原標(biāo)題：SRII重磅亮相CICD 2021，以先進ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

SRII（青島四方思銳智能技術(shù)有限公司）在CICD 2021（2021年中國集成電路制造年會）上的亮相，以先進ALD（原子層沉積）技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，展現(xiàn)了其在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的創(chuàng)新實力和市場前景。以下是對該事件的詳細(xì)分析：

一、SRII的亮相背景

隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲能、手機快充等應(yīng)用的興起，第三代半導(dǎo)體材料如SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）因其高耐壓等級、高開關(guān)頻率和高性能等特點，逐漸嶄露頭角并獲得業(yè)界的廣泛關(guān)注。這些新型功率器件在生產(chǎn)工藝不斷優(yōu)化和成本持續(xù)降低的情況下，開始投入批量應(yīng)用，并迎來了關(guān)鍵的產(chǎn)能爬坡階段。SRII作為業(yè)界領(lǐng)先的ALD設(shè)備制造商和服務(wù)商，通過亮相CICD 2021，向業(yè)界展示了其在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的技術(shù)實力和市場布局。

二、SRII的技術(shù)實力

SRII在CICD 2021上展示了其先進的ALD技術(shù)，該技術(shù)在功率半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)中具有創(chuàng)新應(yīng)用。ALD技術(shù)屬于CVD（化學(xué)氣相沉積）的一種，是當(dāng)下最先進的薄膜沉積技術(shù)之一。它能夠以單原子膜（0.1nm）形式沉積在基底表面，并在整體器件的鍍膜控制上達到很高的精確度。這種技術(shù)對于SiC、GaN等功率與化合物材料尤為重要，因為這些材料的器件3D結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜，對薄膜的要求也越來越高。

三、SRII的市場布局

1. 產(chǎn)品布局：SRII推出了量產(chǎn)型ALD沉積設(shè)備——Transform?系列，并成功交付了最新的Beneq Transform? Lite設(shè)備給中國市場的第三代半導(dǎo)體龍頭客戶，幫助其加速GaN產(chǎn)線的擴建。這些設(shè)備在25片8寸晶圓的batch工藝條件下，基于完全真實的cycle time和GPC、WiW、WtW等指標(biāo)，完全滿足spec要求。

2. 全球化與本地化并行：SRII自2019年起，在歐洲、美國、日本、中國大陸和中國臺灣地區(qū)等全球知名半導(dǎo)體客戶量產(chǎn)線上投入使用，有著充分驗證的工藝穩(wěn)定性和設(shè)備穩(wěn)定性。同時，SRII也積極推行本地化布局，通過在中國市場扎根、培養(yǎng)本地國際化創(chuàng)新型團隊，加強與不同區(qū)域、不同領(lǐng)域、不同機構(gòu)的產(chǎn)業(yè)生態(tài)合作。

3. 聯(lián)合研發(fā)：SRII表示非常希望與國內(nèi)的機構(gòu)或行業(yè)客戶開展聯(lián)合研發(fā)工作，通過采用基于ALD技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用，實現(xiàn)提升器件性能以及易于量產(chǎn)的目的。

四、市場前景

根據(jù)Yole Développement的最新調(diào)研報告，預(yù)計2026年全球GaN功率器件的市場規(guī)模將增長至11億美元，年均復(fù)合增長率達到70%。其中，手機快充等消費市場是未來2-3年的主要驅(qū)動力，新能源汽車OBC充電器、工業(yè)領(lǐng)域逆變器、數(shù)據(jù)中心高效電源等應(yīng)用則緊隨其后。這為SRII等ALD設(shè)備制造商提供了廣闊的市場空間和發(fā)展機遇。

綜上所述，SRII在CICD 2021上的亮相不僅展示了其在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的技術(shù)實力和市場布局，也預(yù)示著其在未來半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中的巨大潛力和廣闊前景。