第三代半導體材料氮化鎵(GaN)具有寬禁帶、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高飽和電子漂移速度等優(yōu)良特性,基于GaN材料的功率開關(guān)器件在高速、大功率領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。概述了GaN功率開關(guān)器件的研究現(xiàn)狀及最新進展。從材料外延與器件結(jié)構(gòu)切入,詳細介紹了Si基GaN外延晶圓、自支撐GaN垂直結(jié)構(gòu)場效應晶體管(FET)器件和增強型GaN功率器件的實現(xiàn)方法、結(jié)構(gòu)設計及制備工藝研究等GaN功率器件熱門研究方向。討論了GaN功率開關(guān)器件面臨的挑戰(zhàn)。最后對Si基GaN外延晶圓、增強型GaN功率開關(guān)器件產(chǎn)業(yè)化等發(fā)展趨勢進行了分析與展望。