作者：延斯·沃爾曼

　　協(xié)作機(jī)器人(cobot)、電動(dòng)自行車、工業(yè)無人機(jī)和電動(dòng)工具等電池供電應(yīng)用需要輕巧、功能強(qiáng)大的小尺寸電機(jī)。無刷直流 (BLDC) 電機(jī)是一個(gè)不錯(cuò)的選擇，但電機(jī)驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備非常復(fù)雜，需要考慮許多設(shè)計(jì)因素。設(shè)計(jì)人員必須嚴(yán)格調(diào)節(jié)扭矩、速度和位置，同時(shí)確保高精度、最小振動(dòng)、噪聲和電磁輻射 (EMR)。此外，必須避免使用笨重的散熱器和外部線束，以節(jié)省重量、空間和成本。

　　通常情況下，設(shè)計(jì)人員面臨的挑戰(zhàn)是平衡設(shè)計(jì)要求與時(shí)間和預(yù)算壓力，同時(shí)避免代價(jià)高昂的開發(fā)錯(cuò)誤。一種方法是利用快速、低損耗的半導(dǎo)體技術(shù)，如氮化鎵 (GaN) 作為驅(qū)動(dòng) BLDC 電機(jī)所需的功率級(jí)。

　　本文討論了基于GaN的功率級(jí)的相對(duì)優(yōu)勢(shì)，并介紹了一個(gè)示例器件 工程總承包，在半橋拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)。它介紹了如何使用關(guān)聯(lián)的開發(fā)工具包快速開始項(xiàng)目。在此過程中，設(shè)計(jì)人員將學(xué)習(xí)如何測(cè)量 BLDC 電機(jī)的參數(shù)，并在無傳感器磁場(chǎng)方向控制 (FOC) 中以最少的編程工作使用 微芯片技術(shù) 電機(jī)工作臺(tái)開發(fā)套件.

　　氮化鎵的優(yōu)勢(shì)

　　為了在電池應(yīng)用中高效控制 BLDC 電機(jī)，開發(fā)人員需要一個(gè)高效、輕便的驅(qū)動(dòng)器級(jí)，其外形尺寸小，可以盡可能靠近執(zhí)行器實(shí)現(xiàn)。例如，電機(jī)外殼內(nèi)部。

　　絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 堅(jiān)固耐用，可以在最大 200 kHz 的電壓下切換高達(dá) 100 兆瓦 (MW) 的高功率，但不適用于必須在高達(dá) 80 伏的電壓下管理電池充電的設(shè)備。高接觸電阻、續(xù)流二極管和開關(guān)損耗以及關(guān)斷期間的電流尾部共同導(dǎo)致信號(hào)失真、產(chǎn)生過多熱量和雜散輻射。

　　與IGBT相比，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)開關(guān)速度更快，開關(guān)損耗和歐姆損耗更低，但其柵極電容需要強(qiáng)大的柵極驅(qū)動(dòng)器才能在高開關(guān)頻率下工作。能夠在高頻下工作非常重要，因?yàn)檫@意味著設(shè)計(jì)人員可以使用更小的電子元件來降低整體空間要求。

　　轉(zhuǎn)向GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)，它們的高載流子遷移率使它們能夠以極快的速度和低損耗建立和擊穿半導(dǎo)體結(jié)。集成氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，如EPC EPC23102ENGRT，具有極低的開關(guān)損耗和高開關(guān)頻率，可在最狹小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)緊湊型器件設(shè)計(jì)。單芯片包含一個(gè)輸入邏輯接口，帶有電平轉(zhuǎn)換器、自舉負(fù)載和柵極驅(qū)動(dòng)器電路，用于控制半橋拓?fù)渲械? GaN 輸出 FET(圖 1)。芯片封裝針對(duì)高散熱和低寄生電感進(jìn)行了優(yōu)化。

　　圖 1：EPC23102 在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中包含控制邏輯、電平轉(zhuǎn)換器、柵極驅(qū)動(dòng)器和 GaN 輸出 FET(左)。芯片封裝(右)針對(duì)高散熱和低寄生電感進(jìn)行了優(yōu)化。(圖片來源：EPC)

　　更少的廢熱和更低的電子病歷

　　EPC23102輸出晶體管具有典型的漏源導(dǎo)通電阻(RDS(開啟)) 的 5.2 毫歐 (mΩ)(25°C 時(shí))。它們可處理高達(dá) 100 伏的電壓和高達(dá) 35 安培 (A) 的電流。此外，GaN器件的橫向結(jié)構(gòu)和無本征體二極管提供了極低的柵極電荷(QG)和反向恢復(fù)費(fèi)用(QRR).

　　與具有類似 R 的 MOSFET 器件相比DS(開啟)，GaN 驅(qū)動(dòng)器的開關(guān)損耗最多可降低五倍。這使得基于GaN的逆變器能夠在相對(duì)較高的脈寬調(diào)制(PWM)頻率(高達(dá)3兆赫茲(MHz))和更短的死區(qū)時(shí)間(低于50納秒(ns))下工作。

　　GaN 半導(dǎo)體采用低寄生電感的封裝設(shè)計(jì)，具有高開關(guān)速度 (dV/dt) 和低溫度系數(shù)，可最大限度地減少信號(hào)失真，從而最大限度地減少 EMR 和開關(guān)損耗。這減少了對(duì)濾波策略的需求，而較小的低成本電容器和電感器則節(jié)省了電路板空間。

　　以及低接觸電阻RDS(開啟)，GaN 器件的其他優(yōu)點(diǎn)，例如 GaN 基板的高導(dǎo)熱性和元件封裝的大熱接觸面積，所有這些都使 GaN 功率級(jí)無需散熱器即可切換高達(dá) 15 安培 (A) 的電流(圖 2)。

　　圖 2：環(huán)境溫度為 25.5°C 且采用不同 PWM 頻率的 GaN 功率級(jí)的溫升與相電流的關(guān)系。(圖片來源：EPC)

　　EPC23102還具有從低側(cè)到高端通道的魯棒電平轉(zhuǎn)換器，設(shè)計(jì)用于在軟開關(guān)條件下工作(即使在大負(fù)端電壓下)，并避免快速dV/dt瞬變(包括來自外部源或相鄰相位的瞬變)的錯(cuò)誤觸發(fā)。內(nèi)部電路集成了邏輯和自舉電源充電和禁用功能。保護(hù)功能可防止輸出FET在電源電壓過低甚至失效時(shí)意外導(dǎo)通。

　　即用型電機(jī)逆變器評(píng)估套件

　　調(diào)試采用氮化鎵技術(shù)的三相 BLDC 電機(jī)的最簡(jiǎn)單、最快捷的方法是使用 EPC EPC9176套件 電機(jī)逆變器評(píng)估套件。它由EPC9176電機(jī)逆變器板和DSP控制器板組成。還包括一個(gè)簡(jiǎn)單的EPC9147E控制器插入式適配器，用于通過客戶特定的主機(jī)控制器進(jìn)行控制。耦合連接器承載以下信號(hào)：3 × PWM、2 ×編碼器、3 × U階段， 3 × I階段， U直流我直流和 2 個(gè)×狀態(tài)指示燈。

　　作為一個(gè) 參考設(shè)計(jì)，EPC9176電機(jī)逆變器板有助于內(nèi)部電路設(shè)計(jì)，而EPC9147A控制器板與Microchip Technology的motorBench開發(fā)環(huán)境一起使用時(shí)，允許用戶快速啟動(dòng)和運(yùn)行，而無需花費(fèi)時(shí)間編碼或編程。

　　三相 BLDC 電機(jī)逆變器集成了三個(gè) EPC23102 GaN 半橋驅(qū)動(dòng)器，用于控制交流或直流電機(jī)和直流/直流電源轉(zhuǎn)換器。帶 RDS(開啟) 功率級(jí)最大為 6.6 mΩ，在高達(dá) 28 A 峰值 (A 的負(fù)載電流) 下產(chǎn)生的熱損失很小PK) 或 20 A 有效值 (A有效值) 在高達(dá) 100 伏的開關(guān)電壓下持續(xù)運(yùn)行。EPC23102 專為多相 DC/DC 轉(zhuǎn)換而配置，支持高達(dá) 500 kHz 和高達(dá) 250 kHz 的 PWM 開關(guān)頻率，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

　　8.1 × 7.5 厘米 (cm) EPC9176 電機(jī)逆變器板包含支持完整電機(jī)逆變器所需的所有關(guān)鍵功能電路，包括直流母線電容器、柵極驅(qū)動(dòng)器、穩(wěn)壓輔助電壓、相電壓、相電流和溫度測(cè)量，以及保護(hù)功能和每相可選的諧波或 EMR 濾波器(圖 3)。

　　圖 3：EPC9176 電機(jī)逆變器具有直流母線電容器、柵極驅(qū)動(dòng)器、穩(wěn)壓器、電壓檢測(cè)、電流和溫度保護(hù)功能以及 EMR 濾波器。(圖片來源：EPC)

　　三相氮化鎵逆變器可在 14 至 65 V 的輸入電壓下工作直流.它在無過沖的情況下切換，從而實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)的扭矩和最小的運(yùn)行噪音。該板針對(duì)低于 10 V/ns (V/ns) 的 GaN 典型高速開關(guān)斜率進(jìn)行了優(yōu)化，并可選擇降低以操作 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。此外，還可以連接兩個(gè)在不同電壓電平下工作的轉(zhuǎn)子位置傳感器(霍爾傳感器)。

　　無振動(dòng)扭矩和低運(yùn)行噪音

　　三相 BLDC 電機(jī)實(shí)現(xiàn)示例演示了死區(qū)時(shí)間參數(shù)化對(duì)電機(jī)平穩(wěn)運(yùn)行的影響，從而對(duì)噪聲產(chǎn)生的影響?；贕aN FET的半橋的高側(cè)和低側(cè)FET開關(guān)轉(zhuǎn)換處的鎖定時(shí)間可以選擇非常小，因?yàn)镚aN HEMT的反應(yīng)速度極快，并且不會(huì)像較慢的MOSFET那樣產(chǎn)生寄生過沖。

　　圖4(左)顯示了一個(gè)GaN逆變器，MOSFET的典型死區(qū)時(shí)間為500 ns，PWM頻率為40 kHz。本應(yīng)是平滑的正弦相電流顯示出極高的失真，這會(huì)導(dǎo)致高轉(zhuǎn)矩紋波和相應(yīng)的噪聲。在圖4(右)中，死區(qū)時(shí)間減少到50 ns，為平穩(wěn)運(yùn)行的電機(jī)建立了正弦相電流，噪音很小。

　　圖 4：MOSFET 的典型死區(qū)時(shí)間為 500 ns，在 40 kHz PWM 頻率(左)下會(huì)導(dǎo)致相電流高失真，從而導(dǎo)致高轉(zhuǎn)矩紋波和高噪聲水平。死區(qū)時(shí)間為50 ns(右)，建立正弦相電流，使電機(jī)平穩(wěn)旋轉(zhuǎn)，噪音低。(圖片來源：EPC)

　　相電流中的紋波越小也意味著定子線圈中的磁化損耗越低，而相電壓中的紋波越小，可實(shí)現(xiàn)更高的分辨率，以及更精確的扭矩和速度控制，特別是對(duì)于小型設(shè)計(jì)中使用的低電感電機(jī)。

　　對(duì)于需要更大功率的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，提供兩種氮化鎵逆變器板：： EPC9167HCKIT (1 千瓦 (kW)) 和 EPC9167套件 (500 瓦)。兩者都使用 EPC2065 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管，最大R為3.6 mΩDS(開啟) 和 80 伏最大設(shè)備電壓。EPC9167 板的每個(gè)開關(guān)位置使用單個(gè) FET，而 EPC9167HC 有兩個(gè) FET 并聯(lián)工作，最大電流為 42 APK (30 安培有效值) 輸出電流。EPC2065 GaN FET 在電機(jī)控制應(yīng)用中支持 PWM 開關(guān)頻率高達(dá) 250 kHz，在 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中支持最高 500 kHz 的開關(guān)頻率。

　　逆變器板提供更高的功率 - 高達(dá) 1.5 kW EPC9173套件.該板形成兩個(gè)單的半橋分支 EPC23101ENGRT GaN柵極驅(qū)動(dòng)器IC，只有一個(gè)集成高邊功率FET。該板可擴(kuò)展為降壓、升壓、半橋、全橋或LLC轉(zhuǎn)換器。它提供高達(dá) 50 A 的輸出電流PK (35 安培有效值)，并在高達(dá) 250 kHz 的 PWM 開關(guān)頻率下工作，并具有適當(dāng)?shù)睦鋮s效果。

　　在幾分鐘內(nèi)啟動(dòng)并運(yùn)行驅(qū)動(dòng)程序階段

　　評(píng)估EPC9176 GaN逆變器板的最快方法(無需編碼)是使用： EPC9147A 控制器接口板。插件模塊 (PIM) — MA330031-2—包含 dsPIC33EP256MC506-I-PT Microchip Technology 的 16 位 DSP(圖 5)。

　　圖 5：EPC9147A 通用控制器接口卡可容納各種插件模塊，例如基于 16 位 dsPIC33EP256 DSP 的 MA330031-2 PIM。(圖片來源：EPC/微芯科技)

　　為了方便DSP控制器接口的操作，設(shè)計(jì)人員可以使用motorBench開發(fā)套件，他們必須在其中添加：

　　MPLAB X IDE_V5.45 和建議的更新

　　代碼配置器插件 (DSP特定編譯)

　　電機(jī)工作臺(tái)插件 2.35 (電機(jī)示例)

　　對(duì)于此討論，該示例使用 EPC9146 氮化鎵電機(jī)逆變板，所以：

　　從EPC914xKIT的MCLV-2或EPC項(xiàng)目開始，命名為“sample-mb-33ep256mc506-mclv2”。X"

　　用戶只需為EPC9146 GaN電機(jī)逆變器板選擇示例十六進(jìn)制文件，并使用編程適配器將其閃存到DSP dsPIC33EP256MC506中，例如Microchip Technology的 PG164100 適用于 16 位微控制器。然后，連接的 BLDC 電機(jī) (Teknic_M-3411P-LN-08D) 可通過控制器進(jìn)行手動(dòng)控制，并在無傳感器 FOC 模式下運(yùn)行。

　　如果電機(jī)運(yùn)行不令人滿意或需要配置為不同的運(yùn)行狀態(tài)，motorBench 還提供可配置的示例文件，該文件必須在刷新之前進(jìn)行編譯。如上所述，GaN電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的一個(gè)基本但重要的參數(shù)是50 ns或更小的死區(qū)時(shí)間，在編譯十六進(jìn)制文件之前必須絕對(duì)檢查。

　　無刷直流電機(jī)的自定義參數(shù)

　　為了使用 motorBench IDE 為無傳感器 FOC 操作配置自定義 BLDC 電機(jī)配置，用戶可以測(cè)量其特定電機(jī)參數(shù)并在配置文件中輸入相關(guān)值。這 MOT-I-81542-A 電機(jī)來自 ISL產(chǎn)品國際，例如，可以在這里用作測(cè)試電機(jī)。它消耗約 361 瓦的功率，以 24 伏電壓運(yùn)行，以每分鐘 6100 轉(zhuǎn) (rpm) 的速度運(yùn)行。

　　必須首先確定這四個(gè)電機(jī)參數(shù)：

　　歐姆電阻：這是使用萬用表在定子線圈端子之間測(cè)量的

　　電感：使用萬用表在定子線圈端子之間測(cè)量

　　極對(duì)：要確定極對(duì)，設(shè)計(jì)人員必須使兩相短路，讓第三相保持打開狀態(tài)，然后手動(dòng)計(jì)算一軸旋轉(zhuǎn)時(shí)的鎖存器數(shù)量，然后將結(jié)果除以二

　　反電動(dòng)勢(shì) (BEMF)：使用示波器測(cè)量定子線圈端子之間的 BEMF。為此，設(shè)計(jì)人員必須：

　　將探頭夾在兩相引線上，保持第三相開路

　　用手旋轉(zhuǎn)電機(jī)軸并記錄電壓響應(yīng)

　　測(cè)量峰峰值電壓APP 和周期 T半 最大的正弦半波(圖6)。

　　圖 6：通過測(cè)量峰峰值電壓 A 來確定 BEMFPP 和周期 T半 最大的正弦半波。(圖片來源：EPC)

　　參考上述項(xiàng)目示例，Microchip確定了Teknic M-3411P-LN-08D電機(jī)(8.4 A)的以下參數(shù)有效值，八極，扭矩 = 1 牛頓米 (Nm)，額定功率為 244 瓦)：

　　一個(gè)PP = 15.836 VPP

　　T半 = 13.92 毫秒

　　極對(duì)：pp = 4

　　然后，Microchip計(jì)算了BEMF常數(shù)(對(duì)于1000 rpm = 1 k.rpm)，使用公式 1：

　　等式 1

　　對(duì)于此示例電機(jī)

　　(值 10.2 用于 motorBench)

　　RL-L = 800 mΩ 線間電阻，由于采用 LCR 儀表引線，負(fù) 100 mΩ

　　Ld = Lq = 本例中使用的 1 mH，盡管測(cè)量了 932 微亨 (μH)

　　確定的參數(shù)被輸入到電機(jī)工作臺(tái)子菜單配置/永磁同步電機(jī)中。為此，設(shè)計(jì)人員只需使用類似電機(jī)類型的XML配置文件即可?；蛘?，可以將參數(shù)輸入到新創(chuàng)建的(空)配置文件中，該文件可以通過“導(dǎo)入電機(jī)”按鈕導(dǎo)入。

　　結(jié)論

　　氮化鎵電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 IC 在電池供電的 BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中實(shí)現(xiàn)了高效率性能，外形尺寸小，重量輕。它們集成在電機(jī)外殼中，受到良好的保護(hù)，簡(jiǎn)化了設(shè)備設(shè)計(jì)和安裝，并減少了維護(hù)。

　　在參考電路、預(yù)編程的基于模型的 DSP 控制器和電機(jī)開發(fā)環(huán)境的支持下，BLDC 電機(jī)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員和程序員可以縮短電路設(shè)計(jì)時(shí)間，并將更多精力放在應(yīng)用開發(fā)上。