產(chǎn)品分類
基于MIMO系統(tǒng)ADRV9008/ADRV9009高功率硅開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)偏置功率和外部組件的解決方案
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多輸入、多輸出 (MIMO) 收發(fā)器架構(gòu)廣泛用于高功率 RF 無(wú)線通信系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。作為邁入 5G 時(shí)代的一步，覆蓋蜂窩頻段的大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)目前正在城市地區(qū)進(jìn)行部署，以滿足用戶對(duì)于高數(shù)據(jù)吞吐量和一系列新型業(yè)務(wù)的新興需求。高度集成的單芯片射頻收發(fā)器解決方案 (例如， 新推出的 ADRV9008 / ADRV9009 產(chǎn)品系列) 的面市促成了此項(xiàng)成就。在此類系統(tǒng)的 RF 前端部分仍然需要實(shí)現(xiàn)類似的集成，意在降低功耗 (以改善熱管理) 和縮減尺寸(以降低成本)，從而容納更多的 MIMO 通道。
MIMO 架構(gòu)允許放寬對(duì)放大器和開(kāi)關(guān)等構(gòu)建模塊的 RF 功率要求。然而，隨著并行收發(fā)器通道數(shù)目的增加，外圍電路的復(fù)雜性和功耗也相應(yīng)升高。 采用硅技術(shù)的新型高功率開(kāi)關(guān)專為簡(jiǎn)化RF 前端設(shè)計(jì)而研發(fā)，免除外圍電路的需要并將功耗降至可忽略不計(jì)的水平。 采用硅技術(shù)的新型高功率開(kāi)關(guān)為 RF 設(shè)計(jì)人員和系統(tǒng)架構(gòu)師提供了提高其系統(tǒng)復(fù)雜度的靈活性，且不會(huì)讓 RF前端成為其設(shè)計(jì)瓶頸。
在時(shí)分雙工 (TDD) 系統(tǒng)中，天線接口納入了開(kāi)關(guān)功能，以隔離和保護(hù)接收器輸入免受發(fā)送信號(hào)功率的影響。該開(kāi)關(guān)功能可直接在天線接口上使用 (在功率相對(duì)較低的系統(tǒng)中，如圖 1 所示)，或在接收路徑中使用 (針對(duì)較高功率應(yīng)用，如圖 2 所示)，以保證正確接至雙工器。在開(kāi)關(guān)輸出上設(shè)有一個(gè)并聯(lián)支路將有助改善隔離性能。
圖 1. 天線開(kāi)關(guān)。
圖 2. LNA 保護(hù)開(kāi)關(guān)。
基于 PIN 二極管的開(kāi)關(guān)具備低插入損耗特性和高功率處理能力，一直是優(yōu)選解決方案。然而，在大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，它們需要高偏置電壓以施加反向偏置 (用于提供隔離) 和高電流以施加正向偏置 (用于實(shí)現(xiàn)低插入損耗)，這就變成了缺點(diǎn)。圖 3示出了一款用于基于 PIN 二極管的開(kāi)關(guān)及其外設(shè)的典型應(yīng)用電路。三個(gè)分立的 PIN 二極管通過(guò)其偏置電源電路施加偏置，并通過(guò)一個(gè)高電壓接口電路進(jìn)行控制。
圖 3. PIN 二極管開(kāi)關(guān)。
的新款高功率硅開(kāi)關(guān)更適合大規(guī)模 MIMO 設(shè)計(jì)。它們依靠單5 V 電源供電運(yùn)行，偏置電流小于 1 mA，并且不需要外部組件或接口電路。圖 4 中示出了內(nèi)部電路架構(gòu)?；?FET 的電路可采用低偏置電流和低電源電壓工作，因而將功耗拉低至可忽略的水平，并可在系統(tǒng)級(jí)上幫助熱管理。除了易用性之外，該器件架構(gòu)還可提供更好的隔離性能，因?yàn)樵?RF 信號(hào)路徑上納入了更多的并聯(lián)支路。
圖 4. ADRV9008/ADRV9009 硅開(kāi)關(guān)。
圖 5 并排對(duì)比了單層 PCB 設(shè)計(jì)上基于 PIN 二極管的開(kāi)關(guān)和新型硅開(kāi)關(guān)的印刷電路板 (PCB) 原圖。與基于 PIN 二極管的開(kāi)關(guān)相比，硅開(kāi)關(guān)所占用的 PCB 面積不到其 1/10。它簡(jiǎn)化了電源要求，且不需要高功率電阻器。
圖 5. 基于 PIN 二極管的開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)與硅開(kāi)關(guān)的并排比較。
的高功率硅開(kāi)關(guān)能夠處理高達(dá) 80 W 的 RF 峰值功率，這足以滿足大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)的峰值平均功率比要求，并留有裕量。表 1列出了 專為不同的功率級(jí)別和各種封裝類型而優(yōu)化的高功率硅開(kāi)關(guān)系列。這些器件繼承了硅技術(shù)的固有優(yōu)勢(shì)，而且與替代方案相比，可實(shí)現(xiàn)更好的 ESD 堅(jiān)固性和降低部件與部件間的差異。
表 1. 新推出的高功率硅開(kāi)關(guān)系列產(chǎn)品型號(hào)頻率插入損耗隔離平均功率峰值功率封裝
| 產(chǎn)品型號(hào) | 頻率 | 插入損耗 | 隔離 | 平均功率 | 峰值功率 | 封裝 |
| ADRF5130 | 0.7 GHz 至 3.5 GHz | 0.6 dB, 2.7 GHz 0.7 dB, 3.8 GHz | 45 dB, 3.8 GHz | 20 W | 44 W | 4 mm × 4 mm |
| ADRF5132 | 0.7 GHz 至 5.0 GHz | 0.60 dB, 2.7 GHz 0.65 dB, 3.8 GHz 0.90 dB, 5.0 GHz | 45 dB, 3.8 GHz 45 dB, 5.0 GHz | 3.2 W | 20 W, 3.8 GHz 10 W, 5.0 GHz | 3 mm × 3 mm |
| ADRF5160 | 0.7 GHz 至 4.0 GHz | 0.8 dB, 2.7 GHz 0.9 dB, 3.8 GHz | 48 dB, 3.8 GHz | 40 W | 88 W | 5 mm × 5 mm |
大規(guī)模 MIMO系統(tǒng)將繼續(xù)發(fā)展，并將需要進(jìn)一步提高集成度。 的新型高功率硅開(kāi)關(guān)技術(shù)很適合多芯片模塊 (MCM) 設(shè)計(jì)，將LNA 一起集成，以提供面向
TDD 接收器前端的完整、單芯片解決方案。另外， 還將調(diào)高新設(shè)計(jì)的頻率，并將引領(lǐng)針對(duì)毫米波5G 系統(tǒng)的相似解決方案。隨著 將其高功率硅開(kāi)關(guān)產(chǎn)品系列擴(kuò)展到了 X
波段頻率和更高的常用頻段，電路設(shè)計(jì)人員和系統(tǒng)架構(gòu)師還將在其他應(yīng)用 (例如相控陣系統(tǒng)) 中受益于 新型硅開(kāi)關(guān)。
責(zé)任編輯：David
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