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ROHM開發(fā)出內(nèi)置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”

來源: 中電網(wǎng)
2021-07-09
類別:新品快報
eye 17
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:ROHM開發(fā)出內(nèi)置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”

ROHM(羅姆)開發(fā)出的內(nèi)置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”是一款具有顯著技術(shù)突破和性能提升的產(chǎn)品。以下是對該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹:

一、產(chǎn)品概述

ROHM推出的“RGWxx65C系列”Hybrid IGBT產(chǎn)品,包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR等型號,均符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101。這些產(chǎn)品專為處理大功率的汽車電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備設(shè)計,如電動汽車(xEV)中的車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器,以及太陽能發(fā)電用的功率調(diào)節(jié)器等。

二、技術(shù)特點

  1. 內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管

    • “RGWxx65C系列”在IGBT的反饋單元(續(xù)流二極管)中采用了ROHM的低損耗SiC肖特基勢壘二極管(SiC SBD)。

    • 與傳統(tǒng)的Si快速恢復(fù)二極管(Si-FRD)相比,SiC SBD具有更低的開通損耗和更高的效率。

  2. 顯著降低損耗

    • 在車載充電器中采用“RGWxx65C系列”產(chǎn)品時,與以往的IGBT產(chǎn)品相比,損耗可降低67%。

    • 與通常損耗小于IGBT的超級結(jié)MOSFET(SJ-MOSFET)相比,損耗也可降低24%。

  3. 高效率

    • 新產(chǎn)品可以在更寬的工作頻率范圍內(nèi)確保97%以上的高效率。

    • 在100kHz的工作頻率下,效率可比IGBT高3%。

  4. 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)

    • 新系列產(chǎn)品符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101,確保在車載和工業(yè)設(shè)備等嚴(yán)苛環(huán)境下也能安心使用。.

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三、應(yīng)用領(lǐng)域

“RGWxx65C系列”Hybrid IGBT產(chǎn)品適用于多種應(yīng)用場景,包括但不限于:

  1. 車載充電器:用于電動汽車等車輛的充電系統(tǒng),提高充電效率和降低功耗。

  2. 車載DC/DC轉(zhuǎn)換器:用于將車輛的高壓電池電能轉(zhuǎn)換為低壓電能,為車載設(shè)備供電。

  3. 太陽能逆變器(功率調(diào)節(jié)器):用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,將太陽能板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電,并調(diào)節(jié)輸出功率。

  4. 不間斷電源裝置(UPS):用于為關(guān)鍵設(shè)備提供穩(wěn)定的電力供應(yīng),確保在電力故障時設(shè)備能夠正常運行。

四、市場前景與ROHM的承諾

隨著全球?qū)p少環(huán)境負(fù)荷和實現(xiàn)碳中和目標(biāo)的不斷努力,電動汽車等新能源汽車得到日益普及。ROHM通過推出“RGWxx65C系列”Hybrid IGBT產(chǎn)品,為新能源汽車和工業(yè)設(shè)備提供了更高性價比的功率半導(dǎo)體解決方案。ROHM將繼續(xù)致力于開發(fā)滿足各種需求的低損耗功率元器件,并提供設(shè)計工具和各種解決方案,以助力應(yīng)用系統(tǒng)的節(jié)能和小型化,為減輕環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn)。

綜上所述,ROHM開發(fā)出的內(nèi)置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”產(chǎn)品具有顯著的技術(shù)特點和性能優(yōu)勢,適用于多種應(yīng)用場景,并有望在未來市場中發(fā)揮重要作用。


責(zé)任編輯:David

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