華邦Winbond W25Q16JVSSIQ FLASH存儲芯片中文資料


華邦Winbond W25Q16JVSSIQ FLASH存儲芯片中文資料
華邦(Winbond)W25Q16JVSSIQ是一款16Mb(兆位)的串行Flash存儲芯片。它采用了標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍接口(SPI)協(xié)議,具有廣泛的應(yīng)用范圍。W25Q16JV系列芯片有多種封裝形式可供選擇,其中SSIQ代表了8-SOP(150mil)的封裝形式,這是一種常見的、使用廣泛的封裝類型。
該系列芯片包括多個不同的容量和封裝型號,覆蓋從4Mb到256Mb的存儲容量,以滿足不同應(yīng)用需求。W25Q16JVSSIQ是其中的一款,具有如下特點:
封裝類型:8-SOP(150mil)
存儲容量:16Mb
接口類型:SPI
電壓范圍:2.7V至3.6V
廠商名稱:華邦Winbond
元件分類:FLASH存儲芯片
中文描述: 華邦,閃存芯片, 16Mbit (2M x 8), 串行接口, 8引腳 SOIC封裝
英文描述: Winbond,spiFlash,3V,16M-bit,4Kb Uniform Sector
數(shù)據(jù)手冊:http://syqqgy.com/data/k01-36739070-W25Q16JVSSIQ.html
在線購買:立即購買
W25Q16JVSSIQ中文參數(shù)
制造商: | Winbond | 接口類型: | SPI |
產(chǎn)品種類: | NOR閃存 | 最大時鐘頻率: | 133 MHz |
安裝風(fēng)格: | SMD/SMT | 組織: | 2 M x 8 |
封裝 / 箱體: | SOIC-8 | 數(shù)據(jù)總線寬度: | 8 bit |
系列: | W25Q16JV | 定時類型: | Synchronous |
存儲容量: | 16 Mbit | 最小工作溫度: | - 40 C |
電源電壓-最小: | 2.7 V | 最大工作溫度: | + 85 C |
電源電壓-最大: | 3.6 V | 商標(biāo): | Winbond |
電源電流—最大值: | 25 mA | 濕度敏感性: | Yes |
W25Q16JVSSIQ概述
16MB串行閃存,具有統(tǒng)一的4KB扇區(qū)和雙路/四路SPI
統(tǒng)一的4KB可擦除扇區(qū)和32KB/64KB可擦除塊
頁編程時間為0.4mS(典型值)
連續(xù)讀取,8/16/32/64字節(jié)包繞
時鐘工作頻率高達133MHz(雙路/四路SPI時分別為266/532MHz)
2.7至3.6V電源
2mA有源讀取電流、<1μA斷電電流
-40°C至+85°C工作范圍
編程/擦除暫停/恢復(fù)、暫停狀態(tài)位
工廠編程的唯一ID
具有雙路/四路SPI的電子ID,為頂部或底部塊提供硬件和軟件寫入保護
易失和非易失狀態(tài)寄存器位
鎖定和OTP保護
串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù)(SFDP)
3x256字節(jié)安全寄存器,帶OTP鎖
補充陣列保護位
單個塊/扇區(qū)寫入保護
軟件重置和可配置硬件/復(fù)位引腳
可編程輸出驅(qū)動器強度
W25Q16JVSSIQ引腳圖
工作原理
W25Q16JVSSIQ采用了串行Flash存儲技術(shù),通過SPI接口進行數(shù)據(jù)讀寫操作。它內(nèi)部包含以下主要模塊:
存儲陣列:這是實際存儲數(shù)據(jù)的區(qū)域,分為多個扇區(qū)和塊,便于數(shù)據(jù)管理和擦寫操作。
控制邏輯:負責(zé)管理芯片的操作,包括指令解碼、地址生成和數(shù)據(jù)傳輸控制。
輸入/輸出(I/O)引腳:包括SPI總線的所有信號引腳,如MOSI、MISO、SCLK和CS。
電源管理模塊:確保芯片在各種電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
SPI接口是一種全雙工同步串行通信協(xié)議,通常包括四個信號引腳:
MOSI(Master Out Slave In):主機輸出從機輸入,用于從主機傳輸數(shù)據(jù)到從機。
MISO(Master In Slave Out):主機輸入從機輸出,用于從從機傳輸數(shù)據(jù)到主機。
SCLK(Serial Clock):串行時鐘,由主機產(chǎn)生,用于同步數(shù)據(jù)傳輸。
CS(Chip Select):芯片選擇信號,由主機控制,用于選擇要通信的從機。
在工作時,主機通過拉低CS引腳選擇W25Q16JVSSIQ,然后通過MOSI引腳發(fā)送指令和地址,芯片接收到指令后,根據(jù)需要執(zhí)行讀寫或擦除操作,并通過MISO引腳返回數(shù)據(jù)。
特點
W25Q16JVSSIQ具有許多獨特的特點,使其在各類應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)越:
高速性能:支持高達104MHz的時鐘頻率,提供快速的讀寫速度。
低功耗:具備深度電源下降模式和待機模式,降低功耗。
寬電壓范圍:工作電壓從2.7V到3.6V,適應(yīng)各種電源環(huán)境。
數(shù)據(jù)保護功能:包括軟件寫保護和硬件寫保護,提供可靠的數(shù)據(jù)保護機制。
靈活的扇區(qū)/塊擦除:支持4KB扇區(qū)擦除、32KB和64KB塊擦除,以及全芯片擦除,便于數(shù)據(jù)管理。
高可靠性:采用先進的工藝技術(shù),具有10萬次的擦寫壽命和20年的數(shù)據(jù)保持能力。
應(yīng)用
W25Q16JVSSIQ因其出色的性能和多樣的功能,被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
嵌入式系統(tǒng):作為固件和配置數(shù)據(jù)的存儲器,提供可靠的數(shù)據(jù)存儲解決方案。
消費電子:在智能手機、平板電腦、數(shù)字相機等設(shè)備中,用于存儲操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。
工業(yè)控制:在工業(yè)自動化設(shè)備中,用于存儲控制程序和操作參數(shù)。
汽車電子:在汽車電子控制單元(ECU)中,用于存儲固件和運行數(shù)據(jù)。
物聯(lián)網(wǎng)(IoT):在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中,用于存儲設(shè)備固件和傳感器數(shù)據(jù)。
網(wǎng)絡(luò)通信:在路由器、交換機等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中,用于存儲操作系統(tǒng)和配置數(shù)據(jù)。
參數(shù)
W25Q16JVSSIQ的詳細參數(shù)如下:
存儲容量:16Mb(2MB)
接口類型:SPI
時鐘頻率:最高104MHz
工作電壓:2.7V至3.6V
待機電流:典型值10μA
深度掉電模式電流:典型值1μA
擦寫壽命:10萬次擦寫周期
數(shù)據(jù)保持時間:20年
工作溫度范圍:-40°C至+85°C
扇區(qū)大小:4KB
塊大小:32KB、64KB
數(shù)據(jù)傳輸速率:雙輸出模式下最高可達208Mbps
通過這些詳細的參數(shù),可以看出W25Q16JVSSIQ在性能和可靠性方面具有顯著優(yōu)勢,能夠滿足多種應(yīng)用場景的需求。
綜上所述,華邦Winbond W25Q16JVSSIQ Flash存儲芯片憑借其高性能、低功耗和高可靠性,成為眾多電子設(shè)備和系統(tǒng)的理想選擇。
責(zé)任編輯:David
【免責(zé)聲明】
1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來源于網(wǎng)絡(luò)引用或其他公開資料,版權(quán)歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權(quán)所有方對本文的引用持有異議,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學(xué)習(xí)使用,不涉及商業(yè)目的。
3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點,拍明芯城不對內(nèi)容的準(zhǔn)確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨立判斷做出的,請讀者明確相關(guān)結(jié)果。
4、如需轉(zhuǎn)載本方擁有版權(quán)的文章,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉(zhuǎn)載原因”。未經(jīng)允許私自轉(zhuǎn)載拍明芯城將保留追究其法律責(zé)任的權(quán)利。
拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權(quán)。