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ADI LT8646SEV DC-DC開關(guān)同步降壓穩(wěn)壓器中文資料

來源:
2024-07-23
類別:技術(shù)信息
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文章創(chuàng)建人 拍明芯城

ADI LT8646SEV DC-DC開關(guān)同步降壓穩(wěn)壓器中文資料

一、型號與類型

LT8646SEV是Analog Devices Inc.(ADI,亞德諾半導(dǎo)體)生產(chǎn)的一款高性能DC-DC開關(guān)同步降壓穩(wěn)壓器。它屬于LT8646S系列,專為需要高效率、低噪聲和寬輸入電壓范圍的應(yīng)用而設(shè)計。LT8646SEV以其獨特的Silent Switcher? 2架構(gòu),在高開關(guān)頻率下實現(xiàn)了優(yōu)異的EMI(電磁干擾)性能和高效率。

LT8646SEV圖片

  廠商名稱:ADI

  元件分類:開關(guān)穩(wěn)壓器

  中文描述: DC-DC開關(guān)同步降壓穩(wěn)壓器,可調(diào),3.4至65 V輸入,8A輸出,LQFN-EP-32

  英文描述: Switching Voltage Regulators 65V,7A sync buck(8645S w/external VC)

  數(shù)據(jù)手冊:http://syqqgy.com/data/k09-36652671-LT8646SEV#PBF.html

  在線購買:立即購買

  LT8646SEV概述

  LT8645S/LT8646S同步降壓穩(wěn)壓器采用第二代超低噪聲開關(guān)穩(wěn)壓器架構(gòu),較大程度地降低了EMI輻射,同時在高開關(guān)頻率下提供高效率。其中包含集成旁路電容以優(yōu)化內(nèi)部所有快速電流環(huán),并通過消除布局敏感性輕松實現(xiàn)宣傳的EMI性能。

  快速、干凈、低過沖開關(guān)邊沿即使在高開關(guān)頻率下也可以實現(xiàn)高效率工作,從而提供小型整體解決方案。具有40ns最短導(dǎo)通時間的峰值電流模式控制,即使在高開關(guān)頻率下也支持高降壓比。LT8646S提供外部補償,在高開關(guān)頻率下具有均流和快速瞬態(tài)響應(yīng)性能。

  突發(fā)工作模式(Burst Mode?)可實現(xiàn)超低待機功耗,跳脈沖模式在較低輸出負載下支持全開關(guān)頻率,或擴頻操作可進一步降低EMI輻射。

  應(yīng)用

  汽車和工業(yè)電源

  通用降壓

  GSM電源

  LT8646SEV中文參數(shù)

  制造商:Analog Devices Inc.

  產(chǎn)品種類:開關(guān)穩(wěn)壓器

  安裝風(fēng)格:SMD/SMT

  封裝/箱體:LQFN-32

  拓撲結(jié)構(gòu):Buck

  輸出電壓:3.3 V to 25 V

  輸出電流:8 A

  輸出端數(shù)量:1 Output

  輸入電壓(最小值):3.4 V

  輸入電壓(最大值):65 V

  靜態(tài)電流:230 uA

  開關(guān)頻率:200 kHz to 2.2 MHz

  最小工作溫度:-40 C

  最大工作溫度:+125 C

  系列:LT8646S

  輸入電壓:3.4 V to 65 V

  濕度敏感性:Yes

  產(chǎn)品類型:Switching Voltage Regulators

  關(guān)閉:Shutdown

  電源電壓-最小:3.4 V

  LT8646SEV引腳圖

image.png

二、工作原理

LT8646SEV的工作原理基于同步降壓穩(wěn)壓技術(shù),即將較高的輸入電壓轉(zhuǎn)換為較低的輸出電壓,同時保持穩(wěn)定的電流輸出。該穩(wěn)壓器采用PWM(脈沖寬度調(diào)制)或PFM(脈沖頻率調(diào)制)技術(shù),通過控制開關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷時間,調(diào)整輸出電壓至設(shè)定值。

  1. 開關(guān)管控制:LT8646SEV內(nèi)部集成了高邊和低邊MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),分別作為開關(guān)管。高邊MOSFET在輸入電壓和電感之間切換,而低邊MOSFET則在電感和地之間切換。通過控制這兩個MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷,實現(xiàn)了對輸出電壓的調(diào)節(jié)。

  2. 電感儲能:當(dāng)高邊MOSFET導(dǎo)通時,電流通過電感增加,儲存能量;當(dāng)高邊MOSFET關(guān)斷且低邊MOSFET導(dǎo)通時,電感釋放能量,向負載供電。這一過程中,輸出電壓通過反饋機制與設(shè)定值進行比較,并根據(jù)比較結(jié)果調(diào)整開關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷時間,以保持輸出電壓的穩(wěn)定。

  3. 反饋機制:LT8646SEV采用電壓反饋和電流反饋相結(jié)合的方式,確保輸出電壓和電流的準確性。電壓反饋通過檢測輸出電壓并與設(shè)定值進行比較,調(diào)整開關(guān)管的占空比;電流反饋則通過檢測電感電流,防止過流和短路情況的發(fā)生。

三、特點

  1. 超低EMI輻射:LT8646SEV采用Silent Switcher? 2架構(gòu),集成了內(nèi)部旁路電容器,優(yōu)化了內(nèi)部快速電流環(huán),顯著降低了EMI輻射。這一特性使得該穩(wěn)壓器在噪聲敏感的應(yīng)用和環(huán)境中表現(xiàn)出色。

  2. 高效率:在高開關(guān)頻率下,LT8646SEV依然能保持高效率。其峰值電流模式控制以及快速、干凈、低過沖的開關(guān)邊沿,使得該穩(wěn)壓器在高頻工作時也能實現(xiàn)高效能。

  3. 寬輸入電壓范圍:支持3.4V至65V的寬輸入電壓范圍,適用于多種電源系統(tǒng)。

  4. 高輸出電流:最大輸出電流可達8A,滿足高功率應(yīng)用的需求。

  5. 快速瞬態(tài)響應(yīng):LT8646S通過VC引腳提供外部補償,實現(xiàn)高開關(guān)頻率下的均流和快速瞬態(tài)響應(yīng)。

  6. 超低待機功耗:Burst Mode?工作模式可實現(xiàn)超低待機電流消耗,進一步降低系統(tǒng)功耗。

  7. 小型封裝:采用32引腳LQFN封裝,尺寸為6mm x 4mm,節(jié)省了PCB空間。

  8. 可調(diào)及可同步頻率:開關(guān)頻率可調(diào)范圍為200kHz至2.2MHz,并支持與其他穩(wěn)壓器同步。

四、應(yīng)用

LT8646SEV廣泛應(yīng)用于需要高效率、低噪聲和寬輸入電壓范圍的場合,包括但不限于:

  1. 汽車電源:在汽車電子系統(tǒng)中,LT8646SEV可用于發(fā)動機控制單元、車載娛樂系統(tǒng)、車載導(dǎo)航系統(tǒng)等電源管理。

  2. 工業(yè)電源:在工業(yè)自動化、通信設(shè)備和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域,LT8646SEV可用于為各種設(shè)備提供穩(wěn)定可靠的電源。

  3. GSM電源:在移動通信基站中,LT8646SEV可用于為基站設(shè)備提供高效、穩(wěn)定的電源支持。

  4. 通用降壓應(yīng)用:在需要降壓轉(zhuǎn)換的各類電子設(shè)備中,如筆記本電腦、平板電腦、智能手機等,LT8646SEV均可作為理想的電源管理解決方案。

五、參數(shù)

以下是LT8646SEV的主要參數(shù):

  • 制造商:Analog Devices Inc.(ADI)

  • 產(chǎn)品種類:開關(guān)穩(wěn)壓器

  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT

  • 封裝/箱體:LQFN-32

  • 輸出電壓:3.3V至25V(可調(diào))

  • 輸出電流:8A

  • 輸出端數(shù)量:1 Output

  • 輸入電壓(最小值):3.4V

  • 輸入電壓(最大值):65V

  • 靜態(tài)電流:230μA

  • 開關(guān)頻率:200kHz至2.2MHz(可調(diào)且可同步)

  • 電壓調(diào)節(jié)精度:±1%

  • 負載調(diào)節(jié):典型值<0.1%

  • 線路調(diào)節(jié):典型值<0.1%

  • 轉(zhuǎn)換效率:高達96%(取決于具體條件)

  • 過流保護:具備,可編程或固定閾值

  • 過熱保護:內(nèi)置

  • 軟啟動:可編程軟啟動時間

  • 欠壓鎖定(UVLO):具備,可編程閾值

  • 封裝尺寸:6mm x 4mm x 0.9mm(LQFN-32)

  • 工作溫度范圍:-40°C至+125°C(工業(yè)級)

六、設(shè)計注意事項

在設(shè)計使用LT8646SEV的電路時,需要注意以下幾點:

  1. 輸入電容選擇:為確保輸入電壓的穩(wěn)定性和減少輸入電壓的紋波,應(yīng)在輸入端添加適當(dāng)?shù)碾娊怆娙莺吞沾呻娙?。電容的選擇應(yīng)基于輸入電壓范圍、工作頻率和所需紋波抑制效果。

  2. 輸出電容選擇:輸出電容的選擇對輸出電壓的紋波和穩(wěn)定性有重要影響。通常選擇低ESR(等效串聯(lián)電阻)的陶瓷電容或鉭電容,以提供良好的瞬態(tài)響應(yīng)和穩(wěn)定性。

  3. 電感選擇:電感是降壓穩(wěn)壓器中的關(guān)鍵元件,其選擇直接影響輸出電壓的紋波、效率和穩(wěn)定性。電感的值應(yīng)根據(jù)輸出電壓、輸出電流和開關(guān)頻率來確定。

  4. 布局與布線:由于LT8646SEV工作在高頻下,因此PCB的布局和布線對性能至關(guān)重要。應(yīng)盡量縮短高邊和低邊MOSFET到電感的路徑,以減少寄生電感和電阻。同時,避免將高頻信號線與敏感信號線(如模擬信號線)并行布置,以減少串?dāng)_。

  5. 散熱設(shè)計:在高負載條件下,LT8646SEV可能會產(chǎn)生一定的熱量。因此,在設(shè)計時應(yīng)考慮散熱問題,如使用散熱片、增加空氣流通或降低環(huán)境溫度等。

  6. 保護電路設(shè)計:為了確保系統(tǒng)的可靠性和安全性,應(yīng)設(shè)計適當(dāng)?shù)谋Wo電路,如過流保護、過壓保護、過熱保護和短路保護等。LT8646SEV內(nèi)置了部分保護功能,但可能還需要外部電路來增強保護效果。

七、調(diào)試與測試

在完成LT8646SEV的電路設(shè)計后,需要進行調(diào)試和測試以確保其性能符合設(shè)計要求。調(diào)試和測試的主要步驟包括:

  1. 靜態(tài)測試:在無負載或輕負載條件下,測量輸入電壓、輸出電壓和電流等參數(shù),以驗證穩(wěn)壓器的基本功能。

  2. 動態(tài)測試:在負載變化的情況下,觀察輸出電壓的瞬態(tài)響應(yīng)和穩(wěn)定性??梢酝ㄟ^連接負載電阻或使用電子負載來模擬負載變化。

  3. 效率測試:在不同負載條件下測量輸入功率和輸出功率,計算轉(zhuǎn)換效率。確保在整個負載范圍內(nèi)都能保持較高的效率。

  4. EMI測試:使用EMI測試設(shè)備測量穩(wěn)壓器在工作時的電磁輻射水平,確保符合相關(guān)標準和要求。

  5. 溫度測試:在高溫和低溫環(huán)境下測試穩(wěn)壓器的性能,驗證其在不同溫度條件下的穩(wěn)定性和可靠性。

通過以上調(diào)試和測試步驟,可以確保LT8646SEV在實際應(yīng)用中能夠穩(wěn)定、高效地工作。

八、總結(jié)

LT8646SEV作為一款高性能的DC-DC開關(guān)同步降壓穩(wěn)壓器,以其超低EMI輻射、高效率、寬輸入電壓范圍和低待機功耗等特點,在汽車電子、工業(yè)電源、GSM電源以及各類需要高效電源管理的電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。通過合理的電路設(shè)計和調(diào)試測試,可以充分發(fā)揮LT8646SEV的性能優(yōu)勢,為系統(tǒng)提供穩(wěn)定可靠的電源支持。

責(zé)任編輯:David

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