原標(biāo)題：功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)

功率MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的選型是一個(gè)關(guān)鍵步驟，涉及到系統(tǒng)設(shè)計(jì)的多個(gè)方面。以下是根據(jù)參考文章整理的功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)：

1. 選擇N溝道還是P溝道：

• N溝道MOSFET：型號(hào)多，成本低，導(dǎo)通電阻小，發(fā)熱量低，允許通過的電流大，應(yīng)用場景廣泛。但如果S極連接端的電壓不是系統(tǒng)的參考地，則需要復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)電路，如浮地供電電源驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)或自舉驅(qū)動(dòng)。

• P溝道MOSFET：型號(hào)較少，成本高，但驅(qū)動(dòng)簡單。

2. 確定封裝類型：

• 考慮溫升和熱設(shè)計(jì)，選取封裝的基本原則是在保證MOSFET的溫升和系統(tǒng)效率的前提下，選擇參數(shù)和封裝更通用的型號(hào)。

• 還需考慮系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)尺寸限制、功耗或散熱需求，以及生產(chǎn)、裝配、維修的效率和便利性。

3. 選取耐壓BVdss：

• 預(yù)留足夠的余量，因?yàn)閂DS中的最高尖峰電壓如果大于BVdss，即便只有短暫的時(shí)間，也可能導(dǎo)致MOSFET損壞。

• 考慮雪崩電壓通常發(fā)生在1.2～1.3倍的BVDSS，并且持續(xù)的時(shí)間較長。

4. 選取Id電流：

• Id電流代表MOSFET能流過的最大電流，超過這個(gè)值可能導(dǎo)致?lián)p壞。

• 考慮連續(xù)工作電流和電涌帶來的尖峰電流，確保MOSFET能夠承受最大電流值。

• Id電流具有負(fù)溫度系數(shù)，高溫時(shí)電流值會(huì)降低，因此需要考慮高溫時(shí)的Id值。

1. 選取柵極閾值電壓Vth：

• Vth是指當(dāng)源極與漏極之間有指定電流時(shí)，柵極使用的電壓。

• 選擇時(shí)需要考慮電路需求和驅(qū)動(dòng)電壓，不同電子系統(tǒng)可能需要不同閾值電壓的MOSFET。

• 閾值電壓越高，抗干擾性能越強(qiáng)，可以減少尖峰脈沖造成的電路誤觸發(fā)。

2. 考慮功率需求：

• 根據(jù)應(yīng)用場景的功率需求確定MOSFET的耐壓和最大電流。大功率需求選擇大功率MOSFET，反之選擇小功率MOSFET。

3. 考慮開關(guān)速度：

• 根據(jù)應(yīng)用場景需要的開關(guān)速度，選擇MOSFET的恢復(fù)時(shí)間、開啟時(shí)間和關(guān)閉時(shí)間。

4. 考慮溫度：

• 選擇能適應(yīng)應(yīng)用場景最高工作溫度的MOSFET。

5. 考慮負(fù)載類型：

• 根據(jù)應(yīng)用場景的負(fù)載類型選擇合適的MOSFET。例如，電阻性負(fù)載需要高電流的MOSFET，而電容性負(fù)載需要高速的MOSFET。

6. 品牌和價(jià)格：

• 不同品牌的MOSFET在性能、可靠性和價(jià)格方面存在差異。選擇性價(jià)比較高的MOSFET。

綜上所述，功率MOSFET的選型需要綜合考慮多個(gè)因素，包括溝道類型、封裝類型、耐壓、電流、閾值電壓、功率需求、開關(guān)速度、溫度、負(fù)載類型以及品牌和價(jià)格等。通過仔細(xì)權(quán)衡這些因素，可以選擇到最適合特定應(yīng)用場景的功率MOSFET。