場(chǎng)效應(yīng)管（FET，F(xiàn)ield Effect Transistor）的三個(gè)電極分別是柵極（G）、源極（S）和漏極（D）。以下是對(duì)這三個(gè)電極的圖解說明：

電極位置與功能

1. 柵極（G，Gate）：

• 位置：通常位于源極和漏極之間，且與其他兩個(gè)電極絕緣。

• 功能：控制電極，通過改變柵極電壓來控制源極和漏極之間的導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制漏極電流的大小。

2. 源極（S，Source）：

• 位置：在FET中，源極通常與柵極相近，是電流輸入的一端。

• 功能：為FET提供輸入電流，并與柵極一起形成導(dǎo)電溝道。

3. 漏極（D，Drain）：

• 位置：位于源極的另一側(cè)，是電流輸出的一端。

• 功能：接收從源極經(jīng)過導(dǎo)電溝道流過的電流，并將其輸出到外部電路。

圖解示例

（由于文字描述的限制，無法直接給出圖形，但以下描述可以幫助您在腦海中構(gòu)建場(chǎng)效應(yīng)管的電極布局）

• 想象一個(gè)平面圖形，其中柵極位于中間，呈條形或點(diǎn)狀，與其他部分絕緣。

• 源極和漏極分別位于柵極的兩側(cè)，它們之間通過一條假設(shè)的“導(dǎo)電溝道”相連（在FET未工作時(shí)，這條溝道并不真正存在，而是由柵極電壓控制開啟或關(guān)閉）。

• 當(dāng)柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí)，源極和漏極之間的導(dǎo)電溝道打開，允許電流從源極流向漏極。

注意事項(xiàng)

• 在實(shí)際電路中，場(chǎng)效應(yīng)管的電極布局和形狀可能因具體型號(hào)和封裝形式而有所不同。但無論何種形式，其基本原理和功能都是相同的。

• 在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，應(yīng)注意其極性（N溝道或P溝道）以及柵極電壓的控制范圍，以確保電路的正常工作。

綜上所述，場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極分別是柵極、源極和漏極，它們各自承擔(dān)著不同的功能，在電路中共同協(xié)作以實(shí)現(xiàn)電壓控制電流的目的。