原標題：ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)

ST（意法半導體）和Exagan攜手開啟GaN（氮化鎵）發(fā)展新章節(jié)，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：

一、背景與意義

氮化鎵（GaN）作為一種III-V族寬能隙化合物半導體材料，因其獨特的物理特性（如3.4 eV的能隙和1,700 cm2/Vs的電子遷移率）而備受關(guān)注。相比硅基材料（能隙1.1 eV，電子遷移率1,400 cm2/Vs），GaN具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，能夠處理更大的負載，提高能效，并降低物料清單成本。這一特性使得GaN在高功耗、高密度系統(tǒng)、大數(shù)據(jù)服務(wù)器和計算機等領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力。

二、ST與Exagan的合作

1. 股權(quán)收購：

• ST在2020年3月收購了Exagan的多數(shù)股權(quán)，這一舉措標志著ST對GaN技術(shù)的長期承諾和投入。Exagan是一家擁有獨特外延層生長技術(shù)的法國創(chuàng)新型企業(yè)，也是少數(shù)能夠在8英寸（200毫米）晶圓上大規(guī)模部署和生產(chǎn)GaN功率器件的公司之一。

2. 技術(shù)整合與產(chǎn)品開發(fā)：

• 通過此次收購，ST不僅獲得了Exagan的外延工藝、產(chǎn)品開發(fā)和應(yīng)用經(jīng)驗，還增強了其在汽車、工業(yè)和消費級高頻大功率GaN領(lǐng)域的技術(shù)積累。ST和Exagan共同推進了GaN技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用，為市場帶來了更高效、更可靠的功率器件解決方案。

3. 產(chǎn)品推出：

• 2020年9月，ST推出了業(yè)內(nèi)首個600V系統(tǒng)級封裝MASTERGAN1。該系列產(chǎn)品采用半橋拓撲集成一個柵極驅(qū)動器和兩個增強式GaN晶體管，為設(shè)計高成本效益的筆記本電腦、手機等產(chǎn)品電源提供了新的選擇。這是市場上首個且唯一的集成兩個增強式GaN晶體管的系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品。

三、GaN技術(shù)的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

1. 優(yōu)勢：

• 高效能：GaN功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力，適合高功耗、高密度系統(tǒng)的應(yīng)用需求。

• 低成本：盡管初期投資可能較高，但GaN器件的物料清單成本更低，長期使用下來具有成本優(yōu)勢。

• 廣泛應(yīng)用：GaN器件在服務(wù)器、電信、工業(yè)、電動汽車和個人電子等多個領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用前景。

2. 挑戰(zhàn)：

• 設(shè)計復雜度：GaN器件的特性要求開發(fā)人員在設(shè)計時考慮更多因素，如柵極驅(qū)動、電壓和電流轉(zhuǎn)換速率等。

• 供應(yīng)鏈問題：部分工業(yè)產(chǎn)品制造商可能因擔心潛在的PCB重新設(shè)計或采購問題而避免使用GaN。

四、未來展望

隨著ST和Exagan在GaN技術(shù)領(lǐng)域的深入合作，GaN器件的大規(guī)模應(yīng)用將加速推進。更大的晶圓尺寸和更高的規(guī)模經(jīng)濟效益將進一步降低生產(chǎn)成本，提高產(chǎn)品競爭力。同時，隨著工程師對GaN技術(shù)了解和掌握程度的提高，GaN器件將在更多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，為行業(yè)帶來革命性的變化。

總之，ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)，不僅推動了GaN技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用，也為行業(yè)帶來了新的機遇和挑戰(zhàn)。隨著技術(shù)的不斷進步和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展，GaN器件的未來發(fā)展前景將更加廣闊。