原標(biāo)題：安集科技參加集成電路超級工藝技術(shù)Workshop

安集科技參加集成電路超級工藝技術(shù)Workshop是一次重要的行業(yè)交流活動，以下是關(guān)于此次活動的詳細(xì)回答：

一、活動背景與目的

隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點的不斷演進，晶圓表面的潔凈要求也越來越嚴(yán)苛。晶圓表面微污染雜質(zhì)是影響芯片良率和芯片產(chǎn)品性能的關(guān)鍵因素。為了應(yīng)對高階工藝對微污染控制提出的新挑戰(zhàn)和新需求，集成電路材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡稱“材料聯(lián)盟”）與科百特過濾器材有限公司（以下簡稱“科百特”）聯(lián)合舉辦了此次集成電路超凈工藝技術(shù)Workshop?；顒拥哪康脑谟谔接懶录夹g(shù)要求下的潔凈控制，加強產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)之間的合作與交流。

二、活動概況

• 時間：2021年11月19日

• 地點：杭州蕭山區(qū)

• 形式：線上線下同時進行

• 參與人員：來自集成電路制造、硅材料、工藝化學(xué)品、光刻膠、CMP材料等產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的高層、技術(shù)人員及研究院所的學(xué)者共計約80余人

三、安集科技參與情況

在Workshop期間，安集微電子科技(上海)股份有限公司（簡稱“安集科技”）積極參與并發(fā)揮了重要作用。具體表現(xiàn)為：

• 演講報告：安集科技產(chǎn)品應(yīng)用副總監(jiān)王勝利應(yīng)邀發(fā)表題為《先進制程刻蝕后清洗技術(shù)》的演講報告。他主要分享了邏輯器件先進技術(shù)節(jié)點的后段干法刻蝕殘留物的清洗工藝技術(shù)，特別是有氮化鈦硬掩膜的濕法去除要求的清洗技術(shù)指標(biāo)和實際數(shù)據(jù)。

• 技術(shù)展望：在演講中，王勝利還探討了下一世代的半導(dǎo)體工藝技術(shù)展望，包括半導(dǎo)體工藝中新材料和新架構(gòu)對功能性型化學(xué)品提出的挑戰(zhàn)與機遇。他指出了在邏輯器件5nm以后世代中GAA結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)、Ru及Air Gap的引入，以及在3D NAND器件中更高層數(shù)的堆疊帶來的極高深寬比和Molly的引入等帶來的新機遇和挑戰(zhàn)。

• 企業(yè)實力展示：王勝利表示，過去的十多年以來，安集科技的功能性濕電子化學(xué)品已經(jīng)在大批量穩(wěn)定供應(yīng)國內(nèi)外的不同客戶，其應(yīng)用范圍集中于中后道工藝，包括鋁、銅的后道互聯(lián)及晶圓級封裝領(lǐng)域。安集科技始終專注于CMP拋光液及功能性濕電子化學(xué)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，經(jīng)過長時間的積累沉淀，具備成熟而強大的研發(fā)、生產(chǎn)、技術(shù)支持及質(zhì)量管控能力。

四、活動意義

此次Workshop的成功舉辦，不僅為集成電路材料產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新提供了交流平臺，也展示了安集科技在功能性濕電子化學(xué)品領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和強大實力。通過分享最新技術(shù)成果和展望未來發(fā)展趨勢，安集科技進一步鞏固了與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的合作關(guān)系，為推動集成電路產(chǎn)業(yè)的持續(xù)健康發(fā)展做出了積極貢獻(xiàn)。

綜上所述，安集科技參加集成電路超級工藝技術(shù)Workshop是一次富有成效的行業(yè)交流活動，展示了公司在技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面的積極態(tài)度和卓越能力。