WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH是一種常見(jiàn)的閃存存儲(chǔ)設(shè)備，具有廣泛的應(yīng)用。本文將對(duì)該型號(hào)的類型、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用以及參數(shù)進(jìn)行詳細(xì)介紹，以幫助讀者更好地了解這一設(shè)備。

中文描述： NAND閃存1G-bit Serial NAND flash,3V

英文描述： 1Gb Serial NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size and set Buffer Read Mode as default

W25N01GVZEIG中文參數(shù)

W25N01GVZEIG概述

W25N01GV(1G位)串行SLC NAND閃存為空間、引腳和功耗有限的系統(tǒng)提供了存儲(chǔ)解決方案。W25N SpiFlash系列采用流行的SPI接口和傳統(tǒng)的大容量NAND非易失性存儲(chǔ)器空間。它們非常適合將代碼影射到RAM，直接從雙/四SPI(XIP)執(zhí)行代碼，以及存儲(chǔ)語(yǔ)音、文本和數(shù)據(jù)。該器件采用2.7V至3.6V單電源供電，工作電流低至25mA，待機(jī)電流為10μA。

W25N SpiFlash系列的所有器件都采用節(jié)省空間的封裝，這在過(guò)去是典型的NAND閃存無(wú)法做到的。W25N01GV 1G位存儲(chǔ)器陣列分為65,536個(gè)可編程頁(yè)面，每個(gè)頁(yè)面2,048字節(jié)?？梢允褂?,048字節(jié)內(nèi)部緩沖器中的數(shù)據(jù)一次性對(duì)整個(gè)頁(yè)面進(jìn)行編程。頁(yè)面可以64個(gè)為一組進(jìn)行擦除(128KB塊擦除)。W25N01GV有1,024個(gè)可擦除塊。

W25N01GV支持標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口(SPI)、雙/四輸入/輸出SPI：串行時(shí)鐘、芯片選擇、串行數(shù)據(jù)I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2(/WP)和I/O3(/HOLD)。W25N01GV支持高達(dá)104MHz的SPI時(shí)鐘頻率，使用快速讀取雙通道/四通道I/O指令時(shí)，雙通道I/O的等效時(shí)鐘頻率為208MHz(104MHz x 2)，四通道I/O的等效時(shí)鐘頻率為416MHz(104MHz x 4)。

W25N01GV提供全新的連續(xù)讀取模式，只需一條讀取指令即可高效訪問(wèn)整個(gè)存儲(chǔ)器陣列。保持引腳、寫(xiě)保護(hù)引腳和可編程寫(xiě)保護(hù)提供了進(jìn)一步的控制靈活性。此外，該器件還支持JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的制造商和器件ID、一個(gè)2048字節(jié)的唯一ID頁(yè)、一個(gè)2048字節(jié)的參數(shù)頁(yè)和十個(gè)2048字節(jié)的OTP頁(yè)。為了提供更好的NAND閃存可管理性，W25N01GV還提供了用戶可配置的內(nèi)部ECC和壞塊管理功能。

W25N01GVZEIG TR規(guī)格參數(shù)

1. 型號(hào)類型

WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH是一種NAND閃存型號(hào)，具體型號(hào)標(biāo)識(shí)為W25N01GVZEIG。它是一種非易失性存儲(chǔ)器，可用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序代碼。

2. 工作原理

NAND閃存通過(guò)存儲(chǔ)電荷在浮動(dòng)?xùn)胖衼?lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。其工作原理基于在晶體管浮動(dòng)?xùn)胖g的電子堆積。當(dāng)電子被注入浮動(dòng)?xùn)艜r(shí)，它們改變了柵與源/漏之間的閾值電壓，從而表示1或0的邏輯狀態(tài)。

寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，通過(guò)在浮動(dòng)?xùn)胖凶⑷腚娮踊蛘咔宄娮觼?lái)改變存儲(chǔ)單元的狀態(tài)。讀取數(shù)據(jù)時(shí)，浮動(dòng)?xùn)诺碾姾杀粰z測(cè)，以確定存儲(chǔ)單元的狀態(tài)。這種基于電荷積累的機(jī)制使得NAND閃存具有快速的寫(xiě)入和擦除速度。

3. 特點(diǎn)

• 高速寫(xiě)入和擦除：NAND閃存具有快速的寫(xiě)入和擦除速度，使其適用于需要頻繁數(shù)據(jù)更新的應(yīng)用。

• 高密度存儲(chǔ)：NAND閃存可以實(shí)現(xiàn)高密度的存儲(chǔ)，使其在存儲(chǔ)容量要求較高的應(yīng)用中得到廣泛應(yīng)用。

• 低功耗：相比于傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤(pán)，NAND閃存具有較低的功耗，有助于延長(zhǎng)電池壽命。

• 良好的耐久性：NAND閃存具有較長(zhǎng)的使用壽命和良好的耐久性，可滿足長(zhǎng)期數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求。

4. 應(yīng)用

WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH在各種領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用，包括但不限于：

• 嵌入式系統(tǒng)：用于存儲(chǔ)固件、操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序代碼。

• 移動(dòng)設(shè)備：用于存儲(chǔ)手機(jī)、平板電腦和便攜式音頻/視頻設(shè)備的數(shù)據(jù)。

• 汽車電子：用于存儲(chǔ)汽車信息娛樂(lè)系統(tǒng)、導(dǎo)航系統(tǒng)和車輛控制單元的數(shù)據(jù)。

• 工業(yè)控制：用于存儲(chǔ)傳感器數(shù)據(jù)、控制參數(shù)和日志記錄。

5. 參數(shù)

• 存儲(chǔ)容量：1Gb（Gigabit）

• 工作電壓：2.7V至3.6V

• 工作溫度范圍：-40°C至85°C

• 封裝類型：8引腳SON（Small Outline No lead）

• 接口類型：SPI（Serial Peripheral Interface）

以上是WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH的一些基本參數(shù)，這些參數(shù)可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求進(jìn)行調(diào)整和配置。

通過(guò)本文的介紹，讀者可以更深入地了解WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH的型號(hào)類型、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用和參數(shù)，從而更好地應(yīng)用于實(shí)際項(xiàng)目中。