安森美BAT54HT1G肖特基二極管中文詳細(xì)資料

型號(hào)與類(lèi)型

安森美（ON Semiconductor）的BAT54HT1G是一款廣泛應(yīng)用的肖特基勢(shì)壘二極管（Schottky Barrier Diode），屬于小信號(hào)肖特基二極管類(lèi)別。該型號(hào)的二極管以其獨(dú)特的性能和設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于各種高速開(kāi)關(guān)、電路保護(hù)和電壓箝位等場(chǎng)合。BAT54HT1G作為一種雙二極管（Dual Schottky Diode）器件，具有兩個(gè)獨(dú)立的Schottky二極管，能夠同時(shí)連接并保護(hù)兩個(gè)電路。

　　廠(chǎng)商名稱(chēng)：ON安森美

　　元件分類(lèi)：肖特基二極管

　　中文描述： 小信號(hào)肖特基二極管，單，30 V，200 mA，800 mV，600 mA，150°C

　　英文描述： Rectifier Diode Schottky 0.2A 5ns 2-Pin SOD-323 T/R

　　數(shù)據(jù)手冊(cè)：http://syqqgy.com/data/k02-24419166-BAT54HT1G.html

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　　BAT54HT1G概述

　　BAT54HT1G是一款肖特基勢(shì)壘二極管，設(shè)計(jì)用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用，電路保護(hù)與電壓鉗位.極低的正向電壓降低了傳導(dǎo)損耗.小型表面安裝封裝非常適合用于空間有限的手持式和便攜式應(yīng)用.

　　快速開(kāi)關(guān)速度

　　低正向電壓

　　無(wú)鹵素

　　200mW器件總功耗

　　應(yīng)用

　　電源管理，安全

　　BAT54HT1G中文參數(shù)

　　BAT54HT1G引腳圖

工作原理

肖特基勢(shì)壘二極管（Schottky Barrier Diode）的工作原理基于金屬與半導(dǎo)體之間的接觸勢(shì)壘。當(dāng)金屬與N型半導(dǎo)體材料接觸時(shí)，由于兩者的功函數(shù)（即電子逸出功）不同，會(huì)在接觸界面形成一個(gè)勢(shì)壘，稱(chēng)為肖特基勢(shì)壘。這個(gè)勢(shì)壘使得電子在正向偏置時(shí)能夠較容易地通過(guò)，而在反向偏置時(shí)則幾乎不能通過(guò)，從而實(shí)現(xiàn)了二極管的單向?qū)щ娦浴?/span>

BAT54HT1G作為肖特基二極管，其正向電壓非常低，這有助于降低傳導(dǎo)損耗，提高電路效率。同時(shí)，它的快速開(kāi)關(guān)特性使得它能夠在高頻和快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。在反向偏置時(shí)，BAT54HT1G能夠承受較高的反向電壓，從而保護(hù)電路免受反向電壓的損害。

特點(diǎn)

1. 極低的正向電壓：BAT54HT1G具有極低的正向電壓（典型值-0.35V @ IF=10mAdc），這大大降低了傳導(dǎo)損耗，提高了電路的效率。

2. 快速開(kāi)關(guān)速度：肖特基二極管以其快速的開(kāi)關(guān)速度著稱(chēng)，BAT54HT1G也不例外。其極短的開(kāi)關(guān)時(shí)間和反向恢復(fù)時(shí)間（如5ns的反向恢復(fù)時(shí)間）使得它非常適合于高頻和快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

3. 微型表面安裝封裝：BAT54HT1G采用SOT-23或SOD-323封裝，這是一種小型表面貼裝封裝，尺寸為2.9mm x 1.3mm x 1.1mm（或類(lèi)似尺寸），非常適合在空間有限的手持式和便攜式應(yīng)用中使用。

4. 高溫工作能力：BAT54HT1G能夠在較高的溫度下正常工作，其工作溫度范圍可達(dá)-55°C至+150°C，這使得它在汽車(chē)電子、工業(yè)控制等高溫環(huán)境下具有廣泛的應(yīng)用前景。

5. 低反向漏電流：BAT54HT1G具有低內(nèi)部漏電流特性，這有助于在關(guān)閉狀態(tài)下減少電流泄漏，降低功耗，提高電路效率。

6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)：該器件不含鉛、無(wú)鹵素/BFR，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全。

應(yīng)用

BAT54HT1G因其獨(dú)特的性能特點(diǎn)，在多個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用：

1. 電源管理：在電源管理領(lǐng)域，如開(kāi)關(guān)電源、逆變器、穩(wěn)壓器等電路中，BAT54HT1G可以用作保護(hù)器件，防止過(guò)電壓或反向電流對(duì)電路造成損害。

2. 信號(hào)處理：在模擬信號(hào)處理、數(shù)字信號(hào)處理等電路中，BAT54HT1G可以用作信號(hào)級(jí)聯(lián)保護(hù)元件，防止信號(hào)干擾或損壞。

3. 通信設(shè)備：在各類(lèi)通信設(shè)備中，如手機(jī)、無(wú)線(xiàn)路由器、通信基站等，BAT54HT1G可用于保護(hù)和限流，確保設(shè)備的正常工作。

4. 汽車(chē)電子：在汽車(chē)電子系統(tǒng)中，BAT54HT1G可用于防止車(chē)載電子設(shè)備受到車(chē)載電源電壓脈沖或反向電源的損害，確保汽車(chē)電子系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

5. 工業(yè)控制：在工業(yè)控制領(lǐng)域，BAT54HT1G可用于各種需要快速開(kāi)關(guān)和保護(hù)的電路，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、傳感器接口等。

參數(shù)

以下是BAT54HT1G的主要技術(shù)參數(shù)：

• 封裝：SOT-23或SOD-323

• 針腳數(shù)：2

• 工作溫度范圍：-55°C至+150°C

• 正向電流最大值：200mA

• 正向電壓最大值：600mV（或800mV @ 100mA）

• 反向電壓最大值：30V

• 反向恢復(fù)時(shí)間：5ns

• 耗散功率：200mW

• 電容：10pF @ 1V, 1MHz

• 反向漏電流：2μA @ 25V

• 正向浪涌電流：600mA

• 安裝類(lèi)型：表面貼裝型（SMD/SMT）

• RoHS：是

• 正向電壓（VF）：在指定的正向電流（如10mA）下，BAT54HT1G的正向電壓非常低，典型值約為0.35V。這一低正向電壓特性有助于減少在正向?qū)〞r(shí)的能量損耗，使得它在低功耗應(yīng)用中尤為適合。

• 反向擊穿電壓（VBR）：BAT54HT1G能夠承受的反向電壓最大值為30V，這意味著在反向電壓不超過(guò)此值時(shí)，二極管將保持截止?fàn)顟B(tài)，不會(huì)對(duì)電路產(chǎn)生不良影響。當(dāng)反向電壓超過(guò)此值時(shí)，二極管可能會(huì)損壞或進(jìn)入擊穿狀態(tài)，因此在實(shí)際應(yīng)用中需注意反向電壓的限制。

• 反向漏電流（IR）：在反向偏置條件下，BAT54HT1G的漏電流非常小，典型值在25V反向電壓下為2μA。這一低漏電流特性有助于減少在反向截止?fàn)顟B(tài)下的功耗，同時(shí)也有助于保護(hù)電路免受反向電流的損害。

• 開(kāi)關(guān)時(shí)間：BAT54HT1G具有極快的開(kāi)關(guān)時(shí)間，這包括開(kāi)啟時(shí)間和關(guān)閉時(shí)間。其反向恢復(fù)時(shí)間特別短，僅為5ns左右，這使得它在高頻和快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用中能夠迅速響應(yīng)，減少信號(hào)失真和延遲。

• 熱阻（θJA）：熱阻是衡量器件散熱性能的一個(gè)重要參數(shù)。BAT54HT1G的熱阻值較低，這意味著它能夠更有效地將內(nèi)部產(chǎn)生的熱量散發(fā)到周?chē)h(huán)境中，保持器件的工作溫度在正常范圍內(nèi)。

• 靜態(tài)電容（Cj）：BAT54HT1G的結(jié)電容（Cj）是其在高頻應(yīng)用中需要考慮的一個(gè)重要因素。結(jié)電容越小，器件在高頻下的性能越好。BAT54HT1G的結(jié)電容在1MHz頻率下約為10pF，這使得它在高頻電路中能夠表現(xiàn)出較好的性能。

• 封裝尺寸與重量：BAT54HT1G采用小型化的SOT-23或SOD-323封裝，尺寸緊湊且重量輕。這種封裝形式不僅便于在有限的空間內(nèi)安裝，還有助于減少整個(gè)電子產(chǎn)品的體積和重量。

• 選型與替換

• 在選擇BAT54HT1G作為電路中的元器件時(shí)，需要根據(jù)具體的電路要求和應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)確定其是否滿(mǎn)足需求。如果電路中的電壓、電流、頻率等參數(shù)超出了BAT54HT1G的規(guī)格范圍，則需要考慮選擇其他型號(hào)的肖特基二極管或采用其他類(lèi)型的二極管進(jìn)行替換。

• 在替換過(guò)程中，需要注意以下幾點(diǎn)：

• 參數(shù)匹配：確保替換器件的主要電氣參數(shù)（如正向電壓、反向擊穿電壓、最大電流等）與原器件相匹配或更優(yōu)。

• 封裝兼容性：檢查替換器件的封裝形式是否與原器件相同或兼容，以確保能夠順利安裝在電路板上。

• 環(huán)境適應(yīng)性：考慮替換器件是否能夠在電路的工作環(huán)境中正常工作，包括溫度范圍、濕度條件等。

• 成本效益：在保證性能和質(zhì)量的前提下，選擇成本更低的替換器件以提高產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。

• 總結(jié)

• 安森美BAT54HT1G肖特基二極管以其極低的正向電壓、快速的開(kāi)關(guān)速度、高溫工作能力以及小型化的封裝形式等特點(diǎn)，在電源管理、信號(hào)處理、通信設(shè)備、汽車(chē)電子和工業(yè)控制等多個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。通過(guò)深入了解其工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用以及技術(shù)參數(shù)等信息，我們可以更好地選擇和使用這款優(yōu)秀的元器件，為電路的設(shè)計(jì)和優(yōu)化提供有力支持。在未來(lái)的發(fā)展中，隨著電子技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展，BAT54HT1G肖特基二極管將繼續(xù)發(fā)揮其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，為電子行業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)自己的力量。