如何使用超低噪聲電源提高超聲系統(tǒng)圖像質(zhì)量


超聲技術(shù)是醫(yī)療診斷和其他應(yīng)用中廣泛使用的無(wú)創(chuàng)工具,已經(jīng)從靜態(tài)圖像轉(zhuǎn)向動(dòng)態(tài)圖像,從黑白呈現(xiàn)轉(zhuǎn)向彩色多普勒?qǐng)D像。這些重要的增強(qiáng)功能很大程度上歸功于數(shù)字超聲技術(shù)的引入。雖然這些進(jìn)步提高了超聲成像的有效性和多功能性,但對(duì)于這些系統(tǒng)來(lái)說(shuō),通過(guò)前端超聲探頭和驅(qū)動(dòng)探頭并捕獲返回信號(hào)的模擬前端(AFE)的進(jìn)步來(lái)提供更高的圖像質(zhì)量同樣重要。
噪聲是實(shí)現(xiàn)這種改善圖像質(zhì)量的障礙之一,因此設(shè)計(jì)目標(biāo)是提高系統(tǒng)的信噪比(SNR)。這部分可以通過(guò)解決系統(tǒng)中各種電源軌引起的噪聲來(lái)實(shí)現(xiàn)。請(qǐng)注意,這種噪聲不是單個(gè)簡(jiǎn)單的實(shí)體。相反,它具有各種特征和屬性,這些特征和屬性決定了它最終如何影響系統(tǒng)性能。
本文將介紹超聲成像的基本原理,然后重點(diǎn)介紹影響圖像質(zhì)量的不同因素,主要是來(lái)自電源的噪聲。它將使用來(lái)自 DC-DC 穩(wěn)壓器的設(shè)備 ADI公司 作為電源組件的例子,可以大大提高SNR和其他方面的超聲系統(tǒng)性能。
超聲成像基礎(chǔ)知識(shí)
這個(gè)概念很簡(jiǎn)單:產(chǎn)生一個(gè)尖銳的聲脈沖,然后在遇到障礙物或器官之間的各種界面及其不同的聲阻抗時(shí)“聆聽(tīng)”它的回波反射。通過(guò)重復(fù)執(zhí)行這些脈沖返回序列,反射可用于創(chuàng)建反射表面的圖像。
對(duì)于大多數(shù)超聲模式,壓電換能器陣列發(fā)送有限數(shù)量的波周期(通常為兩到四個(gè))作為脈沖。每個(gè)周期中這些波的頻率通常在2.5至14兆赫茲(MHz)的范圍內(nèi)。該陣列通過(guò)類似于相控陣射頻天線的波束成形技術(shù)進(jìn)行控制,因此可以聚焦和控制整個(gè)超聲脈沖以創(chuàng)建掃描。然后,換能器切換到接收模式,以感測(cè)來(lái)自體內(nèi)的反射波的返回。
請(qǐng)注意,發(fā)射/接收定時(shí)比通常約為 1%/99%,脈沖重復(fù)頻率通常在 1 到 10 kHz 之間。通過(guò)定時(shí)脈沖從其傳輸?shù)浇邮盏幕夭ú⒘私獬暷芰吭谏眢w組織中傳播的速度,可以計(jì)算從換能器到反射波的器官或界面的距離。返回波的振幅決定了經(jīng)過(guò)相當(dāng)多的數(shù)字后處理后分配給超聲圖像中反射的像素的亮度。
了解系統(tǒng)要求
盡管基本原理在概念上很簡(jiǎn)單,但完整的高端超聲成像系統(tǒng)是一個(gè)復(fù)雜的設(shè)備(圖 1)。系統(tǒng)的最終性能在很大程度上取決于傳感器和模擬前端(AFE),而數(shù)字化反射信號(hào)的后處理允許算法來(lái)增強(qiáng)這種情況。
毫不奇怪,各種類型的系統(tǒng)噪聲是圖像質(zhì)量和性能的限制因素之一,同樣類似于數(shù)字通信系統(tǒng)中考慮誤碼率(BER)與SNR。

圖 1:完整的超聲成像系統(tǒng)是大量模擬、數(shù)字、電源和處理功能的復(fù)雜組合;AFE 定義了系統(tǒng)性能的邊界。(圖片來(lái)源:ADI公司)
壓電換能器陣列和有源電子器件之間有一個(gè)發(fā)射/接收(T/R)開(kāi)關(guān)。該開(kāi)關(guān)的作用是防止驅(qū)動(dòng)傳感器的高壓發(fā)射信號(hào)到達(dá)并損壞低壓接收側(cè)AFE。接收到的反射經(jīng)過(guò)放大和調(diào)理后,被傳遞到AFE的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),在那里進(jìn)行數(shù)字化并經(jīng)過(guò)基于軟件的圖像處理和增強(qiáng)。
超聲系統(tǒng)的每種不同成像模式對(duì)動(dòng)態(tài)范圍(因此SNR)或噪聲要求都有不同的要求:
對(duì)于黑白圖像模式,需要70分貝(dB)的動(dòng)態(tài)范圍;本底噪聲很重要,因?yàn)樗鼤?huì)影響在遠(yuǎn)場(chǎng)中看到最小超聲回波的最大深度。這稱為穿透,這是黑白模式的關(guān)鍵特征之一。
對(duì)于脈搏波多普勒(PWD)模式,需要130 dB的動(dòng)態(tài)范圍。
對(duì)于連續(xù)波多普勒(CWD)模式,需要160 dB。請(qǐng)注意,1/f噪聲對(duì)于PWD和CWD模式尤為重要,因?yàn)檫@兩個(gè)圖像都包含低于1 kHz的低頻頻譜元素,并且相位噪聲會(huì)影響高于1 kHz的多普勒頻譜。
這些要求不容易滿足。由于超聲換能器頻率通常在1 MHz至15 MHz之間,因此會(huì)受到該范圍內(nèi)任何開(kāi)關(guān)頻率噪聲的影響。如果PWD和CWD頻譜(從100 Hz到200 kHz)存在互調(diào)頻率,則明顯的噪聲頻譜將出現(xiàn)在多普勒?qǐng)D像中,這在超聲系統(tǒng)中是不可接受的。為了獲得最大的系統(tǒng)性能和圖像質(zhì)量(清晰度、動(dòng)態(tài)范圍、無(wú)圖像斑點(diǎn)和其他品質(zhì)因數(shù)),重要的是要查看導(dǎo)致信號(hào)質(zhì)量損失和SNR下降的源。
第一個(gè)是顯而易見(jiàn)的:由于衰減,來(lái)自身體深處組織和器官(如腎臟)的回報(bào)遠(yuǎn)遠(yuǎn)弱于來(lái)自靠近換能器的那些。因此,反射信號(hào)被AFE“增益”,使其盡可能多地占據(jù)AFE的輸入范圍。為此,使用自動(dòng)增益控制(AGC)功能。此AGC功能類似于無(wú)線系統(tǒng)中使用的功能,其中AGC評(píng)估無(wú)線RF接收信號(hào)強(qiáng)度(RSS),并在數(shù)十分貝的跨度內(nèi)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償其隨機(jī),不可預(yù)測(cè)的變化。
但是,超聲應(yīng)用中的情況與無(wú)線鏈路的情況不同。相反,路徑衰減是近似已知的,聲能傳播速度的速度也是已知的——軟組織中為每秒1540米(m/s),或比空氣中傳播速度快約5倍,約為330米/秒——因此衰減率也是已知的。
基于這些知識(shí),AFE使用可變?cè)鲆娣糯笃?VGA),該放大器被布置為時(shí)間增益補(bǔ)償(TGC)放大器。該VGA的增益為線性dB,其配置使得線性與時(shí)間斜坡控制電壓增加增益與時(shí)間的關(guān)系,以在很大程度上補(bǔ)償衰減。這最大限度地提高了信噪比和AFE動(dòng)態(tài)范圍的使用。
噪聲類型及其解決方法
雖然體內(nèi)和患者引起的信號(hào)噪聲超出了超聲系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員的控制范圍,但必須管理和控制內(nèi)部系統(tǒng)噪聲。為此,重要的是要了解噪聲類型、它們的影響以及可以采取哪些措施來(lái)減少它們。主要關(guān)注領(lǐng)域是開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器噪聲;信號(hào)鏈、時(shí)鐘和電源引起的白噪聲;以及與布局相關(guān)的噪音。
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器噪聲:大多數(shù)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器使用簡(jiǎn)單的電阻來(lái)設(shè)置開(kāi)關(guān)頻率。該電阻器標(biāo)稱值的不可避免地容差引入了不同的開(kāi)關(guān)頻率和諧波,因?yàn)椴煌?dú)立穩(wěn)壓器的頻率相互混合和交叉調(diào)制??紤]到即使是精度為1%的嚴(yán)格容差電阻,也會(huì)導(dǎo)致400 kHz DC-DC穩(wěn)壓器中的諧波頻率為4 kHz,從而使諧波更難控制。
更好的解決方案是選擇具有同步功能的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器IC,該IC通過(guò)其封裝引腳上的SYNC連接實(shí)現(xiàn)。利用此功能,外部時(shí)鐘可以將信號(hào)分配給各個(gè)穩(wěn)壓器,以便它們都以相同的頻率和相位切換。這消除了標(biāo)稱頻率和相關(guān)諧波產(chǎn)物的混合。
例如, LT8620 是一款高效率、高速同步單芯片降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,可接受高達(dá) 65 V 的寬輸入電壓范圍,靜態(tài)電流僅為 2.5 微安 (μA)(圖 2)。其低紋波“突發(fā)模式”操作可實(shí)現(xiàn)低至極低輸出電流的高效率,同時(shí)將輸出紋波保持在 10 毫伏 (mV) 峰峰值以下。SYNC引腳允許用戶建立與200 kHz至2.2 MHz外部時(shí)鐘的同步。

圖 2:高效 LT8620 降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器包括一個(gè) SYNC 引腳,因此其時(shí)鐘可與其他系統(tǒng)時(shí)鐘同步,從而最大限度地降低時(shí)鐘互調(diào)效應(yīng)。(圖片來(lái)源:ADI公司)
另一種技術(shù)是使用開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,該穩(wěn)壓器采用隨機(jī)擴(kuò)頻時(shí)鐘將產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)分布到更寬的頻段,從而降低其在任何特定頻率下的峰值。雖然對(duì)于一些SNR不太重要且更關(guān)心滿足EMI要求的應(yīng)用來(lái)說(shuō),這是一個(gè)有吸引力的解決方案,但它會(huì)在更廣泛的頻譜上產(chǎn)生的諧波中引入不確定性,使其更難控制。例如,出于EMI考慮,開(kāi)關(guān)頻率擴(kuò)展為20%,導(dǎo)致400 kHz電源中的諧波頻率介于0至80 kHz之間。因此,雖然這種降低EMI“尖峰”的方法可能有助于滿足相關(guān)的監(jiān)管要求,但對(duì)于超聲設(shè)計(jì)的特殊SNR需求,它可能適得其反。
恒定頻率的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器有助于避免此問(wèn)題。ADI公司的靜音開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器和μModule穩(wěn)壓器系列具有恒定頻率開(kāi)關(guān)功能。同時(shí),它們通過(guò)可選擇的擴(kuò)頻技術(shù)提供EMI性能,以提供出色的瞬態(tài)響應(yīng),而不會(huì)引入與擴(kuò)頻相關(guān)的不確定性。
靜音開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器系列也不僅限于低功耗穩(wěn)壓器。例如, LTM8053 為 40 V在 (最大值)、3.5 A連續(xù)、6 A峰值降壓穩(wěn)壓器,包括開(kāi)關(guān)控制器、電源開(kāi)關(guān)、電感器和所有支持組件。只需輸入和輸出濾波電容即可完成設(shè)計(jì)(圖 3)。它支持 0.97 至 15 V 的輸出電壓范圍和 200 kHz 至 3 MHz 的開(kāi)關(guān)頻率范圍,每個(gè)范圍均由單個(gè)電阻器設(shè)置。

圖 3:靜音開(kāi)關(guān)器系列的 LTM8053 成員可提供 3.5 A 連續(xù)電流/6 A 峰值電流;它接受 3.4 至 40 V 的輸入,可在 0.97 至 15 V 的寬范圍內(nèi)提供輸出。(圖片來(lái)源:ADI公司)
LTM8053 獨(dú)特的封裝有助于保持低 EMI 以及較高的電流輸出。靜音開(kāi)關(guān)器 μModule 穩(wěn)壓器中的銅柱倒裝芯片封裝有助于降低寄生電感并優(yōu)化尖峰和死區(qū)時(shí)間,從而在小型封裝中實(shí)現(xiàn)高密度設(shè)計(jì)和大電流能力(圖 4)。如果需要更大的電流,可以并聯(lián)多個(gè)LT8053器件。

圖 4:LTM8053 (和其他靜音開(kāi)關(guān)器件)集成了一個(gè)銅柱倒裝芯片,從而在小型封裝中實(shí)現(xiàn)了高密度設(shè)計(jì)和大電流能力,同時(shí)最大限度地降低了寄生電感。(圖片來(lái)源:ADI公司)
靜音開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的技術(shù)和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)不僅限于單輸出穩(wěn)壓器。這 LTM8060 是四通道,40 V在 靜音開(kāi)關(guān) μModule 穩(wěn)壓器,具有可配置的 3 A 輸出陣列(圖 5)。它的工作頻率高達(dá) 3 MHz,采用緊湊型(11.9 mm × 16 mm × 3.32 mm)包覆成型球柵陣列 (BGA) 封裝。

圖 5:LTM8060 是一款四通道 μModule 可配置陣列,每通道輸出 3 A,采用緊湊封裝,尺寸僅為 11.9 mm×16 mm × 3.32 mm(圖片來(lái)源:ADI公司)
這種四通道器件的一個(gè)有趣方面是,其輸出可以以不同的配置并聯(lián),以滿足不同的負(fù)載電流需求,最高可達(dá) 12 A(圖 6)。

圖 6:LTM8060 的四個(gè) 3 A 輸出可以布置在不同的并聯(lián)配置中,以滿足應(yīng)用的 DC 電源軌要求。(圖片來(lái)源:ADI公司)
總之,靜音開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器在噪聲、諧波和熱性能方面具有許多優(yōu)勢(shì)(圖 7)。
低頻噪聲 | 開(kāi)關(guān)噪聲諧波 | 高熱性能 | |
---|---|---|---|
建筑 | 靜音切換器3器件中的超低噪聲基準(zhǔn)電壓源 | 靜音切換器技術(shù)加銅柱封裝 | 靜音切換器技術(shù)加上散熱器封裝 |
特征 | 在低f噪聲方面與LDO穩(wěn)壓器具有相同的性能 | 低 EMI、低開(kāi)關(guān)噪聲 快速開(kāi)關(guān)頻率,微小的死角 | 高功率密度 更低的熱阻 |
應(yīng)用優(yōu)勢(shì) | 無(wú)需后LDO穩(wěn)壓器,同時(shí)保持相同的圖像質(zhì)量 | 高頻高效率 | 在相同電流水平下最大限度地減少降級(jí) |
圖 7:所示是靜音開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器系列相對(duì)于重要設(shè)計(jì)角度的關(guān)鍵屬性。(圖片來(lái)源:ADI公司)
白噪聲:超聲系統(tǒng)中也有許多白噪聲源,這會(huì)導(dǎo)致背景噪聲和圖像“斑點(diǎn)”。這種噪聲主要來(lái)自信號(hào)鏈、時(shí)鐘和電源。在敏感模擬元件的電源引腳上增加一個(gè)低壓差(LDO)穩(wěn)壓器可以解決這個(gè)問(wèn)題。
ADI的下一代LDO穩(wěn)壓器,如 LT3045,具有約 1 μV(μV) rms(10 Hz 至 100 kHz)的超低噪聲水平,并在 260 mV 的典型壓差電壓下提供高達(dá) 500 mA 的電流輸出(圖 8)。工作靜態(tài)電流標(biāo)稱值為2.3 mA,關(guān)斷模式下降至遠(yuǎn)低于1 μA。其他低噪聲LDO可提供200 mA至3 A的電流。

圖 8:LT3045 LDO 穩(wěn)壓器以其在 200 mA 至 3 A 電流范圍內(nèi)約 1 μV rms 的超低噪聲而著稱(圖片來(lái)源:ADI公司)
電路板布局:在大多數(shù)印刷電路板布局中,來(lái)自開(kāi)關(guān)電源的大電流信號(hào)走線與相鄰的低電平信號(hào)走線之間存在沖突,因?yàn)閬?lái)自前者的噪聲會(huì)耦合到后者中。這種開(kāi)關(guān)噪聲通常是由輸入電容、頂部MOSFET、底部MOSFET和布線、布線和鍵合引起的寄生電感產(chǎn)生的“熱回路”產(chǎn)生的。
標(biāo)準(zhǔn)解決方案是增加緩沖電路以減少電磁輻射,但這會(huì)降低效率。靜音開(kāi)關(guān)電源架構(gòu)通過(guò)使用雙向輻射創(chuàng)建相反的熱回路(稱為“分離”)來(lái)提高性能并保持高效率,從而將 EMI 降低約 20 dB(圖 9)。

圖 9:通過(guò)建立分離電流路徑的相對(duì)“熱回路”,靜音開(kāi)關(guān)可將 EMI 顯著降低約 20 dB。(圖片來(lái)源:ADI公司)
效率與噪聲
如果在電源噪聲與潛在效率之間進(jìn)行權(quán)衡,那么超聲應(yīng)用中對(duì)超低噪聲的需求似乎應(yīng)該占上風(fēng)。畢竟,在“大局”系統(tǒng)級(jí)別,再增加幾毫瓦的耗散應(yīng)該不會(huì)成為太大的負(fù)擔(dān)。此外,為什么不增加換能器脈沖的能量來(lái)增加脈沖信號(hào)強(qiáng)度,從而增加反射的信噪比呢?
但這種權(quán)衡還有另一個(gè)復(fù)雜性:手持式數(shù)字探頭的自發(fā)熱,該探頭包含換能器、壓電元件驅(qū)動(dòng)器、AFE 和其他電子電路。探頭的一些電能在壓電元件、透鏡和背襯材料中耗散,從而導(dǎo)致?lián)Q能器發(fā)熱。隨著換能器頭中聲能的浪費(fèi),這將導(dǎo)致探頭發(fā)熱和溫度升高。
探頭表面允許的最高溫度是有限制的。IEC 標(biāo)準(zhǔn) 60601-2-37(修訂版 2007)將換能器傳輸?shù)娇諝庵袝r(shí)將此溫度限制為 50°C,在傳輸?shù)胶线m的模型(標(biāo)準(zhǔn)身體模擬器)時(shí)限制為 43°C;后一個(gè)限制意味著皮膚(通常在33°C)最多可以加熱10°C。因此,傳感器加熱是復(fù)雜傳感器的一個(gè)重要設(shè)計(jì)考慮因素。這些溫度限制可能會(huì)有效地限制可以使用的聲學(xué)輸出,與可用的直流功率無(wú)關(guān)。
結(jié)論
超聲成像是一種廣泛使用、無(wú)價(jià)、無(wú)創(chuàng)且無(wú)風(fēng)險(xiǎn)的醫(yī)學(xué)成像工具。雖然基本原理在概念上很簡(jiǎn)單,但設(shè)計(jì)一個(gè)有效的成像系統(tǒng)需要大量復(fù)雜的電路,以及多個(gè)直流穩(wěn)壓器為其各種子電路供電。這些穩(wěn)壓器和相關(guān)功率必須高效,但由于反射聲信號(hào)能量具有極端的SNR和動(dòng)態(tài)范圍要求,因此噪聲也必須非常低。如圖所示,ADI公司的LDO和靜音開(kāi)關(guān)IC滿足這些要求,而不會(huì)影響空間、EMI或其他關(guān)鍵屬性。
責(zé)任編輯:David
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