Silicon Labs BRD4161A EFR32MG12 2.4GHz 19dBm射頻板的介紹、特性、及應(yīng)用


原標(biāo)題:Silicon Labs BRD4161A EFR32MG12 2.4GHz 19dBm射頻板的介紹、特性、及應(yīng)用
測(cè)試功率半導(dǎo)體的通用動(dòng)態(tài)測(cè)試和短路測(cè)試是確保功率半導(dǎo)體器件性能、穩(wěn)定性和可靠性的重要環(huán)節(jié)。以下是對(duì)這兩種測(cè)試方法的詳細(xì)解析:
一、通用動(dòng)態(tài)測(cè)試
1. 定義與目的
通用動(dòng)態(tài)測(cè)試是指在交流條件下對(duì)功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè)試,以評(píng)估其開(kāi)關(guān)性能、損耗、反向恢復(fù)電流等動(dòng)態(tài)參數(shù)。這些參數(shù)對(duì)于器件的開(kāi)關(guān)速度、損耗、功率密度以及電磁兼容性等具有重要影響。
2. 測(cè)試參數(shù)
動(dòng)態(tài)測(cè)試的主要參數(shù)包括:
開(kāi)關(guān)時(shí)間:包括開(kāi)啟時(shí)間和關(guān)閉時(shí)間,反映器件的響應(yīng)速度。
開(kāi)關(guān)損耗:包括傳導(dǎo)損耗、阻塞損耗、接通損耗和關(guān)斷損耗,是評(píng)估器件效率的重要指標(biāo)。
反向恢復(fù)電流:反映二極管等器件在反向恢復(fù)過(guò)程中的電流特性。
開(kāi)關(guān)電流:在開(kāi)關(guān)過(guò)程中流過(guò)的電流峰值。
耗散功率:器件在工作過(guò)程中產(chǎn)生的熱量,與器件的散熱能力和穩(wěn)定性密切相關(guān)。
3. 測(cè)試方法
通用動(dòng)態(tài)測(cè)試通常使用專用的測(cè)試設(shè)備,如示波器、功率分析儀等,對(duì)器件在特定條件下的電壓、電流波形進(jìn)行監(jiān)測(cè)和分析。測(cè)試過(guò)程中,需要確保測(cè)試條件與器件實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景盡可能一致,以獲得準(zhǔn)確的測(cè)試結(jié)果。
4. 注意事項(xiàng)
在測(cè)試過(guò)程中,應(yīng)注意安全,避免高壓、大電流對(duì)測(cè)試人員和設(shè)備的傷害。
測(cè)試前應(yīng)仔細(xì)校準(zhǔn)測(cè)試設(shè)備,確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。
測(cè)試過(guò)程中應(yīng)記錄詳細(xì)的測(cè)試數(shù)據(jù)和波形,以便后續(xù)分析和對(duì)比。
二、短路測(cè)試
1. 定義與目的
短路測(cè)試是評(píng)估功率半導(dǎo)體器件在短路情況下的工作狀態(tài)、耐受能力和保護(hù)機(jī)制是否有效的重要測(cè)試方法。通過(guò)短路測(cè)試,可以模擬器件在實(shí)際應(yīng)用中可能遇到的極端情況,以驗(yàn)證其可靠性和安全性。
2. 測(cè)試類型
短路測(cè)試主要包括橋臂內(nèi)短路測(cè)試和橋臂間短路測(cè)試兩種類型:
橋臂內(nèi)短路:由于硬件或軟件失效導(dǎo)致的短路回路中電感量較小的狀況。測(cè)試時(shí),通過(guò)調(diào)壓器和接觸器將母線電容電壓充至所需值,在關(guān)閉上管IGBT的門極后,使用粗短的銅排進(jìn)行短路,然后對(duì)下管IGBT釋放一個(gè)單脈沖,形成直通狀態(tài)。
橋臂間短路:由于相間短路或相對(duì)地短路引起的短路回路中電感量較大的狀況。測(cè)試時(shí),可采用VCE(sat)檢測(cè)或霍爾檢測(cè)電流變化等方式進(jìn)行短路保護(hù)。
3. 測(cè)試步驟
短路測(cè)試的一般步驟包括:
設(shè)定測(cè)試條件,包括母線電壓、短路排的長(zhǎng)度和粗細(xì)等。
觸發(fā)短路事件,記錄短路電流和Vce電壓等參數(shù)。
分析測(cè)試結(jié)果,評(píng)估器件的耐受能力和保護(hù)機(jī)制是否有效。
4. 注意事項(xiàng)
在進(jìn)行短路測(cè)試時(shí),應(yīng)特別注意安全,避免高壓、大電流對(duì)測(cè)試人員和設(shè)備的傷害。
測(cè)試前應(yīng)確保測(cè)試設(shè)備和測(cè)試電路的正確連接和校準(zhǔn)。
測(cè)試過(guò)程中應(yīng)密切監(jiān)視測(cè)試參數(shù)的變化,及時(shí)記錄和分析測(cè)試結(jié)果。
綜上所述,測(cè)試功率半導(dǎo)體的通用動(dòng)態(tài)測(cè)試和短路測(cè)試是確保器件性能、穩(wěn)定性和可靠性的重要手段。通過(guò)這兩種測(cè)試方法,可以全面評(píng)估器件的動(dòng)態(tài)特性和短路耐受能力,為器件的研發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用提供有力支持。
責(zé)任編輯:David
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