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ALD鍍膜
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原子層沉積(ALD)用于對膜層厚度精確性要求極高的基材表面薄膜的沉積。ALD是一種CVD工藝，該工藝中，通過兩種或更多循環(huán)表面反應(yīng)形成膜層。 ALD曾經(jīng)并仍主要被用于制備諸如MOSFET中高k柵極絕緣層等的半導(dǎo)體電子領(lǐng)域。同時(shí)，其它領(lǐng)域?qū)LD技術(shù)的應(yīng)用需求也在不斷增長：比如制造MEMS、阻擋層、在粒子上或毛細(xì)管中制備光學(xué)膜或功能膜等。