

電流額定值(ID)：

需要根據(jù)應(yīng)用中的最大負載電流來確定MOSFET的額定電流，確保其能夠在最大負載下安全運行。對于微型儲能、家用電器，高電流額定值通常能更好地滿足大功率需求。

導通電阻(Rds(on))

低導通電阻：

低導通電阻能夠減少導通損耗，提高效率。需要在特定的柵極電壓和漏極電流條件下選擇具有盡可能低的RDS(on)的MOSFET。例如，時科的SKJ40N65-T7在VGS=10V、ID=20A時的RDS(on)不超過99mΩ，是一個低導通電阻的優(yōu)秀選擇

開關(guān)性能

開關(guān)速度：

需要選擇具有快速開關(guān)速度的MOSFET，以適應(yīng)高頻應(yīng)用。超結(jié)eiMOS通常具有較短的上升時間、下降時間和開關(guān)延遲時間，適合高頻操作。

柵極電荷(Qg)：

低柵極電荷能夠降低驅(qū)動損耗，提升整體效率。

熱管理

熱阻(RθJA, RθJC)：

MOSFET的熱阻參數(shù)決定其散熱能力，低熱阻能更好地將熱量傳導出去，防止過熱。

封裝類型：

選擇合適的封裝類型(如TO-220、D2PAK、TO-247等)以滿足散熱和空間要求。例如，SKJ40N65-T7采用TO-247-3封裝，具有良好的散熱性能。

安全裕度

雪崩能量(EAS)：

確保MOSFET具有足夠的雪崩能量能力，以應(yīng)對意外的過電壓情況。

SOA(安全工作區(qū))：

需要在各種工作條件下都能安全運行。

其他關(guān)鍵參數(shù)

其他關(guān)鍵參數(shù)：

輸入電容(Ciss)、輸出電容(Coss)和反向恢復時間(trr)：這些參數(shù)影響MOSFET的動態(tài)性能，選擇時需要綜合考慮電路的具體要求。超高速體二極管的反向恢復時間快，可以提高整體效率。

超結(jié)MOS的選型需要綜合考慮電壓和電流額定值、導通電阻、開關(guān)速度、熱管理、安全裕度、寄生參數(shù)以及應(yīng)用的具體需求，選擇合適的產(chǎn)品以確保最佳性能和可靠性。通過對上述的認知了解，我們對超級結(jié)MOS選型有了標準，那時科又有怎樣的超級結(jié)MOS能夠 安全、低功耗、高性能的為應(yīng)用場景服務(wù)。

SKJ40N65-T7 超級結(jié)MOSFET 主要特性

漏源電壓(VDS): 650V

連續(xù)漏極電流(ID): 40A

封裝類型: TO-247-3

閾值電壓(VGS(th): 2~4V

導通電阻(RDS(on)): 在VGS=10V、ID=20A的條件下不超過99mΩ

超高速體二極管: 反向恢復時間更快，提高工作效率

技術(shù)優(yōu)勢

低導通電阻: 超級結(jié)構(gòu)技術(shù)專門用于最小化導通狀態(tài)電阻，在高電壓下也能保持低導通電阻，有效減少開關(guān)損耗。

高開關(guān)性能: 優(yōu)秀的開關(guān)性能使其能夠在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色，減少開關(guān)損耗，提高整體效率。

高能量耐受: 在雪崩和換相模式下能夠承受高能量脈沖，提高器件的可靠性。

超高速體二極管: 反向恢復時間快，進一步提高工作效率，特別適合高頻開關(guān)電路。

典型應(yīng)用

01：家用電器

高效率電源管理：低導通電阻和高開關(guān)速度減少熱量生成，提高整體系統(tǒng)效率。

EMI性能良好：低噪聲開關(guān)特性有助于減少電磁干擾，適應(yīng)高標準的顯示設(shè)備要求。

02：微型儲能

高效率和低待機功耗：低RDS(on)和低Qg特性提高充電器效率，減少能耗。

封裝和散熱能力：TO-247-3封裝具有良好的散熱性能，適用于高頻、高功率輸出的產(chǎn)品領(lǐng)域。

03：工業(yè)電源

高耐壓低阻抗：高耐壓和低導通電阻的特性使其能夠在電力供應(yīng)應(yīng)用中穩(wěn)定運行，提供可靠的電力傳輸。