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PANJIT PTGH高速650V場停止壕igbt的介紹、特性、及應(yīng)用
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PANJIT PTGH高速650V場停止溝槽igbt在T(VJ) +25°C時具有1.65V的低飽和電壓，具有卓越的高速開關(guān)能力。PANJIT PTGH igbt與低Q(rr)和軟恢復(fù)二極管共封裝。igbt的最高結(jié)溫為T(VJ) +175°C，確保了高效的性能。這些設(shè)備的設(shè)計保證了苛刻條件下的可靠性。一個正系數(shù)V(CEsat)可以方便地并行使用。此外，igbt是無鉛的，符合歐盟RoHS 2.0標準，并利用符合IEC 61249標準的綠色成型化合物。
特性
優(yōu)越的高速開關(guān)IGBT
T(VJ) +25℃時飽和電壓低1.65V
共封裝低Q(rr)和軟恢復(fù)二極管
+175℃最高結(jié)溫T(VJ)
由于正系數(shù)V(CEsat)，易于并行使用
無鉛，符合歐盟RoHS 2.0
符合IEC 61249標準的綠色成型化合物
應(yīng)用程序
聯(lián)合包裹
光伏逆變器
電動汽車充電器
焊接機器
家用電器
維圖
責任編輯：David
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