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場效應管的三個電極分別是漏極D、源極S和柵極G
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是的，您說得對。場效應管（FET，F(xiàn)ield Effect Transistor）的三個核心電極分別是：漏極（D，Drain）、源極（S，Source）和柵極（G，Gate）。以下是對這三個電極的簡要說明：
漏極（D）：
漏極是FET的輸出電極，電流從這里流出FET。在FET工作時，漏極接收由源極經(jīng)過柵極控制的導電溝道流過的電流。
源極（S）：
源極是FET的輸入電極，也是提供載流子（電子或空穴）的電極。在FET中，源極與半導體材料的體部相連，是電流流出的起點。源極與柵極一起，通過柵極電壓的變化來控制導電溝道的開啟與關閉。
柵極（G）：
柵極是FET的控制電極，它并不直接參與電流的傳導，而是通過電場來控制源極和漏極之間的導電溝道。柵極與源極和漏極之間通過一層絕緣材料（如二氧化硅）隔開，當柵極上施加電壓時，會在絕緣層下方的半導體材料中感應出電荷，從而改變導電溝道的寬度和導電性。
這三個電極共同協(xié)作，使得FET能夠根據(jù)柵極電壓的變化來控制源極和漏極之間的電流，從而實現(xiàn)電壓控制電流的功能。FET因其低功耗、高輸入阻抗和低噪聲等特性，在電子電路中得到了廣泛應用。
責任編輯：Pan
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