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LT8609、LT8609A、LT8609B和LT8609S同步降壓穩(wěn)壓器,2.5μA靜態(tài)電流和超低EMI發(fā)射

來源:
2023-07-12
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
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文章創(chuàng)建人 拍明芯城

  介紹

  LT8609、LT8609A、LT8609B和LT8609S是同步單片降壓穩(wěn)壓器,具有寬3 V至42 V輸入范圍。該器件系列針對(duì)要求低EMI、高效率和小尺寸解決方案的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,適用于要求苛刻的汽車、工業(yè)、計(jì)算和通信應(yīng)用。本系列所有穩(wěn)壓器具有相同的2 A連續(xù),3 A瞬態(tài)(<1秒)負(fù)載電流能力。表1總結(jié)了它們的特點(diǎn)。

  部分包表演操作模式

  LT860910-lead MSE效率高突發(fā)模式操作,跳頻模式,擴(kuò)頻模式,同步模式

  LT8609A10-lead MSE優(yōu)化了效率和EMI性能突發(fā)模式操作,跳頻模式,擴(kuò)頻模式,同步模式

  LT8609B10-lead MSE效率高Pulse-sakipping模式

  LT8609S16-lead LQFNSilent Switcher 2技術(shù)結(jié)合最佳效率和EMI性能= 0.444突發(fā)模式操作,跳頻模式,擴(kuò)頻模式,同步模式

  LT8609、LT8609A和LT8609S具有2.5μA的超低靜態(tài)電流,這對(duì)于電池供電系統(tǒng)非常重要。憑借集成的頂部和底部n溝道m(xù)osfet,穩(wěn)壓器表現(xiàn)出令人印象深刻的輕負(fù)載效率。LT8609B僅工作在脈沖跳變模式下,具有比其他器件更高的靜態(tài)電流,并且在輕負(fù)載工作時(shí)提供更低的紋波。

  所有這些設(shè)備都可以通過CISPR 25 5級(jí)電磁干擾法規(guī),這是汽車設(shè)備最嚴(yán)格的電磁干擾標(biāo)準(zhǔn)。此外,LT8609, LT8609A和LT8609S具有擴(kuò)頻頻率操作以降低EMI峰值。LT8609S顯示了該系列中最令人印象深刻的EMI性能,基于其專有的Silent Switcher 2技術(shù),如下所述。

  5.5 V至42v輸入,低電磁干擾,高效率5v, 2a電源

  5.5 V ~ 42v輸入到5v / 2a輸出的電源如圖1所示。該解決方案采用16引線LT8609S穩(wěn)壓器,開關(guān)頻率為2 MHz。完整的解決方案只需要幾個(gè)元件,包括電感L1和幾個(gè)無源元件。圖2顯示,該解決方案可以達(dá)到92.9%的峰值效率。

  


  圖1所示。超低電磁干擾發(fā)射LT8609S 12v到5v同步降壓轉(zhuǎn)換器。

  


  圖2。基于LT8609/LT8609A/ lt8609s的12 V(IN)至5 V(OUT)降壓轉(zhuǎn)換器的效率與負(fù)載電流的關(guān)系。

  突發(fā)模式操作,提高輕負(fù)載效率

  在輕載運(yùn)行和空載待機(jī)模式下,高效率和低空閑電流對(duì)電池供電的應(yīng)用至關(guān)重要。LT8609、LT8609A和LT8609S在突發(fā)模式 下具有低2.5μa的靜態(tài)電流。在輕載和空載情況下,開關(guān)頻率逐漸降低,大大降低了功率損耗,同時(shí)保持了較低的輸出電壓紋波。圖2顯示,在最小負(fù)載下,輕載效率保持在85%以上,而功率損耗接近于零。

  高開關(guān)頻率,超低電磁干擾,提高熱性能

  EMI合規(guī)性在許多環(huán)境中都是一個(gè)問題,包括汽車系統(tǒng)。憑借集成的mosfet,先進(jìn)的工藝技術(shù)和高達(dá)2.2 MHz的工作,該系列中的所有器件都可以實(shí)現(xiàn)小的解決方案尺寸,同時(shí)滿足最嚴(yán)格的EMI標(biāo)準(zhǔn)。擴(kuò)頻頻率操作可以降低EMI峰值,但LT8609B除外。此外,LT8609S集成了靜音切換器2技術(shù)。Silent Switcher 2器件具有集成的熱環(huán)路和暖環(huán)路帽,使EMI性能不受板布局和板層數(shù)的影響。層數(shù)較少的電路板可以在不犧牲電磁干擾和熱性能的情況下降低制造成本。

  圖2顯示LT8609S具有該器件系列中最佳的峰值和滿載效率。圖3和圖4顯示了圖1解決方案在2層和4層板上的CISPR 25 EMI和熱性能比較。

  


  圖3。CISPR 25對(duì)圖1中電路的2層板和4層板的EMI性能進(jìn)行了比較。

  


  圖4。圖1中電路的2層板和4層板的熱性能比較。

  結(jié)論

  LT8609系列器件易于使用集成功率mosfet和內(nèi)置補(bǔ)償電路的單片降壓穩(wěn)壓器。它們針對(duì)寬輸入電壓范圍和低EMI噪聲要求的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。低,2.5μA靜態(tài)電流和突發(fā)模式操作使其成為優(yōu)秀的電池供電降壓轉(zhuǎn)換器解決方案。200 kHz至2.2 MHz的開關(guān)頻率范圍使其適用于大多數(shù)低功率到微功率應(yīng)用。集成的mosfet和高達(dá)2.2 MHz的開關(guān)頻率能力最大限度地減少了解決方案的尺寸。CISPR 25掃描結(jié)果顯示優(yōu)秀的額定EMI性能,符合最嚴(yán)格的EMI標(biāo)準(zhǔn)。LT8609S中的Silent Switcher 2技術(shù)使其性能不受布局和層變化的影響,從而大大降低了開發(fā)和制造成本。


責(zé)任編輯:David

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標(biāo)簽: 同步降壓穩(wěn)壓器

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