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反向MOSFET幫助555振蕩器忽略電源和溫度變化
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原標題：反向MOSFET幫助555振蕩器忽略電源和溫度變化
反向MOSFET在幫助555振蕩器忽略電源和溫度變化方面，主要通過特定的電路設(shè)計和連接方式來實現(xiàn)。以下是對此過程的詳細解釋：
原理概述：
利用反極性P溝道MOSFET（如Q1）來引導C1（通常是一個電容器）的充電電流，而不產(chǎn)生明顯的壓降。這樣的設(shè)計能夠產(chǎn)生與溫度和電源電壓V+無關(guān)的時序設(shè)計方程。
時序設(shè)計方程：
T+ = R1C1ln((2/3V+)/(1/3V+)) = R1C1ln(2)
T- = R1C1ln((2/3V+)/(1/3V+)) = R1C1ln(2)
Fosc（振蕩頻率） = 1/(ln(2)/((R1+R2)C1)) = 1.44/(P1C1)（其中P1為某種與R1和R2相關(guān)的參數(shù)）
在不考慮溫度和V+的影響下，得到新的時序設(shè)計方程如下：
電路連接：
將MOSFET Q1“反向”連接，即將其漏極引腳而非源極引腳連接到正電壓源。這種連接方式可以避免在555電路輸出引腳將漏極引腳驅(qū)動為低電平，而C1將R2連接的引腳保持為高電平時，對FET體二極管形成正向偏置。
功能實現(xiàn)：
通過上述設(shè)計，在不影響555電路固有精度的情況下，實現(xiàn)了可變占空比/恒定頻率的功能。這意味著，無論電源電壓V+如何變化，或者環(huán)境溫度如何波動，555振蕩器都能夠保持穩(wěn)定的頻率輸出。
總結(jié)：
反向MOSFET在555振蕩器中的應(yīng)用，通過其特定的連接方式和電路設(shè)計，有效地消除了電源和溫度變化對振蕩器性能的影響，提高了其穩(wěn)定性和可靠性。這種設(shè)計在需要高精度和穩(wěn)定輸出的電子電路中具有廣泛的應(yīng)用前景。
責任編輯：David
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