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金士頓LPDDR4 DRAM器件的介紹、特性、及應(yīng)用
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金士頓LPDDR4 DRAM器件具有低功耗和每次突發(fā)訪(fǎng)問(wèn)的自動(dòng)預(yù)充電選項(xiàng)。這些DRAM設(shè)備提供DMI引腳支持寫(xiě)數(shù)據(jù)屏蔽和DBIdc功能。LPDDR4 DRAM器件采用FBGA-200封裝，芯片密度為8gb。這些DRAM器件具有自動(dòng)溫度補(bǔ)償自刷新(ATCSR)功能，通過(guò)內(nèi)置溫度傳感器和每次銀行刷新。LPDDR4器件工作溫度范圍為-25℃~ 85℃，最高時(shí)鐘頻率為1.6GHz，電源電壓范圍為1.06V ~ 1.95V。
特性
低功耗
每次銀行刷新
部分陣列自刷新(PASR)
銀行屏蔽
段屏蔽
fbga - 200包
自動(dòng)溫度補(bǔ)償自我刷新(ATCSR)內(nèi)置溫度傳感器
支持所有銀行自動(dòng)刷新和定向每個(gè)銀行自動(dòng)刷新
Double-data-rate架構(gòu);每一個(gè)時(shí)鐘周期傳輸兩次數(shù)據(jù)
可編程RL(讀時(shí)延)和WL(寫(xiě)時(shí)延)
自動(dòng)預(yù)充選項(xiàng)，每次突發(fā)訪(fǎng)問(wèn)
可編程驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
自動(dòng)刷新和自刷新
8192個(gè)周期/32ms刷新周期
DMI引腳支持寫(xiě)數(shù)據(jù)屏蔽和DBIdc功能
規(guī)范
1.6GHz最大時(shí)鐘頻率
1.06V至1.95V電源電壓范圍
8gb和16gb內(nèi)存
工作溫度范圍-25℃~ 85℃
存儲(chǔ)溫度范圍-55℃~ 125℃
責(zé)任編輯：David
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