SRII重磅亮相CICD 2021,以先進(jìn)ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)


原標(biāo)題:SRII重磅亮相CICD 2021,以先進(jìn)ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
SRII(青島四方思銳智能技術(shù)有限公司)在CICD 2021(2021年中國集成電路制造年會(huì))上的亮相,以先進(jìn)ALD(原子層沉積)技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),展現(xiàn)了其在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的創(chuàng)新實(shí)力和市場(chǎng)前景。以下是對(duì)該事件的詳細(xì)分析:
一、SRII的亮相背景
隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能、手機(jī)快充等應(yīng)用的興起,第三代半導(dǎo)體材料如SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)因其高耐壓等級(jí)、高開關(guān)頻率和高性能等特點(diǎn),逐漸嶄露頭角并獲得業(yè)界的廣泛關(guān)注。這些新型功率器件在生產(chǎn)工藝不斷優(yōu)化和成本持續(xù)降低的情況下,開始投入批量應(yīng)用,并迎來了關(guān)鍵的產(chǎn)能爬坡階段。SRII作為業(yè)界領(lǐng)先的ALD設(shè)備制造商和服務(wù)商,通過亮相CICD 2021,向業(yè)界展示了其在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)布局。
二、SRII的技術(shù)實(shí)力
SRII在CICD 2021上展示了其先進(jìn)的ALD技術(shù),該技術(shù)在功率半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)中具有創(chuàng)新應(yīng)用。ALD技術(shù)屬于CVD(化學(xué)氣相沉積)的一種,是當(dāng)下最先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)之一。它能夠以單原子膜(0.1nm)形式沉積在基底表面,并在整體器件的鍍膜控制上達(dá)到很高的精確度。這種技術(shù)對(duì)于SiC、GaN等功率與化合物材料尤為重要,因?yàn)檫@些材料的器件3D結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜,對(duì)薄膜的要求也越來越高。
三、SRII的市場(chǎng)布局
產(chǎn)品布局:SRII推出了量產(chǎn)型ALD沉積設(shè)備——Transform?系列,并成功交付了最新的Beneq Transform? Lite設(shè)備給中國市場(chǎng)的第三代半導(dǎo)體龍頭客戶,幫助其加速GaN產(chǎn)線的擴(kuò)建。這些設(shè)備在25片8寸晶圓的batch工藝條件下,基于完全真實(shí)的cycle time和GPC、WiW、WtW等指標(biāo),完全滿足spec要求。
全球化與本地化并行:SRII自2019年起,在歐洲、美國、日本、中國大陸和中國臺(tái)灣地區(qū)等全球知名半導(dǎo)體客戶量產(chǎn)線上投入使用,有著充分驗(yàn)證的工藝穩(wěn)定性和設(shè)備穩(wěn)定性。同時(shí),SRII也積極推行本地化布局,通過在中國市場(chǎng)扎根、培養(yǎng)本地國際化創(chuàng)新型團(tuán)隊(duì),加強(qiáng)與不同區(qū)域、不同領(lǐng)域、不同機(jī)構(gòu)的產(chǎn)業(yè)生態(tài)合作。
聯(lián)合研發(fā):SRII表示非常希望與國內(nèi)的機(jī)構(gòu)或行業(yè)客戶開展聯(lián)合研發(fā)工作,通過采用基于ALD技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)提升器件性能以及易于量產(chǎn)的目的。
四、市場(chǎng)前景
根據(jù)Yole Développement的最新調(diào)研報(bào)告,預(yù)計(jì)2026年全球GaN功率器件的市場(chǎng)規(guī)模將增長至11億美元,年均復(fù)合增長率達(dá)到70%。其中,手機(jī)快充等消費(fèi)市場(chǎng)是未來2-3年的主要驅(qū)動(dòng)力,新能源汽車OBC充電器、工業(yè)領(lǐng)域逆變器、數(shù)據(jù)中心高效電源等應(yīng)用則緊隨其后。這為SRII等ALD設(shè)備制造商提供了廣闊的市場(chǎng)空間和發(fā)展機(jī)遇。
綜上所述,SRII在CICD 2021上的亮相不僅展示了其在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)布局,也預(yù)示著其在未來半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中的巨大潛力和廣闊前景。
責(zé)任編輯:David
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